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कन (847)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
GD25S512MDBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDBIGY -
सराय
 ECAD 3215 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए GD25S512 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 १०४ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25Q32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32ENIGR 0.6646
सराय
 ECAD 7865 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x4) तंग 1970-GD25Q32ENIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25LF64ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF64EGR 1.2636
सराय
 ECAD 5534 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x4) तंग 1970-GD25LF64EGRTR 3,000 १६६ सराय सराय 64mbit 5.5 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 100s, 4ms
GD25Q32CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CTIG 0.5149
सराय
 ECAD 9200 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 20,000 १२० सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ16CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CNIGR 1.0600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar GD25LQ16 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-((4x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ20COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20COIGR -
सराय
 ECAD 1997 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) GD25LQ20 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25VE16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CTIG -
सराय
 ECAD 5747 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VE16 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार -
GD25LB512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEBIRY 4.6550
सराय
 ECAD 1734 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) तंग 1970-GD25LB512MEBIRY 4,800 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD9FS8G8E3ALGJ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd9fs8g8e3algj 17.9949
सराय
 ECAD 2667 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर तंग 1970-GD9FS8G8E3ALGJ 2,100
GD25LE32ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32ELIGR 0.7582
सराय
 ECAD 7661 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 10-XFBGA, WLCSP फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 10-WLCSP तंग 1970-GD25LE32ELIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25Q32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CVIGR -
सराय
 ECAD 1931 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-वीएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25B16CSAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16CSAGR 0.9266
सराय
 ECAD 2242 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप - 1970-GD25B16CSAGRTR 2,000 सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार -
GD5F4GQ6REYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6REYIGR 6.7891
सराय
 ECAD 7958 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F4GQ6REIGRTR 3,000 80 सराय सराय 4 जीबिट 11 एनएस चमक 512M x 8 सवार 600 ओएफएस
GD25VQ16CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CEIGR -
सराय
 ECAD 6231 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25VQ16 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 3ms
GD25LB256EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256EBIRY 2.3562
सराय
 ECAD 9106 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) तंग 1970-GD25LB256EBIRY 4,800 १६६ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 70, एस, 1.2ms
GD25LQ80ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80ESIGR 0.3786
सराय
 ECAD 2065 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LQ80ESIGRTR 2,000 १३३ सराय सराय 8mbit 6 एनएस चमक 1 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25LQ80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CEIGR -
सराय
 ECAD 4175 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25LQ80 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25Q40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CEIGR 0.4800
सराय
 ECAD 25 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25Q40 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ16CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CSIGR 0.6100
सराय
 ECAD 19 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25LQ16 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ32DSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32DSIG 0.5485
सराय
 ECAD 1330 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25LQ32 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 १२० सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 2.4ms
GD25Q32CBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CBIGY -
सराय
 ECAD 1367 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए GD25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 १२० सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ128DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DYIGR। 2.2300
सराय
 ECAD 521 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD25LQ128 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 2.4ms
GD25LB256EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256EIGY 2.3030
सराय
 ECAD 8775 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD25LB256EIGY 4,800 १६६ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 70, एस, 1.2ms
GD5F2GQ4RF9IGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4RF9IGY -
सराय
 ECAD 6035 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-व GD5F2GQ4 फmume - नंद 1.7V ~ 2V 8-LGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 १२० सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k सवार 700 ओएफएस
GD55T01GEY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T01GEY2GR 16.7580
सराय
 ECAD 7366 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55T R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD55T01GEY2GRTR 3,000 २०० सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, dtr -
GD25LQ40ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40ESIGR 0.3619
सराय
 ECAD 2530 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप - 1970-GD25LQ40ESIGRTR 2,000 १३३ सराय सराय 4Mbit 6 एनएस चमक 512K x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD25Q127CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSJGR -
सराय
 ECAD 4258 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q127 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १०४ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 12, 2.4ms
GD25LE16EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE16EEGR 0.7582
सराय
 ECAD 2735 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x2) तंग 1970-GD25LE16EEGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 6 एनएस चमक 2 सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 100s, 4ms
GD25D10CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10CTIGRIGRIGRIGRIG 0.3300
सराय
 ECAD 18 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25D10 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 100 सराय सराय 1mbit चमक 128K x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
GD25LQ64CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CWIGR 1.5800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD25LQ64 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 सवार 2.4ms
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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