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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
GD25T512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEFIRR 5.2358
सराय
ECAD 5585 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25T R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप - 1970-GD25T512MEFIRRTR 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, dtr -
GD25LT256EYAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EYAGR 5.8677
सराय
ECAD 2495 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LT R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25LT256EAGRTR 3,000 १६६ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 140 और, 3ms
GD5F2GQ5UEBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEBIGY 3.9138
सराय
ECAD 3108 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग 1970-GD5F2GQ5UEBIGY 4,800 १०४ सराय सराय 2 जीबिट 9 एनएस चमक २५६ सिया x k सवार 600 ओएफएस
GD25LT512MEY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEY2GR 8.8525
सराय
ECAD 7207 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LT R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25LT512MEY2GRTR 3,000 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25F64FW2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F64FW2GR 1.5077
सराय
ECAD 6890 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25F R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) - 1970-GD25F64FW2GRTR 3,000 २०० सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, dtr -
GD5F2GQ5UEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEY2GY 6.1712
सराय
ECAD 3843 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD5F2GQ5UEY2GY 4,800 १०४ सराय सराय 2 जीबिट 9 एनएस चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD25Q32ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32ETJGR 0.6989
सराय
ECAD 5631 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25Q32ETJGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 140 और, 4ms
GD25LD10CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD10CKIGR 0.2929
सराय
ECAD 4889 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25LD10CKIGRTR 3,000 ५० सभा सराय 1mbit 12 एनएस चमक 128K x 8 Spi - rurी i/o 55, एस, 6ms
GD25WQ64ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64ETIGR 1.4100
सराय
ECAD 8328 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3,000 १०४ सराय सराय 64mbit 12 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 120 और, 4ms
GD25Q64EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EWIGY 0.8112
सराय
ECAD 4020 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25Q64EWIGY 5,700 १३३ सराय सराय 64mbit 7 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25LQ32ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ETIGR 1.0100
सराय
ECAD 6874 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25Q64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EQIGR 0.8181
सराय
ECAD 5714 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((4x4) तंग 1970-GD25Q64EQIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 7 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25LT256EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EBIRY 3.1800
सराय
ECAD 5306 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए GD25LT256 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 4,800 २०० सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD5F1GQ5UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYIGR 2.3508
सराय
ECAD 2789 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F1GQ5UEYIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 1gbit 7 एनएस चमक २५६ वायर x ४ Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 600 ओएफएस
GD25LB256EY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256EY2GY 3.4340
सराय
ECAD 9227 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25LB256EY2GY 4,800 १६६ सराय सराय 256Mbit 5 एनएस चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 140 और, 2ms
GD25LQ20EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20EEAGR 0.6080
सराय
ECAD 7088 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x2) - 1970-GD25LQ20EEAGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 2mbit 6 एनएस चमक 256K x 8 सवार 100s, 4ms
GD25Q80ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ESIGR 0.5200
सराय
ECAD 3 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q80 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,000 १३३ सराय सराय 8mbit 7 एनएस चमक 1 सिया x 8 सवार 70 और, 2ms
GD5F1GM7REWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GM7REWIGY 2.2630
सराय
ECAD 3297 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD5F1GM7REWIGY 5,700 १०४ सराय सराय 1gbit 9 एनएस चमक २५६ वायर x ४ Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD55LT01GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEBIRY 10.8794
सराय
ECAD 5698 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LT शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LT01GEBIRY 4,800 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25LE32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32ESIGR 1.0600
सराय
ECAD 6350 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 2,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD5F2GQ5UFYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UFYIGR 3.9884
सराय
ECAD 4325 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर - 1970-GD5F2GQ5UFYIGRTR 3,000
GD55T02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T02GEBIRY 21.5992
सराय
ECAD 1604 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55T शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55T02GEBIRY 4,800 २०० सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, dtr -
GD25D40ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D40ETIGR 0.2564
सराय
ECAD 7488 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25D R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25D40ETIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit 6 एनएस चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
GD55B01GEBJRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEBJRY 10.7996
सराय
ECAD 2837 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55B शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग 1970-GD55B01GEBJRY 4,800 १३३ सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25WQ32ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32ETIGR 0.6843
सराय
ECAD 3836 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25WQ32ETIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 32Mbit 8 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 120 और, 4ms
GD25WQ128EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128EIGY 1.3445
सराय
ECAD 4020 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WQ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD25WQ128EIGY 4,800 १०४ सराय सराय 128Mbit 8 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 120 और, 4ms
GD25LE32EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32EEGR 1.0109
सराय
ECAD 5482 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x2) तंग 1970-GD25LE32EEGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 100s, 4ms
GD25T512MEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEF2RR 8.3545
सराय
ECAD 5535 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25T R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप - 1970-GD25T512MEF2RRTR 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, dtr -
GD25Q128EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EFIRR 1.3327
सराय
ECAD 4318 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप तंग 1970-GD25Q128EFIRRTR 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 7 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25D20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20CEIGR 0.2636
सराय
ECAD 7400 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25D R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x2) तंग 1970-GD25D20CEIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 2mbit 6 एनएस चमक 256K x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम