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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
EDFP164A3PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFP164A3PB-JD-FD -
सराय
ECAD 7357 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur - EDFP164 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (15x15) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,190 933 सरायम सराय 24gbit घूंट 384M x 64 तपस्वी -
EMFA232A2PF-DV-F-D Micron Technology Inc. EMFA232A2PF-DV-FD -
सराय
ECAD 6321 0.00000000 तमाम - थोक शिर EMFA232 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 0000.00.0000 1,680
MT29F128G08EBEBBWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08EBEBBWP: B TR -
सराय
ECAD 4575 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
MT29F256G08AMEBBK7-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AMEBBK7-12: B TR -
सराय
ECAD 1041 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F256G08 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000 83 सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCBBH1-10X: B TR -
सराय
ECAD 5826 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-वीबीजीए MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 100 सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F6T08ETHBBM5-3RES: B TR -
सराय
ECAD 1662 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F6T08 फmume - नंद 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 ३३३ सरायम सराय 6tbit चमक 768G x 8 तपस्वी -
MT29F8G08ABABAWP-AITX:B TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ABABAWP-AITX: B TR -
सराय
ECAD 7074 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F8G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 8gbit चमक 1 जी x 8 तपस्वी -
MT42L128M32D1TK-25 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1TK-25 AAT: A TR -
सराय
ECAD 3354 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 134-WFBGA MT42L128M32 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 134-((10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000 ४०० सराय सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी -
MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L512M32D2PF-107 WT: B TR 24.1050
सराय
ECAD 2225 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 178-वीएफबीजीए MT52L512 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.2V 178-FBGA (11.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 - -
MT40A512M16JY-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-083E AUT: B TR -
सराय
ECAD 9302 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((8x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz सराय 8gbit घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी -
MT53B384M64D4EZ-062 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4EZ-062 WT: B TR -
सराय
ECAD 6517 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz सराय 24gbit घूंट 384M x 64 - -
MT46H4M32LFB5-6 AT:K TR Micron Technology Inc. MT46H4M32LFB5-6 AT: K TR -
सराय
ECAD 5356 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT46H4M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १६६ सराय सराय 128Mbit 5 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MTFC8GAMALGT-AIT Micron Technology Inc. Mtfc8gamalgt-ait -
सराय
ECAD 2998 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Mtfc8 फmume - नंद - - Rohs3 आजthabaira तमाम 557-MTFC8GAMALGT-AIT शिर 8542.32.0071 152 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
MTFC128GAJAECE-IT TR Micron Technology Inc. Mtfc128gajaece-it tr -
सराय
ECAD 8429 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 169-LFBGA MTFC128 फmume - नंद - 169-LFBGA (14x18) - 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 1tbit चमक 128g x 8 एमएमसी -
MT53E256M32D2FW-046 AAT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2FW-046 AAT: B 15.4950
सराय
ECAD 5679 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) तंग 557-MT53E256M32D2FW-046AAT: B 1 २.१३३ सरायम सराय 8gbit 3.5 एनएस घूंट २५६ वायर x ३२ तपस्वी 18NS
MT53E2G32D8QD-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D8QD-046 WT: E TR -
सराय
ECAD 2290 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E2G32 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - शिर 0000.00.0000 2,000 २.१३३ सरायम सराय 64gbit घूंट 2 जी x 32 - -
MTFC32GLTDM-WT Micron Technology Inc. MTFC32GLTDM-WT -
सराय
ECAD 4998 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur - Mtfc32g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 एमएमसी -
MT53B256M32D1NP-062 WT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062 WT: C -
सराय
ECAD 4184 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53B256 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz सराय 8gbit घूंट २५६ वायर x ३२ - -
EDFM432A1PF-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFM432A1PF-GD-FD -
सराय
ECAD 2571 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur - EDFM432 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,680 800 तंग सराय 12gbit घूंट 384M x 32 तपस्वी -
M29W200BB70N6E Micron Technology Inc. M29W200BB70N6E -
सराय
ECAD 2516 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W200 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-स - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 2mbit 70 एनएस चमक 256K x 8, 128K x 16 तपस्वी 70NS
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAH4-ITX: E TR -
सराय
ECAD 4943 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G08 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी -
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AUT: C TR -
सराय
ECAD 4577 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 2,000 २.१३३ सरायम सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-053 WT ES: ए -
सराय
ECAD 9425 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 366-WFBGA MT53B384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz सराय 24gbit घूंट 384M x 64 - -
EDB8132B4PM-1DAT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB8132B4PM-1DAT-FR TR -
सराय
ECAD 3813 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 168-WFBGA EDB8132 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) - 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ५३३ सरायम सराय 8gbit घूंट २५६ वायर x ३२ तपस्वी -
MT29F512G08EBLCEJ4-R:C Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLCEJ4-R: C -
सराय
ECAD 5085 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F512G08 फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.6V ~ 3.6V 132-((12x18) - 557-MT29F512G08EBLCEJ4-R: C शिर 8542.32.0071 1,120 सराय 512GBIT चमक 64G x 8 तपस्वी -
N25Q512A13GSF40F TR Micron Technology Inc. N25Q512A13GSF40F TR -
सराय
ECAD 7606 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) N25Q512A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 सराय सराय 512MBIT चमक 128 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT29F4G16ABCWC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABCWC: C TR -
सराय
ECAD 5341 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F4G16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 4 जीबिट चमक २५६ वायर x १६ तपस्वी -
MT53D512M16D1DS-046 IT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M16D1DS-046 IT: D TR 8.5200
सराय
ECAD 4756 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V 200-WFBGA (10x14.5) तंग 557-MT53D512M16D1DS-046IT: DTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 8gbit घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी -
N25Q256A13EF840E Micron Technology Inc. N25Q256A13EF840E -
सराय
ECAD 8661 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar N25Q256A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((एमएलपी 8) (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-1565 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 सराय सराय 256Mbit चमक 64 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-5 IT: C TR 5.6600
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-वीएफबीजीए MT46H32M16 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-((8x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT 5 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम