SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी Sic पtrauranurauth योग वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT29F4T08EMLCHD4-QC:C TR Micron Technology Inc. Mt29f4t08emlchd4-qc: c tr 83.9100
सराय
ECAD 3296 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT29F4T08EMLCHD4-QC: CTR 2,000
MT46H32M32LFB5-5 AIT:B Micron Technology Inc. MT46H32M32LFB5-5 AIT: B -
सराय
ECAD 3301 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT46H32M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,440 २०० सराय सराय 1gbit 5 एनएस घूंट ३२ सिया x ३२ तपस्वी 15NS
MT58L256L36FS-10 Micron Technology Inc. MT58L256L36FS-10 13.7700
सराय
ECAD 15 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp SRAM - SANANY 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 500 ६६ सराय सराय 8mbit 10 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
MTFC128GAPALNA-AAT Micron Technology Inc. MTFC128GAPALNA-AAT -
सराय
ECAD 4187 0.00000000 तमाम - कड़ा तंग MTFC128 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980
MT47H64M8SH-25E IT:H Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E IT: H -
सराय
ECAD 9556 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,518 ४०० सराय सराय 512MBIT 400 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT29TZZZ4D4BKERL-125 W.94M Micron Technology Inc. MT29TZZZ4D4BKERL-125 W.94M -
सराय
ECAD 8865 0.00000000 तमाम - थोक शिर - 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 1,520
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Micron Technology Inc. MT29F768G08EEHBBJ4-3R: B -
सराय
ECAD 9583 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F768G08 फmume - नंद 2.5V ~ 3.6V 132-((12x18) - तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 ३३३ सरायम सराय 768GBIT चमक 96G x 8 तपस्वी -
MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR Micron Technology Inc. MT42L64M64D2LL-18 IT: C TR -
सराय
ECAD 2738 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 216-WFBGA MT42L64M64 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 216-FBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट घूंट 64 सिया x 64 तपस्वी -
MT28F640J3RG-115 XMET Micron Technology Inc. MT28F640J3RG-115 XMET -
सराय
ECAD 6723 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F640J3 चमक 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 64mbit 115 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी -
MT25TL512BAA1ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL512BAA1ESF-0AAT TR -
सराय
ECAD 7350 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) MT25TL512 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT29F4T08EULKEM4-ITF:K TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EULKEM4-ITF: K TR 136.1250
सराय
ECAD 4726 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT29F4T08EULKEM4-ITF: KTR 2,000
MT29F2G16ABAEAWP:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAEAWP: E TR -
सराय
ECAD 8332 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F2G16 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 2 जीबिट चमक 128 सिया x 16 तपस्वी -
MT49H32M18CFM-25E:B Micron Technology Inc. MT49H32M18CFM-25E: B: B: B -
सराय
ECAD 7461 0.00000000 तमाम - शिर Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H32M18 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-ofbga (18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 ४०० सराय सराय 576MBIT 15 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
M58WR032KT70ZB6F TR Micron Technology Inc. M58WR032KT70ZB6F TR -
सराय
ECAD 2221 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur ५६-वीएफबीजीए M58WR032 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 56-((7.7x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 ६६ सराय सराय 32Mbit 70 एनएस चमक 2 सींग x 16 तपस्वी 70NS
PC28F256P33B85B TR Micron Technology Inc. PC28F256P33B85B TR -
सराय
ECAD 9529 0.00000000 तमाम Strataflash ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F256 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 64-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 ५२ सराय सराय 256Mbit 85 एनएस चमक 16 सिया x 16 तपस्वी 85NS
MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-6A AAT: L TR -
सराय
ECAD 3565 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC4M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,000 167 अय्यर सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी 12NS
MT45V512KW16PEGA-70 WT TR Micron Technology Inc. MT45V512KW16PEGA-70 WT TR -
सराय
ECAD 7859 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए MT45V512KW16 Psram (sram sram) 2.7V ~ 3.6V 48-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 8mbit 70 एनएस तड़प 512K x 16 तपस्वी 70NS
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAH4-AITX: E -
सराय
ECAD 7219 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G08 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी -
MT53D1G64D8NW-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NW-046 WT ES: E TR -
सराय
ECAD 7636 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D1G64 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,000 २.१३३ सरायम सराय 64gbit घूंट 1 जी x 64 - -
MT29F2T08EMLEEJ4-QC:E Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-QC: E 52.9800
सराय
ECAD 2023 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QC: E 1
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D Micron Technology Inc. MT29F128G08EBCDBJ4-37ES: D -
सराय
ECAD 8088 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F128G08 फmume - नंद तमाम नहीं है 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,120 267 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
MT47H32M16HR-187E:G TR Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-187E: G TR -
सराय
ECAD 1210 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 ५३३ सरायम सराय 512MBIT 350 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
M28W640HCB70N6E Micron Technology Inc. M28W640HCB70N6E -
सराय
ECAD 4487 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M28W640 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-1582 3A991B1A 8542.32.0071 576 सराय 64mbit 70 एनएस चमक 4 सिया x 16 तपस्वी 70NS
MT28HL16GJBB3ERK-0SCT Micron Technology Inc. MT28HL16GJBB3ERK-0SCT -
सराय
ECAD 5429 0.00000000 तमाम - थोक शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 960
MT28F320J3BS-11 ET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3BS-11 et Tr -
सराय
ECAD 4633 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एफबीजीए MT28F320J3 चमक 2.7V ~ 3.6V 64-((10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 4 (72 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 32Mbit 110 एनएस चमक 4M x 8, 2M x 16 तपस्वी -
N25Q064A13EF8A0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13EF8A0F TR -
सराय
ECAD 1716 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar N25Q064A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((एमएलपी 8) (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 सराय सराय 64mbit चमक 16 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT48LC2M32B2B5-6A AAT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-6A AAT: J TR -
सराय
ECAD 8101 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48LC2M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 167 अय्यर सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी 12NS
MT29F16T08GWLCEM5-QB:C Micron Technology Inc. MT29F16T08GWLCEM5-QB: C 312.5850
सराय
ECAD 4181 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29F16T08GWLCEM5-QB: C 1
MT35XU02GCBA3G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA3G12-0SIT TR -
सराय
ECAD 5854 0.00000000 तमाम XCCELA ™ - MT35X R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 24-टीबीजीए Mt35xu02 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 २०० सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k XCCELA बस -
EDFA112A2PD-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFA112A2PD-GD-FD -
सराय
ECAD 1976 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA112 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,190 800 तंग सराय 16Gbit घूंट 128 सिया x 128 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम