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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT28F800B5SG-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8 BET TR -
सराय
ECAD 2795 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-SCIC (0.496 ", 12.60 मिमी rana) MT28F800B5 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 44- तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 500 सराय 8mbit 80 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 80NS
MT58L64L32DT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L32DT-7.5 5.3200
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp SRAM - SANANY 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1 १३३ सराय सराय 2mbit 4 एनएस शिर 64K x 32 तपस्वी -
EDFA364A3PD-JDTJ-F-R Micron Technology Inc. EDFA364A3PD-JDTJ-FR -
सराय
ECAD 8380 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - EDFA364 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 16Gbit घूंट २५६ वायर x ६४ तपस्वी -
MT29F1G01ABAFD12-IT:F TR Micron Technology Inc. Mt29f1g01abafd12-it: f tr -
सराय
ECAD 4987 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT29F1G01 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 1gbit चमक 1 जी x 1 एसपीआई -
MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F4T08CTHBBM5-3RES: B TR -
सराय
ECAD 7175 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F4T08 फmume - नंद 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 ३३३ सरायम सराय 4tbit चमक 512G x 8 तपस्वी -
EDF4432ACPE-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF4432ACPE-GD-FR TR -
सराय
ECAD 9067 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDF4432 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000 800 तंग सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी -
M29W640GB70ZF3F TR Micron Technology Inc. M29W640GB70ZF3F TR -
सराय
ECAD 1090 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए M29W640 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 सराय 64mbit 70 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी 70NS
MT40A2G8AG-062E AIT:F TR Micron Technology Inc. MT40A2G8AG-062E AIT: F TR 18.0450
सराय
ECAD 8981 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) - - SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V - - 557-MT40A2G8AG-062EAIT: FTR 2,000 1.6 GHz सराय 16Gbit 19 एनएस घूंट 2 जी x 8 तपस्वी 15NS
MT53D512M64D8HR-053 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D8HR-053 WT: B TR -
सराय
ECAD 3728 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 366-WFBGA MT53D512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 366-WFBGA (12x12.7) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) MT53D512M64D8HR-053WT: BTR शिर 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E Micron Technology Inc. Mt29f1g16abbeah4-it: e -
सराय
ECAD 7607 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 1gbit चमक 64 सिया x 16 तपस्वी -
MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 WT: E TR 23.6850
सराय
ECAD 3060 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-वीएफबीजीए MT53E768 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-((10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT53E768M32D4DT-053WT: ETR Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz सराय 24gbit घूंट 768M x 32 - -
N25Q128A13ESFH0F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13ESFH0F TR -
सराय
ECAD 3809 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) N25Q128A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 सराय सराय 128Mbit चमक 32 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT29F8G01ADBFD12-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F8G01ADBFD12-AATES: F -
सराय
ECAD 7195 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur MT29F8G01 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 सराय 8gbit चमक 8 जी x 1 एसपीआई -
M29DW323DT70ZE6F TR Micron Technology Inc. M29DW323DT70ZE6F TR -
सराय
ECAD 6244 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA M29DW323 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 सराय 32Mbit 70 एनएस चमक 4M x 8, 2M x 16 तपस्वी 70NS
MT48LC16M16A2B4-6A XIT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-6A XIT: G TR -
सराय
ECAD 5062 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48LC16M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 167 अय्यर सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 12NS
MT53E1G64D4HJ-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 WT: C 42.4500
सराय
ECAD 5521 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 556-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) तंग 557-MT53E1G64D4HJ-046WT: C 1 २.१३३ सरायम सराय 64gbit 3.5 एनएस घूंट 1 जी x 64 तपस्वी 18NS
MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F TR Micron Technology Inc. Mt29f2g08abafah4-its: f tr -
सराय
ECAD 6740 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F2G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k तपस्वी -
MT48LC2M32B2P-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6: G TR -
सराय
ECAD 9819 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC2M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 167 अय्यर सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी 12NS
MT29F128G08AMCABK3-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABK3-10itz: ए -
सराय
ECAD 5765 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 सराय सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
MT46H16M16LFBF-5 IT:H Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-5 IT: H -
सराय
ECAD 9997 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-वीएफबीजीए MT46H16M16 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-((8x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 २०० सराय सराय 256Mbit 5 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT40A8G4KVA-075H:G Micron Technology Inc. MT40A8G4KVA-075H: G: G: G: -
सराय
ECAD 3794 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A8G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-एफबीजीए (8x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1 १.३३ तंग सराय 32Gbit 27 एनएस घूंट 8 जी x 4 तपस्वी -
MT46H16M32LFB5-6 AAT:C Micron Technology Inc. MT46H16M32LFB5-6 AAT: C -
सराय
ECAD 4319 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT46H16M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-((8x13) - Rohs3 आजthabaira 557-MT46H16M32LFB5-6AAT: C शिर 1 १६६ सराय सराय 512MBIT 5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MTFC128GAOALEA-WT Micron Technology Inc. MTFC128GAOALEA-WT -
सराय
ECAD 5506 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MTFC128GAOALEA-WT शिर 1
MT28F400B5WG-8 TET Micron Technology Inc. MT28F400B5WG-8 TET -
सराय
ECAD 4578 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F400B5 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 4Mbit 80 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 80NS
M25P40-VMP6TGBO2 TR Micron Technology Inc. M25P40-VMP6TGBO2 TR -
सराय
ECAD 4365 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar M25P40 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-((6x5) (एमएलपी 8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 4,000 75 सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
M58WR032KB70ZQ6W TR Micron Technology Inc. M58WR032KB70ZQ6W TR -
सराय
ECAD 5853 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 88-वीएफबीजीए M58WR032 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 88-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 ६६ सराय सराय 32Mbit 70 एनएस चमक 2 सींग x 16 तपस्वी 70NS
N25Q128A11B1240F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11B1240F TR -
सराय
ECAD 1623 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए N25Q128A11 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 5ms
MT48LC8M16A2P-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-7E: G: G: G: -
सराय
ECAD 5375 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC8M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT48LC8M16A2P7EG Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 14NS
MT29F8G08ABBCAH4:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ABBCAH4: C TR -
सराय
ECAD 8449 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F8G08 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 8gbit चमक 1 जी x 8 तपस्वी -
MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-053 AAT: D TR 39.1050
सराय
ECAD 5756 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) तंग -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-वीएफबीजीए MT53D1024 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-((10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz सराय 32Gbit घूंट 1 जी x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम