SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT29F64G08AEAAAC5-IT:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AAAAC5-IT: A -
सराय
ECAD 6435 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 52-वीएलजीए MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
MTFC16GALAHEA-WT TR Micron Technology Inc. MTFC16GALAHEA-WT TR -
सराय
ECAD 7671 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur - MTFC16 फmume - नंद - - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
MT29F1G08ABADAH4-ITX:D Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAH4-ITX: D -
सराय
ECAD 4640 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 2832-MT29F1G08ABADAH4-ITX: D 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी -
M29F800FT55N3F2 TR Micron Technology Inc. M29F800FT55N3F2 TR -
सराय
ECAD 2810 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29F800 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,500 सराय 8mbit 55 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 55NS
MT46V64M4FG-75E:G TR Micron Technology Inc. MT46V64M4FG-75E: G TR -
सराय
ECAD 6787 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-एफबीजीए MT46V64M4 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-((8x14) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 256Mbit 750 पीएस घूंट 64 सिया x 4 तपस्वी 15NS
MT41K1G8SN-107 IT:A Micron Technology Inc. MT41K1G8SN-107 IT: A -
सराय
ECAD 3430 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41K1G8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-((9x13.2) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,020 933 सरायम सराय 8gbit 20 एनएस घूंट 1 जी x 8 तपस्वी -
MT48LC8M16A2P-7E IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-7E IT: G TR -
सराय
ECAD 2092 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC8M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 14NS
MT25QU128ABA1ESE-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA1ES-0SIT 4.1200
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) MT25QU128 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 8- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT46V128M4FN-75:D Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-75: D -
सराय
ECAD 1627 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-((10x12.5) - रोहस 5 (48 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 750 पीएस घूंट 128 सिया x 4 तपस्वी 15NS
MT52L4DAPQ-DC Micron Technology Inc. MT52L4DAPQ-DC -
सराय
ECAD 6647 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर MT52L4 - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,134
M29W128GSH70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W128GSH70ZS6F TR -
सराय
ECAD 2929 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए M29W128 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-((11x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 सराय 128Mbit 70 एनएस चमक 16M x 8, 8m x 16 तपस्वी 70NS
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCCBH7-6ITR: C -
सराय
ECAD 7986 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 152-टीबीजीए MT29F512G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 १६६ सराय सराय 512GBIT चमक 64G x 8 तपस्वी -
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D Micron Technology Inc. Mt29f4g16abbdah4-ait: d -
सराय
ECAD 8989 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F4G16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 48-tsop I - तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 4 जीबिट चमक २५६ वायर x १६ तपस्वी -
MTFC8GAKAJCN-1M WT Micron Technology Inc. Mtfc8gakajcn-1m wt -
सराय
ECAD 8013 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए Mtfc8 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
MT46V32M16P-6T L:F Micron Technology Inc. MT46V32M16P-6T L: F -
सराय
ECAD 1785 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 167 अय्यर सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F Micron Technology Inc. Mt29f4g01abbfd12-aates: f -
सराय
ECAD 3067 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT29F4G01 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 सराय 4 जीबिट चमक 4 जी x 1 एसपीआई -
EDFA112A2PF-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA112A2PF-JD-FR TR -
सराय
ECAD 1259 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA112 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000 933 सरायम सराय 16Gbit घूंट 128 सिया x 128 तपस्वी -
M28W320ECB70ZB6T TR Micron Technology Inc. M28W320ECB70ZB6T TR 6.4400
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 47-TFBGA M28W320 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 47-TFBGA (6.39x6.37) - रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 सराय 32Mbit 70 एनएस चमक 2 सींग x 16 तपस्वी 70NS
MT47H128M8HQ-3:E TR Micron Technology Inc. MT47H128M8HQ-3: E TR -
सराय
ECAD 8249 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-एफबीजीए MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 2,000 ३३३ सरायम सराय 1gbit 450 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
MT58L64L18DT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L18DT-10 7.0500
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp SRAM - SRANA 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2B 8542.32.0041 500 100 सराय सराय 1mbit 5 एनएस शिर 64K x 18 तपस्वी -
MT46V32M16BN-75 L:C Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-75 L: C -
सराय
ECAD 7527 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-((10x12.5) - Rohs3 आजthabaira 5 (48 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 750 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT46V128M4FN-75:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-75: D TR -
सराय
ECAD 1244 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-((10x12.5) - रोहस 5 (48 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 750 पीएस घूंट 128 सिया x 4 तपस्वी 15NS
28153735 Micron Technology Inc. 28153735 -
सराय
ECAD 8843 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - - - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 500
MT29F64G08CBAAAWP-IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBAAAWP-IT: A TR -
सराय
ECAD 4014 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
MT29F32G08QAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F32G08QAAWP: एक TR -
सराय
ECAD 1580 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F32G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 तपस्वी -
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A Micron Technology Inc. MT42L32M32D2AC-25 FAAT: A -
सराय
ECAD 5463 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 134-वीएफबीजीए MT42L32M32 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-((10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0032 1,000 ४०० सराय सराय 1gbit घूंट ३२ सिया x ३२ तपस्वी -
MT29F128G08AMCABK3-10:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABK3-10: ए -
सराय
ECAD 4581 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 सराय सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
M29W160EB90N6 Micron Technology Inc. M29W160EB90N6 -
सराय
ECAD 5224 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W160 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 16Mbit 90 एनएस चमक 2m x 8, 1m x 16 तपस्वी 90NS
M29DW127G70NF6F TR Micron Technology Inc. M29DW127G70NF6F TR -
सराय
ECAD 2122 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29DW127 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,200 सराय 128Mbit 70 एनएस चमक 16M x 8, 8m x 16 तपस्वी 70NS
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4EZ-062 WT ES: A TR -
सराय
ECAD 7269 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz सराय 24gbit घूंट 384M x 64 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम