SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT48LC4M32LFF5-10 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFF5-10 IT: G -
सराय
ECAD 6065 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48LC4M32 SDRAM - KANAN LPSDR 3V ~ 3.6V 90-((8x13) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 100 सराय सराय 128Mbit 7 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MT54W1MH18JF-4 Micron Technology Inc. MT54W1MH18JF-4 29.5300
सराय
ECAD 55 0.00000000 तमाम QDR ™ थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए Mt54w1mh Sram - कthama theircut 1.7V ~ 1.9V 165-((13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 २५० तंग सराय 18mbit 4 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C Micron Technology Inc. MT53B512M32D2DS-062 AIT: C -
सराय
ECAD 3432 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53B512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 - -
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAWP-E: D TR -
सराय
ECAD 1963 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F1G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,000 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी -
MT29F2G08ABAGAWP-AATES:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAWP-AATES: G TR 5.4935
सराय
ECAD 2519 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F2G08 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT29F2G08ABAGAWP-AATES: GTR 8542.32.0071 1,000 सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k तपस्वी -
JS28F512M29EWLA Micron Technology Inc. JS28F512M29EWLA -
सराय
ECAD 3064 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F512M29 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 576 सराय 512MBIT 110 एनएस चमक 64 पर X 8, 32 THER X 16 तपस्वी 110NS
MT53E256M16D1FW-046 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M16D1FW-046 AAT: B TR 9.3900
सराय
ECAD 3436 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) तंग 557-MT53E256M16D1FW-046AAT: BTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 4 जीबिट 3.5 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 18NS
MT58V1MV18FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58V1MV18FT-7.5 18.7900
सराय
ECAD 154 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp SRAM - SRANA 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 18mbit शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
MT53E2DCDS-DC TR Micron Technology Inc. MT53E2DCDS-DC TR 22.5000
सराय
ECAD 8359 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर Mt53e2 - Rohs3 आजthabaira तमाम 557-MT53E2DCDS-DCTR 2,000
EDFA232A2MA-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA232A2MA-JD-FR TR -
सराय
ECAD 3246 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - Edfa232 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 2,000 933 सरायम सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 तपस्वी -
EDF8164A3PF-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF8164A3PF-GD-FD -
सराय
ECAD 7427 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur - EDF8164 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,260 800 तंग सराय 8gbit घूंट 128 सिया x 64 तपस्वी -
M29DW323DB7AN6F TR Micron Technology Inc. M29dw323db7an6f tr -
सराय
ECAD 5816 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29DW323 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 सराय 32Mbit 70 एनएस चमक 4M x 8, 2M x 16 तपस्वी 70NS
MT49H8M36BM-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-25 IT: B -
सराय
ECAD 2332 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H8M36 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-ofbga (18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 ४०० सराय सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 8 सिया x 36 तपस्वी -
MT53E2G64D8TN-046 AUT:C Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 AUT: C 138.4950
सराय
ECAD 6963 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 556-LFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 556-LFBGA (12.4x12.4) तंग 557-MT53E2G64D8TN-046AUT: C 1 २.१३३ सरायम सराय 128gbit 3.5 एनएस घूंट 2 जी x 64 तपस्वी 18NS
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E512G08CEHBBJ4-3ES: B TR -
सराय
ECAD 6582 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29E512G08 फmume - नंद 2.5V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 ३३३ सरायम सराय 512GBIT चमक 64G x 8 तपस्वी -
M29W800DB70ZE6F TR Micron Technology Inc. M29W800DB70ZE6F TR -
सराय
ECAD 8943 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA M29W800 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,500 सराय 8mbit 70 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 70NS
MT53B1DADS-DC TR Micron Technology Inc. MT53B1DADS-DC TR -
सराय
ECAD 9189 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 2,000 सराय घूंट
PF48F4400P0VBQE3 Micron Technology Inc. PF48F4400P0VBQE3 -
सराय
ECAD 1291 0.00000000 तमाम एकmuth ™ शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 88-TFBGA, CSPBGA 48F4400P0 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 88-SCSP (8x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0051 176 ५२ सराय सराय 512MBIT 100 एनएस चमक 32 सिया x 16 तपस्वी 100NS
MT25QL128ABB1EW7-CAUT Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1EW7-CAUT -
सराय
ECAD 9705 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana MT25QL128 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WPDFN (6x5) (MLP8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -791-MT25QL128ABB1EW7-CAUT 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT46V64M8P-5B:D Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B: D -
सराय
ECAD 4066 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V64M8 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-स - Rohs3 आजthabaira 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C Micron Technology Inc. MT29F2T08CTCCBJ7-6R: C -
सराय
ECAD 7925 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 152-एलबीजीए MT29F2T08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 152-((14x18) - 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 980 167 अय्यर सराय 2tbit चमक 256G x 8 तपस्वी -
MT28F640J3RG-115 XMET TR Micron Technology Inc. MT28F640J3RG-115 XMET TR -
सराय
ECAD 2445 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F640J3 चमक 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 64mbit 115 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी -
MT44K16M36RB-107E:B TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107E: B TR 46.0350
सराय
ECAD 6397 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 168-TBGA MT44K16M36 घूंट 1.28V ~ 1.42V 168-((13.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,000 933 सरायम सराय 576MBIT 8 एनएस घूंट 16 सिया x 36 तपस्वी -
MT40A1G8SA-062E:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E: E TR 6.0000
सराय
ECAD 1546 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-((7.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz सराय 8gbit घूंट 1 जी x 8 तपस्वी -
MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 WT ES: E TR -
सराय
ECAD 9290 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 २.१३३ सरायम सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
MT58L64L36DT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L36DT-7.5 5.5100
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp MT58L64L36 शिर 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1 १३३ सराय सराय 2mbit 4 एनएस शिर 64K x 36 तपस्वी -
M25PE40-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25PE40-VMN6TP TR -
सराय
ECAD 7737 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) M25PE40 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,500 75 सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 एसपीआई 15ms, 3ms
MT45W4MW16PBA-70 WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16PBA-70 WT -
सराय
ECAD 2973 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए MT45W4MW16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 48-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 सराय 64mbit 70 एनएस तड़प 4 सिया x 16 तपस्वी 70NS
MT48LC8M16LFTG-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFTG-75: G TR -
सराय
ECAD 3314 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC8M16 SDRAM - KANAN LPSDR 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CECBBJ4-5M: B TR -
सराय
ECAD 3302 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F512G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सराय 512GBIT चमक 64G x 8 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम