SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MTFC8GLXEA-WT Micron Technology Inc. Mtfc8glxea-wt -
सराय
ECAD 7452 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-WFBGA Mtfc8 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
EMB4432BBBBJ-DV-F-D Micron Technology Inc. EMB4432BBBBJ-DV-FD -
सराय
ECAD 7586 0.00000000 तमाम - थोक शिर EMB4432 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 0000.00.0000 2,100
MT42L16M32D1LG-25 FAAT:A Micron Technology Inc. MT42L16M32D1LG-25 FAAT: ए -
सराय
ECAD 6867 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 168-WFBGA MT42L16M32 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0032 1,000 ४०० सराय सराय 512MBIT घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
MT40A512M16TB-062E:R TR Micron Technology Inc. MT40A512M16TB-062E: R TR 6.0000
सराय
ECAD 1499 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((7.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT40A512M16TB-062E: RTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1.6 GHz सराय 8gbit 19 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 15NS
MTFC64GBCAQTC-AAT Micron Technology Inc. MTFC64GBCAQTC-AAT 35.1800
सराय
ECAD 4179 0.00000000 तमाम - शिर शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 557-MTFC64GBCAQTC-AAT 1,520
EDW2032BBBG-6A-F-R TR Micron Technology Inc. EDW2032BBG-6A-FR TR -
सराय
ECAD 4398 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 170-TFBGA Edw2032 SGRAM - GDDR5 1.31V ~ 1.65V 170-((12x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 2,000 1.5 GHz सराय 2 जीबिट तमाम 64 सिया x 32 तपस्वी -
MT40A256M16GE-083E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E AAT: B -
सराय
ECAD 1175 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((9x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,020 1.2 GHz सराय 4 जीबिट घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी -
ECF440AACCN-P4-Y3 Micron Technology Inc. ECF440AACCN-P4-Y3 -
सराय
ECAD 8222 0.00000000 तमाम - थोक शिर ECF440 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1
MT40A1G8SA-062E:J TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E: J TR -
सराय
ECAD 2861 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-((7.5x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) MT40A1G8SA-062E: JTR Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz सराय 8gbit 19 एनएस घूंट 1 जी x 8 तपस्वी 15NS
MT48LC16M4A2TG-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC16M4A2TG-7E: G: G: G: -
सराय
ECAD 6079 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC16M4A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 4 तपस्वी 14NS
MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR -
सराय
ECAD 4252 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 137-वीएफबीजीए MT29C4G48 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-((13x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०8 सींग 4 जीबिट (नंद), 2 जीबिट (therएम) अफ़म, रत्न 512M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
MT47H128M8HQ-187E:E TR Micron Technology Inc. MT47H128M8HQ-187E: E TR -
सराय
ECAD 9272 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-एफबीजीए MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,000 ५३३ सरायम सराय 1gbit 350 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
MT41J128M16HA-15E:D TR Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-15E: D TR -
सराय
ECAD 8224 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-((9x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 667 तंग सराय 2 जीबिट 13.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी -
MT49H64M9FM-25E:B Micron Technology Inc. MT49H64M9FM-25E: B: B: B: -
सराय
ECAD 1385 0.00000000 तमाम - शिर Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H64M9 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-ofbga (18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 ४०० सराय सराय 576MBIT 15 एनएस घूंट 64 सिया x 9 तपस्वी -
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFBQ-48 IT: C TR 9.6750
सराय
ECAD 5878 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT46H64M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 २०8 सराय 2 जीबिट 5 एनएस घूंट 64 सिया x 32 तपस्वी 14.4NS
MT41K512M4HX-187E:D Micron Technology Inc. MT41K512M4HX-187E: D -
सराय
ECAD 7371 0.00000000 तमाम - शिर Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41K512M4 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ५३३ सरायम सराय 2 जीबिट 13.125 एनएस घूंट 512M x 4 तपस्वी -
MT58L256L36FS-10TR Micron Technology Inc. MT58L256L36FS-10TR 13.7700
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp SRAM - SANANY 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) तंग तंग 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 500 ६६ सराय सराय 8mbit 10 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
N25W128A11EF740F TR Micron Technology Inc. N25W128A11EF740F TR -
सराय
ECAD 4635 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar N25W128 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 8-((6x5) (एमएलपी 8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 सराय सराय 128Mbit चमक 32 सिया x 4 एसपीआई -
MT29F4G01ABAFD12-AUT:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFD12-AUT: F 4.2603
सराय
ECAD 2937 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29F4G01ABAFD12-AUT: F 1
PC28F128P30B85D TR Micron Technology Inc. PC28F128P30B85D TR -
सराय
ECAD 6959 0.00000000 तमाम Strataflash ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F128 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 64-Easybga (10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 ५२ सराय सराय 128Mbit 85 एनएस चमक 8 सिया x 16 तपस्वी 85NS
MT28F400B3WG-8 T Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8 T -
सराय
ECAD 9883 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F400B3 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 48-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 4Mbit 80 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 80NS
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR Micron Technology Inc. MT29E3T08EUHBBM4-3: B TR -
सराय
ECAD 5411 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29E3T08 फmume - नंद 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 ३३३ सरायम सराय 3tbit चमक 384G x 8 तपस्वी -
M28W160CB100N6T TR Micron Technology Inc. M28W160CB100N6T TR -
सराय
ECAD 4747 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M28W160 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,500 सराय 16Mbit 100 एनएस चमक 1 सिया x 16 तपस्वी 100NS
MT48LC8M32LFB5-10 IT TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32LFB5-10 यह TR -
सराय
ECAD 3814 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48LC8M32 SDRAM - KANAN LPSDR 3V ~ 3.6V 90-((8x13) - Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 100 सराय सराय 256Mbit 7 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 15NS
MT29F256G08CJABAWP-IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CJABAWP-IT: B TR -
सराय
ECAD 9831 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F256G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
N25Q128A11EF840F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11EF840F TR -
सराय
ECAD 3325 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar N25Q128A11 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 8-((एमएलपी 8) (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 सराय सराय 128Mbit चमक 32 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT44K32M18RB-107:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-107: एक TR -
सराय
ECAD 9681 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 168-TBGA MT44K32M18 घूंट 1.28V ~ 1.42V 168-((13.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0024 1,000 933 सरायम सराय 576MBIT 10 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
MT41K256M8DA-125 IT:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 IT: K TR 4.4332
सराय
ECAD 4174 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 800 तंग सराय 2 जीबिट 13.75 एनएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी -
MT29F64G08CBABAWP-IT:B Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABAWP-IT: B -
सराय
ECAD 2823 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 960 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
MT62F1536M64D8EK-023 FAAT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023 FAAT: B 94.8300
सराय
ECAD 3945 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर -40 ° C ~ 105 ° C सतह rurcur 441-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1536M64D8EK-023FAAT: B 1 ४.२६६ तंग सराय 96gbit घूंट 1.5GX 64 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम