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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT41J64M16LA-187E:B TR Micron Technology Inc. MT41J64M16LA-187E: B TR -
सराय
ECAD 6343 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-एफबीजीए MT41J64M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x15.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,000 ५३३ सरायम सराय 1gbit घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी -
M39L0R8090U3ZE6F TR Micron Technology Inc. M39L0R8090U3ZE6F TR -
सराय
ECAD 4213 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 133-वीएफबीजीए M39L0R8090 फmum - न ही, मोब ही, rana ही lpddr sdram 1.7V ~ 1.95V 133-((8x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 सींग 256Mbit, 512Mbit 70 एनएस अफ़म, रत्न 16 सिया x 16, 32 पर x 16 तपस्वी -
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A Micron Technology Inc. MT29E256G08CMCABJ2-10Z: ‘ -
सराय
ECAD 7387 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-टीबीजीए MT29E256G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
N25Q256A13E1241F TR Micron Technology Inc. N25Q256A13E1241F TR -
सराय
ECAD 2715 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए N25Q256A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 सराय सराय 256Mbit चमक 64 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
M25P16-VMF3TPB TR Micron Technology Inc. M25P16-VMF3TPB TR -
सराय
ECAD 1477 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) M25P16 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 75 सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-IT: D TR 6.6000
सराय
ECAD 202 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F4G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 तपस्वी -
MT53B2DBNP-DC Micron Technology Inc. MT53B2DBNP-DC -
सराय
ECAD 3218 0.00000000 तमाम - शिर शिर सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,360 सराय घूंट
MTFC8GLDEA-1M WT Micron Technology Inc. Mtfc8gldea-1m wt -
सराय
ECAD 2250 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-WFBGA Mtfc8 फmume - नंद 1.65V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8523.51.0000 1,000 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
M25P05-AVMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P05-AVMN6TP TR -
सराय
ECAD 1710 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) M25P05-A फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,500 ५० सभा सराय 512kbit चमक 64K x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B512M64D4PV-062 WT ES: C -
सराय
ECAD 9411 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 840 1.6 GHz सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
MT47H128M8JN-25E:H Micron Technology Inc. MT47H128M8JN-25E: H -
सराय
ECAD 9309 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,000 ४०० सराय सराय 1gbit 400 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
NAND512W3A2CN6E Micron Technology Inc. NAND512W3A2CN6E -
सराय
ECAD 5620 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) Nand512 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -Nand512w3a2cn6e 3A991B1A 8542.32.0071 576 सराय 512MBIT 50 एनएस चमक 64 सिया x 8 तपस्वी 50NS
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C Micron Technology Inc. MT53B512M32D2DS-062 AAT: C -
सराय
ECAD 9105 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53B512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 - -
MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D384M16D1NP-046 XT ES: D TR -
सराय
ECAD 4393 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53D384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - 3 (168 घंटे) तमाम 0000.00.0000 2,000 २.१३३ सरायम सराय 6gbit घूंट 384M x 16 - -
MT35XL256ABA2G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL256ABA2G12-0AAT -
सराय
ECAD 4365 0.00000000 तमाम XCCELA ™ - MT35X थोक तंग -40 ° C ~ 105 ° C सतह rurcur 24-टीबीजीए Mt35xl256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - Rohs3 आजthabaira तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 XCCELA बस -
M29F080D70N6E Micron Technology Inc. M29F080D70N6E -
सराय
ECAD 3407 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 40-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी rana) M29F080 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 40- - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 120 सराय 8mbit 70 एनएस चमक 1 सिया x 8 तपस्वी 70NS
MT28FW512ABA1HJS-0AAT TR Micron Technology Inc. MT28FW512ABA1HJS-0AAT TR -
सराय
ECAD 5260 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28FW512 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 सराय 512MBIT 105 एनएस चमक 32 सिया x 16 तपस्वी 60NS
MT49H32M18BM-33:B Micron Technology Inc. MT49H32M18BM-33: बी: बी -
सराय
ECAD 8561 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H32M18 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-ofbga (18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 2266-MT49H32M18BM-33: बी Ear99 8542.32.0024 1,000 ३०० तंग सराय 576MBIT 20 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
MT47H128M16RT-25E:C Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E: c 14.6300
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 84-TFBGA MT47H128M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-((9x12.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,260 ४०० सराय सराय 2 जीबिट 400 पीएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT53D4DHSB-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DHSB-DC TR -
सराय
ECAD 6412 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay Mt53d4 - तमाम 0000.00.0000 2,000
MT41K1G4RH-107:E TR Micron Technology Inc. MT41K1G4RH-107: E TR -
सराय
ECAD 1743 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41K1G4 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट 1 जी x 4 तपस्वी -
JS28F256P33BFA Micron Technology Inc. JS28F256P33BFA -
सराय
ECAD 2636 0.00000000 तमाम एकmuth ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F256P33 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0051 576 40 सराय सराय 256Mbit 105 एनएस चमक 16 सिया x 16 तपस्वी 105NS
RC28F00AP30TFA Micron Technology Inc. RC28F00AP30TFA -
सराय
ECAD 8947 0.00000000 तमाम एकmuth ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए RC28F00 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 64-((8x10) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 ५२ सराय सराय 1gbit 100 एनएस चमक 64 सिया x 16 तपस्वी 100NS
MT53B512M64D8HR-053 WT:B Micron Technology Inc. MT53B512M64D8HR-053 WT: B -
सराय
ECAD 3019 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
MT49H32M18CSJ-18:B Micron Technology Inc. MT49H32M18CSJ-18: बी: बी -
सराय
ECAD 5486 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H32M18 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-((18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 ५३३ सरायम सराय 576MBIT 15 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AECDBJ4-6ITR: D TR -
सराय
ECAD 8718 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १६६ सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
EDB2432BCPE-8D-F-D Micron Technology Inc. EDB2432BCPE-8D-FD -
सराय
ECAD 9423 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 168-WFBGA EDB2432 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,680 ४०० सराय सराय 2 जीबिट घूंट 64 सिया x 32 तपस्वी -
MT41J512M8THU-187E:A Micron Technology Inc. MT41J512M8THU-187E: ए -
सराय
ECAD 3473 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 82-एफबीजीए MT41J512M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट 13.125 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी -
MT48LC16M8A2BB-6A XIT:L Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2BB-6A XIT: L -
सराय
ECAD 9224 0.00000000 तमाम - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA MT48LC16M8A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 60-TFBGA (8x16) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0002 1,650 167 अय्यर सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 8 तपस्वी 12NS
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADYAMD-5 TR TR -
सराय
ECAD 9067 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 130-वीएफबीजीए MT29C1G12 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-((8x9) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सींग 1GBIT (NAND), 512Mbit (LPDRAM) अफ़म, रत्न 64M x 16 (NAND), 16M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम