SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCDBJ5-6R: D TR -
सराय
ECAD 2991 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur - MT29F256G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 अय्यर सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
MT29F8G08ABABAM61A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F8G08ABABAM61A3WC1 -
सराय
ECAD 2186 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur शराबी MT29F8G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V शराबी - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1 सराय 8gbit चमक 1 जी x 8 तपस्वी -
MT58L128L32F1T-8.5 Micron Technology Inc. MT58L128L32F1T-8.5 3.0700
सराय
ECAD 3090 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp MT58L128L32 शिर 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 सराय सराय 4Mbit 8.5 एनएस शिर 128K x 32 तपस्वी -
MT61K256M32JE-12:A Micron Technology Inc. MT61K256M32JE-12: ए -
सराय
ECAD 4229 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 180-TFBGA MT61K256 SGRAM - GDDR6 1.31V ~ 1.39V 180-‘(12x14) तंग Ear99 8542.32.0071 1,260 1.5 GHz सराय 8gbit तमाम २५६ वायर x ३२ तपस्वी -
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-046 WT ES: E TR -
सराय
ECAD 2760 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 556-WFBGA MT53D512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 २.१३३ सरायम सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
M29F016D70N6 Micron Technology Inc. M29F016D70N6 -
सराय
ECAD 1553 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 40-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी rana) M29F016 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 40- - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 120 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 2 सींग x 8 तपस्वी 70NS
MT29F32G08AFACAWP-ITZ:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AFACAWP-ITZ: C TR -
सराय
ECAD 8125 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F32G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 तपस्वी -
MT29F64G08AEEDBJ4-12:D Micron Technology Inc. MT29F64G08AEEDBJ4-12: डी -
सराय
ECAD 6386 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,120 83 सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
MT29C8G96MAZBADKD-5 WT Micron Technology Inc. MT29C8G96MAZBADKD-5 WT -
सराय
ECAD 5806 0.00000000 तमाम - थोक शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए MT29C8G96 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 २०० सराय सींग 8GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) अफ़म, रत्न 512M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
MTFC8GLWDQ-3L AAT Z TR Micron Technology Inc. MTFC8GLWDQ-3L AAT Z TR -
सराय
ECAD 2429 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए Mtfc8 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
PC28F256G18AF TR Micron Technology Inc. PC28F256G18AF TR -
सराय
ECAD 8944 0.00000000 तमाम Strataflash ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F256 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 64-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १३३ सराय सराय 256Mbit 96 एनएस चमक 16 सिया x 16 तपस्वी 96NS
MT29F1G01AAADDH4-ITX:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G01AAADDH4-ITX: D TR -
सराय
ECAD 7275 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G01 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 1gbit चमक 1 जी x 1 एसपीआई -
MT48LC8M16A2P-7E IT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-7E IT: L TR -
सराय
ECAD 8885 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC8M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 14NS
MT41J64M16JT-15E AAT:G TR Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-15E AAT: G TR -
सराय
ECAD 8800 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41J64M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-((8x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 667 तंग सराय 1gbit घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी -
MT53B384M32D2NP-062 AAT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 AAT: B -
सराय
ECAD 9672 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53B384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
MT41K256M8DA-107 IT:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-107 IT: K TR -
सराय
ECAD 7395 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 933 सरायम सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी -
MT53D1024M64D8PM-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8PM-053 WT: D TR -
सराय
ECAD 4876 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D1024 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz सराय 64gbit घूंट 1 जी x 64 - -
MTFC32GAKAEDQ-AAT Micron Technology Inc. MTFC32GAKAEDQ-AAT -
सराय
ECAD 1074 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए Mtfc32g फmume - नंद - 100-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 एमएमसी -
JS28F512M29EWLB TR Micron Technology Inc. JS28F512M29EWLB TR -
सराय
ECAD 7766 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F512M29 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 सराय 512MBIT 110 एनएस चमक 64 पर X 8, 32 THER X 16 तपस्वी 110NS
MT41K256M8HX-15E:D Micron Technology Inc. MT41K256M8HX-15E: D -
सराय
ECAD 8835 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 667 तंग सराय 2 जीबिट 13.5 एनएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी -
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR -
सराय
ECAD 5490 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर MT29VZZZAD8 - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,000
MT29F32G08CBACAL73A3WC1PV Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAL73A3WC1PV -
सराय
ECAD 8145 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur शराबी MT29F32G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V शराबी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 तपस्वी -
MT40A1G16KNR-075 IT:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G16KNR-075 IT: E TR 23.9400
सराय
ECAD 3355 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((7.5x13.5) - 557-MT40A1G16KNR-075IT: ETR 2,000 १.३३३ सरायम सराय 16Gbit 19 एनएस घूंट 1 जी x 16 तपस्वी 15NS
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NZ-046 WT ES: E -
सराय
ECAD 5519 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 376-WFBGA MT53D1G64 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,190 २.१३३ सरायम सराय 64gbit घूंट 1 जी x 64 - -
MT53D384M32D2DS-053 AAT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AAT: E TR -
सराय
ECAD 4235 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
MT29F4G01AAADDHC:D Micron Technology Inc. MT29F4G01AAADDHC: डी -
सराय
ECAD 6920 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F4G01 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((10.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 सराय 4 जीबिट चमक 4 जी x 1 एसपीआई -
MTFC16GLWDQ-4M AIT Z TR Micron Technology Inc. MTFC16GLWDQ-4M AIT Z TR -
सराय
ECAD 4227 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए Mtfc16g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR Micron Technology Inc. MT29E512G08CKCCBH7-6: C TR -
सराय
ECAD 5665 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 152-टीबीजीए MT29E512G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 अय्यर सराय 512GBIT चमक 64G x 8 तपस्वी -
MT42L32M16D1AB-25 IT:A TR Micron Technology Inc. MT42L32M16D1AB-25 IT: A TR 5.5914
सराय
ECAD 5602 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 121-WFBGA MT42L32M16 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 121-((6.5x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000 ४०० सराय सराय 512MBIT घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी - तमाम नहीं है
MT49H32M18CFM-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18CFM-25E: B TR -
सराय
ECAD 9954 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H32M18 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-ofbga (18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 ४०० सराय सराय 576MBIT 15 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम