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कनम (70838)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़सि तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
R1EX24128ASAS0I#S0 Renesas Electronics America Inc R1EX24128ASAS0I#S0 4.2300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रेनसस अयस्करस * थोक शिर तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) सराय Ear99 8542.32.0051 2,500
M29W800DT70N6E Micron Technology Inc. M29W800DT70N6E -
सराय
 ECAD 2663 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W800 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 8mbit 70 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 70NS
70121S55J Renesas Electronics America Inc 70121S55J -
सराय
 ECAD 9971 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 52-जे (जे-लीड) 70121S55 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 52-PLCC (19.13x19.13) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 24 सराय 18kbit 55 एनएस शिर 2K x 9 तपस्वी 55NS
CY7S1041G30-10ZSXI Cypress Semiconductor Corp CY7S1041G30-10ZSXI -
सराय
 ECAD 1668 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) CY7S1041 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग 1 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 10NS तमाम नहीं है
AT25DF021-MHF-Y Adesto Technologies AT25DF021-MHF-Y -
सराय
 ECAD 9339 0.00000000 एडेसmuth टेक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar AT25DF021 चमक 2.3V ~ 3.6V 8-UDFN (5x6) तंग 3 (168 घंटे) AT25DF021-MHF-YAD Ear99 8542.32.0071 490 ५० सभा सराय 2mbit चमक 256K x 8 एसपीआई 7s, 5ms
AS7C3256A-12TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-12TINTR 2.1024
सराय
 ECAD 2656 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 28-TSSOP (0.465 ", 11.80 मिमी antau AS7C3256 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 28-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 1,000 सराय 256kbit 12 एनएस शिर 32K x 8 तपस्वी 12NS
BR24S32FVT-WE2 Rohm Semiconductor BR24S32FVT-WE2 0.5502
सराय
 ECAD 8829 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) BR24S32 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz सराय 32kbit ईपॉम 4K x 8 मैं एसी 5ms
24AA16-E/P Microchip Technology 24AA16-E/P 0.5800
सराय
 ECAD 7494 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) 24AA16 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-पीडीआईपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 60 400 kHz सराय 16kbit 900 एनएस ईपॉम 2k x 8 मैं एसी 5ms
IS61QDPB42M36A2-550B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A2-550B4L -
सराय
 ECAD 9366 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA Is61qdpb42 Sram - कthama theircut 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 ५५० सराय सराय 72MBIT शिर 2 सींग x 36 तपस्वी -
IS61LPS51236B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236B-200TQLI-TR 13.9821
सराय
 ECAD 1941 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LPS51236 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 २०० सराय सराय 18mbit 3 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT TR Micron Technology Inc. MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT TR -
सराय
 ECAD 7320 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए MT29C4G96 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०8 सींग 4 जीबिट (नंद), 4 जीबिट (therएम) अफ़म, रत्न 256M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
23LCV512-I/ST Microchip Technology 23lcv512-i/st 2.2200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 23LCV512 Sram - सिंकthirोनस 2.5V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 23lcv512ist Ear99 8542.32.0051 100 २० सभा सराय 512kbit शिर 64K x 8 Spi - rurी i/o -
IS43TR16640C-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640C-125JBLI-TR 3.2532
सराय
 ECAD 3497 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR16640C-125JBLI-TR Ear99 8542.32.0032 1,500 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
CG8152AAT Infineon Technologies CG8152AAT -
सराय
 ECAD 2616 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 1,000
M27W401-80N6 STMicroelectronics M27W401-80N6 -
सराय
 ECAD 4105 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) M27W401 EPROM - OTP 2.7V ~ 3.6V 32-टॉप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 8542.32.0061 156 सराय 4Mbit 80 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी -
71321LA55J8 Renesas Electronics America Inc 71321LA55J8 -
सराय
 ECAD 4255 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 52-जे (जे-लीड) 71321LA Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 52-PLCC (19.13x19.13) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 400 सराय 16kbit 55 एनएस शिर 2k x 8 तपस्वी 55NS
CY7C1297S-133AXC Infineon Technologies CY7C1297S-133AXC -
सराय
 ECAD 5191 0.00000000 इंफीनन टेक - कसना शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp CY7C1297 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) - Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 १३३ सराय सराय 1mbit शिर 64K x 18 तपस्वी -
IS43TR16512B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512B-125KBLI 26.1600
सराय
 ECAD 658 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-((10x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1657 Ear99 8542.32.0036 136 800 तंग सराय 8gbit 20 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी -
S25FL116K0XMFIQ10 Infineon Technologies S25FL116K0XMFIQ10 -
सराय
 ECAD 2009 0.00000000 इंफीनन टेक FL1-k शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) S25FL116 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 280 108 सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 3ms
CY7C1265V18-450BZC Infineon Technologies CY7C1265V18-450BZC -
सराय
 ECAD 7411 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1265 SRAM - सिंक TIRोनस, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) - रोहस 1 (असीमित) तमाम -Cy7c1265v18 3A991B2A 8542.32.0041 105 ४५० सराय सराय 36mbit शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
BR25H128F-5ACE2 Rohm Semiconductor BR25H128F-5ACE2 0.8200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-सेप तंग 1 (असीमित) तमाम 2,500 २० सभा सराय 128kbit ईपॉम 16K x 8 एसपीआई 3.5ms
W25Q01NWZEIM Winbond Electronics W25Q01NWZEIM 10.1250
सराय
 ECAD 9847 0.00000000 इलेक Spiflash® शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana W25Q01 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 1.95V 8-WSON (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25Q01NWZEIM 3A991B1A 8542.32.0071 480 १३३ सराय सराय 1gbit 7 एनएस चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 3ms
TH58BVG2S3HBAI6 Kioxia America, Inc. TH58BVG2S3HBAI6 6.3600
सराय
 ECAD 3774 0.00000000 कनपरा बेनेंड ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 67-वीएफबीजीए TH58BVG2 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 67-((6.5x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 338 सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 - -
W29GL064CT7B Winbond Electronics W29GL064CT7B -
सराय
 ECAD 5983 0.00000000 इलेक - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए W29GL064 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-LFBGA (11x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 171 सराय 64mbit 70 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी 70NS
CY7C1412KV18-300BZC Infineon Technologies CY7C1412KV18-300BZC -
सराय
 ECAD 9035 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1412 SRAM - सिंक TIRोनस, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-((13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 136 ३०० तंग सराय 36mbit शिर 2 सींग x 18 तपस्वी -
AT24C08BN-SH-B Microchip Technology AT24C08BN-SH-B -
सराय
 ECAD 4785 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) AT24C08 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 1 सराय सराय 8kbit 550 एनएस ईपॉम 1k x 8 मैं एसी 5ms
IS46R16320D-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-6TLA2 11.0031
सराय
 ECAD 6109 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS46R16320 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 108 १६६ सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
S29GL01GS11DHSS20 Infineon Technologies S29GL01GS11DHS20 12.4950
सराय
 ECAD 4206 0.00000000 इंफीनन टेक GL-S शिर शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए S29GL01 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-((9x9) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,600 सराय 1gbit 110 एनएस चमक 64 सिया x 16 तपस्वी 60NS
CAT93C46RBHU4IGT3 onsemi Cat93c46rbhu4igt3 -
सराय
 ECAD 7075 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran Cat93c46 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-UDFN-EP (2x3) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 8542.32.0051 3,000 ४ सभ्य सराय 1kbit ईपॉम 128 x 8, 64 x 16 अफ़सस -
IS43TR16512AL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-107MBLI-TR -
सराय
 ECAD 5090 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-LFBGA (10x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR16512AL-107MBLI-TR Ear99 8542.32.0036 2,000 933 सरायम सराय 8gbit 20 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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