SIC
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बिजली rayrबंधन (पीएमआईसी पीएमआईसी) (1138)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम तमाम अफ़रप कांपना तकनीकी सराय वोलmume - इनपुट वोलmus - इनपुट (अधिकतम (अधिकतम) अफ़स्या तमाम सना - इनपुट: आउटपुट वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराय - आउटपुट / चैनल सराय वोलmume - rurcun (वीसीसी/वीडीडी) एक प्रकार का अँगुला सराय - quiescent (iq) सराफक - शयरा (अधिकतम) Rayr स टोपोलॉजी दोष rayraugun तिहाई वोलmut - r आपू शेरस (अधिकतम) कॉन kburेशन तमाम Rayrडीएस rayr तमाम अफ़सरी सराफा, तेरहम - Rayr संकल मंद वोलmus - rabun वोलmume - आउटपुट तमाम सराफक - आउटपुट (अधिकतम) वोलmus - आउटपुट पारी - 0.1Hz से 10Hz परा - 10Hz से 10kHz वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) तंग वोलth ड तंग करना सराय
TB6633AFNG,C8EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6633AFNG, C8EL 2.4300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 24-((0.220 ", 5.60 मिमी ranak) TB6633 तमाम 5.5V ~ 22V 24-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली एक प्रकार का सना 1 क 5.5V ~ 22V - बmurशलेस डीसी (Bldc) -
TB6552FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6552FTG, 8, EL 0.6489
सराय
 ECAD 1259 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 16-wfqfn ने पैड को को ranahir ran TB6552 तमाम 2.7V ~ 5.5V 16-WQFN (3x3) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली पीडबmu, rayrियल सना 800ma 2.5V ~ 13.5V - बtrश डीसी -
TCR2EN105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105, LF -
सराय
 ECAD 3845 0.00000000 तमाम TCR2EN R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFDFN SANAHAR THE TCR2EN105 5.5V तय 4-((0.8x0.8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 1.05V - 1 0.75V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TCR2LE285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE285, LM (सीटी ((() 0.3900
सराय
 ECAD 923 0.00000000 तमाम TCR2LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-553 TCR2LE285 5.5V तय तमाम तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 2.85V - 1 0.38V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TA48018BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48018BF (T6L1, NQ) -
सराय
 ECAD 5230 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TA48018 16 वी तय पीडब-k-मोल - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 अराय २० सना हुआ - तमाम 1 क 1.8V - 1 1.6V @ 1a (rana) 66DB (120Hz) अफ़रप, तंग
TCR2EN125,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN125, LF (SE 0.3800
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFDFN SANAHAR THE 5.5V तय 4-((0.8x0.8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 1.25V - 1 0.55V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TCR3UG41A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG41A, LF 0.1261
सराय
 ECAD 9982 0.00000000 तमाम TCR3UG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG41 5.5V तय 4-WCSP-F (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 680 अराय कांपना तमाम 300ma 4.1v - 1 0.228V @ 300ma 70DB (1KHz) अफ़रपती, शय्यरह, शेर के लिए, तेरहमक,
TC78H651AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651AFNG, EL 1.2900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 16-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) TC78H651 डीएमओएस - 16-टीएसएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली - सना 2 ए 1.8V ~ 7.5V बtrश डीसी -
TB6562ANG Toshiba Semiconductor and Storage TB6562ANG -
सराय
 ECAD 7296 0.00000000 तमाम - नली शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम होल के kaytaumauth से 24-((0.300 ", 7.62 मिमी) TB6562 डीएमओएस 10v ~ 34V 24-एसडीआईपी तंग 1 (असीमित) TB6562Ang (O) Ear99 8542.39.0001 100 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 1.5 ए 10v ~ 34V तमाम - 1, 1/2, 1/4
TB6585FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6585FTG, 8, EL 1.9179
सराय
 ECAD 5030 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TB6585 तंग Rohs3 आजthabaira TB6585FTG8EL Ear99 8542.39.0001 2,000
TC62D776CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D776CFG, EL -
सराय
 ECAD 1759 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - सतह rurcur 24-((0.236 ", 6.00 मिमी ranak) रत्न TC62D776 - 24-एसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1,000 90ma 16 तमाम क्योरहम 5.5V - 3 वी 17v
TB6584AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6584AFNG, C8, EL 1.4384
सराय
 ECAD 9200 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TB6584 तंग Rohs3 आजthabaira TB6584AFNGC8EL Ear99 8542.39.0001 2,000
TC78B042FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B042FTG, EL 2.1300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 115 ° C सटरी सतह rurcur 32-vfqfn ने पैड को को ranahir rana TC78B042 - 6v ~ 16.5V 32-VQFN (5x5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 नियंतmurक - गति कांपना उचmun lect, पक कम पक पक 2ma 4.5V ~ 5.3V अफ़र्याश बmurशलेस डीसी (Bldc) -
TC78B016FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B016FTG, EL 4.2300
सराय
 ECAD 5728 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C तमाम सतह rurcur 36-wfqfn ने पैड को को ranahir ran TC78B016 तमाम 0V ~ 5.5V 36-WQFN (5x5) तंग Rohs3 आजthabaira Ear99 8542.39.0001 5,000 सटरी - क्यूट, अटैच, कांपना सराफक -शाप - अवा (3) 3 ए 6v ~ 30v - बmurशलेस डीसी (Bldc) -
TCR3DF18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF18, सीटी (((((((() 0.4200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम TCR3DF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR3DF18 5.5V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µa 78 µa कांपना तमाम 300ma 1.8V - 1 0.4V @ 300mA 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TA76431AS,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS, T6WNLF (J) -
सराय
 ECAD 8844 0.00000000 तमाम - थोक शिर - -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA76431 - - - - एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR3DF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF25, LM (सीटी ((((() 0.3800
सराय
 ECAD 8549 0.00000000 तमाम TCR3DF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR3DF25 5.5V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µa 78 µa कांपना तमाम 300ma 2.5V - 1 0.31V @ 300mA 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TCR2EE24,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE24, LM (सीटी ((((() 0.3700
सराय
 ECAD 41 0.00000000 तमाम TCR2EE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SOT-553 Tcr2ee24 5.5V तय तमाम तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 2.4V - 1 0.31V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TB6640FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6640FTG, EL 2.8900
सराय
 ECAD 3540 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C तमाम सतह rurcur 48-wfqfn ने पैड को को ranahir ran TB6640 डीएमओएस 3V ~ 5.5V 48-WQFN (7x7) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली कांपना सना 1 क 4.5V ~ 38V तमाम बmurशलेस डीसी (Bldc) -
TCK22892G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22892G, LF 0.1643
सराय
 ECAD 2432 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 6-UFBGA, WLCSP अफ़मार TCK22892 तमाम पी-पी 11 6-WCSPE (0.80x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 1 सराफकस, उचmuth पक 31MOHM 1.4V ~ 5.5V तमाम 740MA
TB6560AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFTG, 8, एल -
सराय
 ECAD 3195 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 48-वीएफक TB6560 तमाम 4.5V ~ 5.5V 48-QFN (7x7) तंग रोहस अफ़मार 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 2,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 1.5 ए 4.5V ~ 34V तमाम - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
TCR5AM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr5am33, lf 0.1357
सराय
 ECAD 6086 0.00000000 तमाम Tcr5am R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XDFN SATHARY TCR5AM33 5.5V तय 5-((1.2x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 68 µa कांपना तमाम 500ma 3.3 - 1 0.43V @ 500ma 70db ~ 40db (1kHz ~ 10Hz) सराफकस
TA78L005AP(TE6,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP (TE6, F, M -
सराय
 ECAD 9780 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78L005 35V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 6 सना हुआ - तमाम 150ma 5V - 1 1.7V @ 40ma (rana) 49DB (120Hz) -
TCR2LF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF10, सीटी (सीटी ((((() 0.0721
सराय
 ECAD 6884 0.00000000 तमाम TCR2LF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2LF10 5.5V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 1V - 1 1.4V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TCR2LF18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF18, सीटी ((((((((() 0.3900
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम TCR2LF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2LF18 5.5V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 1.8V - 1 0.62V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TCK107AF,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK107AF, LF 0.4800
सराय
 ECAD 252 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur SC-74A, SOT-753 - TCK107 - - - एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 - - - - - 63MOHM 1.1V ~ 5.5V - 1 क
TBD62083AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFG, EL 1.3600
सराय
 ECAD 8193 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 18-शिक (0.276 ", 7.00 मिमी ranak) - TBD62083 तमाम n- चैनल 11 18-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 8 - निमmuth पक - 50v (अधिकतम) तमाम 500ma
TCR2EF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF28, LM (सीटी ((((() 0.3300
सराय
 ECAD 6239 0.00000000 तमाम TCR2EF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2EF28 5.5V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 2.8V - 1 0.23V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TA58L09S,LS2PAIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L09S, LS2PAIQ (M) -
सराय
 ECAD 4900 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TA58L09 29V तय To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 1 तंग ५० सदा - तमाम 250ma 9V - 1 0.4V @ 200ma - अफ़रप, तंग
TCK22946G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22946G, LF 0.5100
सराय
 ECAD 28 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 6-UFBGA, WLCSP अफ़मार TCK22946 तमाम पी-पी 11 6-WCSPE (0.80x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 1 सराफकस, (अफ़्रू), अय्यरामन उचmuth पक 31MOHM 1.1V ~ 5.5V तमाम 400ma
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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