SIC
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बिजली rayrबंधन (पीएमआईसी पीएमआईसी) (1138)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कड़ा सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम तमाम अफ़रप कांपना तकनीकी सराय वोलmume - इनपुट वोलmus - इनपुट (अधिकतम (अधिकतम) अफ़स्या तमाम Sic पtrauranurauth योग सना - इनपुट: आउटपुट वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराय - आउटपुट / चैनल सराय वोलmume - rurcun (वीसीसी/वीडीडी) एक प्रकार का अँगुला सराय - quiescent (iq) सराफक - शयरा (अधिकतम) अफ़रप Rayr स टोपोलॉजी दोष rayraugun तिहाई वोलmut - r आपू शेरस (अधिकतम) कॉन kburेशन तमाम Rayrडीएस rayr तमाम तंग सराय तमाम लॉजिक वोल वोल, विल, विह, विह, विह सराफक - पीक आउटपुट आउटपुट (स स (स) वृदth वृद अफ़सरी सराफा, तेरहम - Rayr संकल मंद वोलmus - rabun वोलmume - आउटपुट तमाम सराफक - आउटपुट (अधिकतम) वोलmus - आउटपुट पारी - 0.1Hz से 10Hz परा - 10Hz से 10kHz वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) तंग वोलth ड तंग करना सराय
TCR2LF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF13, एलएम ((((((((() 0.3800
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम TCR2LF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2LF13 5.5V तय एसएमवी तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 1.3V - 1 1.13V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TCK301G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK301G, LF 1.1500
सराय
 ECAD 7356 0.00000000 तमाम TCK30 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 9-UFBGA, WLCSP सthun reyr नियंतtr, TCK301 - n- चैनल 11 9-WCSP (1.5x1.5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 1 तमाम, शयरा उचmuth पक 73MOHM 2.3V ~ 28V तमाम 3 ए
TCR2EF135,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF135, LM (सीटी ((((() 0.3300
सराय
 ECAD 3206 0.00000000 तमाम TCR2EF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2EF135 5.5V तय एसएमवी तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 1.35V - 1 - 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TCR3DM28,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM28, LF (SE 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-udfn ने पैड को को ranahar 5.5V तय 4-((1x1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 कांपना तमाम 300ma 2.8V - 1 0.25V @ 300mA - अफ़रप, तंग
TB6562ANG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6562Ang, 8 3.5735
सराय
 ECAD 3561 0.00000000 तमाम - नली शिर -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम होल के kaytaumauth से 24-((0.300 ", 7.62 मिमी) TB6562 डीएमओएस 10v ~ 34V 24-एसडीआईपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 500 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 1.5 ए 10v ~ 34V तमाम बtrश डीसी 1, 1/2, 1/4
TA78L005AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP, WNLF (J) -
सराय
 ECAD 8329 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78L005 35V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 6 सना हुआ - तमाम 150ma 5V - 1 1.7V @ 40ma (rana) 49DB (120Hz) -
TA76L431S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S, Q (J (J (J) -
सराय
 ECAD 9072 0.00000000 तमाम - थोक शिर - -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA76L431 - - - - एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TB62215AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFNG, C8, EL 3.6500
सराय
 ECAD 4786 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 48-TFSOP (0.240 ", 6.10 मिमी rana) TB62215 तमाम 4.75V ~ 5.25V 48-HTSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 3 ए 10v ~ 38v तमाम - 1, 1/2, 1/4
TCR3DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG33, LF 0.1054
सराय
 ECAD 3467 0.00000000 तमाम TCR3DG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 4-XFBGA, CSPBGA TCR3DG33 5.5V तय 4-WCSPE (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 65 µa 78 µa - तमाम 300ma 3.3 - 1 0.215V @ 300mA 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TCR2LF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF15, सीटी (((((((() 0.0742
सराय
 ECAD 8105 0.00000000 तमाम TCR2LF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2LF15 5.5V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 1.5V - 1 1.13V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TCR5SB33A(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TCR5SB33A (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 5687 0.00000000 तमाम TCR5SB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR5SB33 6V तय एसएमवी - 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 75 µa कांपना तमाम 150ma 3.3 - 1 0.19V @ 50ma 80DB (1KHz) अफ़र्याशियस
TCR8BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11A, L3F 0.1628
सराय
 ECAD 8877 0.00000000 तमाम TCR8BM R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XDFN SATHARY TCR8BM11 5.5V तय 5-((1.2x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µa सराफक, अफ़म तमाम 800ma 1.1V - 1 0.245V @ 800ma 98DB (1KHz) सराफकस
TCR8BM30A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM30A, L3F 0.4600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम TCR8BM R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XDFN SATHARY 5.5V तय 5-((1.2x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µa सराफक, अफ़म तमाम 800ma 3 वी - 1 0.285V @ 800ma - सराफकस
TB67S149HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149HG 6.6200
सराय
 ECAD 3968 0.00000000 तमाम - शिर शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम होल के kaytaumauth से 25-गठित गठित लीड TB67S149 तमाम 4.75V ~ 5.25V 25-हजिप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 17 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 3 ए 10v ~ 40v शिर - 1 ~ 1/32
TB67S512FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S512FTAG, EL 2.7700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 36-wfqfn ने पैड को को ranahir ran TB67S512 तमाम 2V ~ 5.5V 36-WQFN (6x6) तंग Rohs3 आजthabaira Ear99 8542.39.0001 4,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली कांपना सराफक -शाप - अवा (4) 2 ए 10v ~ 35V तमाम बtrश डीसी 1, 1/2, 1/4
TBD62064AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064AFG, EL 1.6700
सराय
 ECAD 31 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-((0.252 ", 6.40 मिमी ranak) + 2 हीट टैब - TBD62064 तमाम n- चैनल 11 16-एचएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1,500 आवश आवश नहीं नहीं बंद 4 - निमmuth पक 430MOHM 50v (अधिकतम) तमाम 1.25 ए
TCR3DM33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33, LF (SE 0.4800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-udfn ने पैड को को ranahar 5.5V तय 4-((1x1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 कांपना तमाम 300ma 3.3 - 1 0.23V @ 300mA - अफ़रप, तंग
TC78H610FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H610FNG, EL 0.7509
सराय
 ECAD 6522 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 16-एलएसएसओपी (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TC78H610 डीएमओएस 2.7V ~ 5.5V 16-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 800ma 2.5V ~ 15V - बtrश डीसी -
TCR5BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM105, L3F 0.4100
सराय
 ECAD 333 0.00000000 तमाम TCR5BM R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XDFN SATHARY TCR5BM105 5.5V तय 5-((1.2x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µa कांपना तमाम 500ma 1.05V - 1 0.14V @ 500mA 98DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TA76431S,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S, F (J (J) -
सराय
 ECAD 3997 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA76431 - कांपना एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - तमाम - 2.495V 36V 1 - - -
TPD7107F,BXH Toshiba Semiconductor and Storage TPD7107F, BXH 1.3254
सराय
 ECAD 8343 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur 10-wfdfn ने पैड को को ranahir rada TPD7107 तमाम तमाम नहीं है 5.75V ~ 26V 10-WSON (3x3) तंग Ear99 8542.39.0001 4,000 कसना कसना 1 एन-एन mosfet 0.6V, 2.4V 5ma -
TCR2EE285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE285, LM (सीटी ((((() 0.0680
सराय
 ECAD 1344 0.00000000 तमाम TCR2EE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SOT-553 TCR2EE285 5.5V तय तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 2.85V - 1 0.23V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
KIA78L12BP Toshiba Semiconductor and Storage KIA78L12BP -
सराय
 ECAD 3569 0.00000000 तमाम * थोक शिर Kia78 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1
TC62D748CFNAG,C,EB Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFNAG, C, EB -
सराय
 ECAD 8057 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - सतह rurcur 24-एसएसओपी (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) रत्न TC62D748 - 24-एसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 90ma 16 तमाम क्योरहम 5.5V - 3 वी 17v
TB6614FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6614FNG, C, EL -
सराय
 ECAD 4247 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 16-एलएसएसओपी (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TB6614 तमाम 2.7V ~ 5.5V 16-एसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 1 क 2.5V ~ 13.5V - बtrश डीसी -
TCR2EF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF10, LM (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 20 0.00000000 तमाम TCR2EF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2EF10 5.5V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 1V - 1 0.77V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TA78L009AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L009AP, F (J (j (j (j (j (j (j) -
सराय
 ECAD 6702 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78L009 35V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 ६.५ सना हुआ - तमाम 150ma 9V - 1 1.7V @ 40ma (rana) 44DB (120Hz) अफ़र्याशियस
TCR2EE31,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE31, LM (CT (ct (ct (ct (ct (ct) 0.0680
सराय
 ECAD 4405 0.00000000 तमाम TCR2EE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SOT-553 TCR2EE31 5.5V तय तमाम तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 3.1V - 1 0.2V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TCR2LE115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE115, LM (सीटी ((((() 0.0742
सराय
 ECAD 6644 0.00000000 तमाम TCR2LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-553 5.5V तय तमाम तंग Rohs3 आजthabaira Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 1.15V - 1 1.3V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TAR5S18U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S18U (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 388 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी (5 लीड), किल्कस लीड TAR5S18 15V तय यूएफवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µa कांपना तमाम 200MA 1.8V - 1 - 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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