SIC
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बिजली rayrबंधन (पीएमआईसी पीएमआईसी) (1138)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार तमाम तमाम अफ़रप तकनीकी वोलmus - इनपुट (अधिकतम (अधिकतम) अफ़स्या सना - इनपुट: आउटपुट वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम वोलmume - rurcun (वीसीसी/वीडीडी) एक प्रकार का अँगुला सराय - quiescent (iq) सराफक - शयरा (अधिकतम) दोष rayraugun तिहाई कॉन kburेशन तमाम Rayrडीएस rayr तमाम अफ़सरी सराफा, तेरहम - Rayr संकल तमाम सराफक - आउटपुट (अधिकतम) वोलmus - आउटपुट वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) तंग वोलth ड तंग करना सराय
TCR3DG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG10, lf 0.1054
सराय
 ECAD 4302 0.00000000 तमाम TCR3DG R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 4-XFBGA, CSPBGA TCR3DG10 5.5V तय 4-WCSPE (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 65 µa 78 µa - तमाम 300ma 1V - 1 0.75V @ 300mA 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TCR3DM18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18, LF (SE 0.4800
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-udfn ने पैड को को ranahar 5.5V तय 4-((1x1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 कांपना तमाम 300ma 1.8V - 1 0.38V @ 300mA - अफ़रप, तंग
TB6584AFNG Toshiba Semiconductor and Storage TB6584AFNG -
सराय
 ECAD 3810 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम -30 ° C ~ 115 ° C (TA) सटरी सतह rurcur 30-((0.220 ", 5.60 मिमी ranak) TB6584 तमाम 6v ~ 16.5V 30-एसओपी तंग रोहस अफ़मार 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 2,000 सटरी - क्यूट, अटैच, तपस्वी सराफक -शाप - अवा (3) - - - बmurशलेस डीसी (Bldc) -
TCR2DG19,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG19, LF 0.1394
सराय
 ECAD 5190 0.00000000 तमाम TCR2DG R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-UFBGA, WLCSP 5.5V तय 4-WCSP (0.79x0.79) तंग Rohs3 आजthabaira Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µa कांपना तमाम 200MA 1.9V - 1 0.17V @ 100ma - अफ़रप, तंग
TCR2EN21,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN21, lf 0.0896
सराय
 ECAD 5019 0.00000000 तमाम TCR2EN R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFDFN SANAHAR THE TCR2EN21 5.5V तय 4-((0.8x0.8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 2.1V - 1 0.29V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TCR3UG08A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG08A, LF 0.4700
सराय
 ECAD 4143 0.00000000 तमाम TCR3UG R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG08 5.5V तय 4-WCSP-F (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 580 अराय कांपना तमाम 300ma 0.8V - 1 1.257V @ 300ma 70DB (1KHz) अफ़रपती, शय्यरह, शेर के लिए, तेरहमक,
TCR5AM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM105, LF 0.1344
सराय
 ECAD 1346 0.00000000 तमाम Tcr5am R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XDFN SATHARY TCR5AM105 5.5V तय 5-((1.2x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µa 68 µa कांपना तमाम 500ma 1.05V - 1 0.25V @ 500ma 70db ~ 40db (1kHz ~ 10Hz) सराफक, सश्चर, वोल ​​kastauna, वोलth लॉकआउट (यूवीएलओ) के
TA4800AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA4800AF (T6L1, Q) -
सराय
 ECAD 6637 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-252-6, DPAK (5 लीड + टैब) TA4800 16 वी कांपना 5-एचएसआईपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 अराय २० सना हुआ - तमाम 1 क 1.5V 9V 1 0.5V @ 500mA 63db (120Hz) अफ़रप, तंग
TCR3UG27A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG27A, LF 0.4700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम TCR3UG R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG27 5.5V तय 4-WCSP-F (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 680 अराय कांपना तमाम 300ma 2.7V - 1 0.327V @ 300ma 70DB (1KHz) अफ़रपती, शय्यरह, शेर के लिए, तेरहमक,
TB62213AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFTG, C8, EL 1.7398
सराय
 ECAD 3295 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 48-वीएफक TB62213 तमाम 4.75V ~ 5.25V 48-QFN (7x7) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 2,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 2.4 ए 10v ~ 38v तमाम - 1, 1/2, 1/4
TCK323G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK323G, LF 1.5000
सराय
 ECAD 16 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-UFBGA, CSPBGA सthun reyr नियंतtr, TCK323 - n- चैनल 2: 1 16-WCSPC (1.9x1.9) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 1 तमाम, शयरा उचmuth पक 98MOHM 2.3V ~ 36V तमाम 2 ए
TA78DS05CP,6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP, 6KEHF (एम एम -
सराय
 ECAD 2213 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78DS 33V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 1 तंग 1 तंग - तमाम 30ma 5V - 1 0.3V @ 10MA - सराफकस
TCR15AG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG30, LF 0.2294
सराय
 ECAD 8000 0.00000000 तमाम TCR15AG R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 6-XFBGA, WLCSP TCR15AG30 6V तय 6-WCSP (1.2x0.80) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µa कांपना तमाम 1.5 ए 3 वी - 1 0.648V @ 1.5a 95db ~ 60db (1kHz) सिरम्यहे, शेरस, उवलो, उवलो
TA58L05S(SUMIS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S (SUMIS, AQ) -
सराय
 ECAD 7219 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TA58L05 29V तय To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 1 तंग ५० सदा - तमाम 250ma 5V - 1 0.4V @ 200ma - अफ़रप, तंग
TB9120AFTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9120AFTG (EL) 4.0100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 125 ° C (TA) ऑटोमोटिव अफ़स 28-vqfn ने पैड को को ranahar rab TB9120 NMOS, PMOS 4.5v ~ 7v, 7v ~ 18v 28-VQFN (6x6) - 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 2,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तंग, पीडब्लूएम सराफक -शाप - अवा (4) 2.5a - तमाम बtrश डीसी 1, 1/2, 1/8, 1/16, 1/32
TCR3DM28,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM28, LF (SE 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-udfn ने पैड को को ranahar 5.5V तय 4-((1x1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 कांपना तमाम 300ma 2.8V - 1 0.25V @ 300mA - अफ़रप, तंग
TCR3UM28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM28A, LF 0.4500
सराय
 ECAD 100 0.00000000 तमाम TCR3UM R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-udfn ने पैड को को ranahar TCR3UM28 5.5V तय 4-((1x1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 680 अराय सराफक, अफ़्री तमाम 300ma 2.8V - 1 0.327V @ 300ma 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TB6562ANG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6562Ang, 8 3.5735
सराय
 ECAD 3561 0.00000000 तमाम - नली तमाम -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम होल के kaytaumauth से 24-((0.300 ", 7.62 मिमी) TB6562 डीएमओएस 10v ~ 34V 24-एसडीआईपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 500 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 1.5 ए 10v ~ 34V तमाम बtrश डीसी 1, 1/2, 1/4
TCR2LE10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE10, LM (सीटी ((() 0.0762
सराय
 ECAD 4093 0.00000000 तमाम TCR2LE R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-553 Tcr2le10 5.5V तय तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 1V - 1 1.4V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TCR2EF20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF20, LM (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 8680 0.00000000 तमाम TCR2EF R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2EF20 5.5V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 2 वी - 1 0.31V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TAR5S28UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S28UTE85LF 0.1804
सराय
 ECAD 8097 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी (5 लीड), किल्कस लीड TAR5S28 15V तय यूएफवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µa कांपना तमाम 200MA 2.8V - 1 0.2V @ 50ma 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TA78L005AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP, WNLF (J) -
सराय
 ECAD 8329 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78L005 35V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 6 सना हुआ - तमाम 150ma 5V - 1 1.7V @ 40ma (rana) 49DB (120Hz) -
TCR5AM095,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM095, LF 0.1344
सराय
 ECAD 9016 0.00000000 तमाम Tcr5am R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XDFN SATHARY TCR5AM095 5.5V तय 5-((1.2x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µa 68 µa कांपना तमाम 500ma 0.95V - 1 0.23V @ 500ma 70db ~ 40db (1kHz ~ 10Hz) सराफक, सश्चर, वोल ​​kastauna, वोलth लॉकआउट (यूवीएलओ) के
TCR2EE42,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE42, LM (सीटी ((((() 0.3700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम TCR2EE R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SOT-553 TCR2EE42 5.5V तय तमाम तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 4.2V - 1 0.2V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TC78H653FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H653FTG, EL 1.5600
सराय
 ECAD 35 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 105 ° C तमाम सतह rurcur 16-वीएफक TC78H653 डीएमओएस 1.8v ~ 7v 16-VQFN (3x3) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली - सना 4 ए 1.8v ~ 7v तमाम बtrश डीसी -
TB9083FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9083FTG (EL) 8.2600
सराय
 ECAD 53 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 150 ° C (TA) तमाम अफ़स 48-वीएफक तमाम 3V ~ 5.5V, 4.5V ~ 28V 48-VQFN (7x7) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 2,000 क्योरम - शेरक्य एसपीआई सराफक -शाप - अवा (3) - - अफ़र्याश बmurशलेस डीसी (Bldc) -
TCR3UF28A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF28A, LM (सीटी ((((() 0.4100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम TCR3UF R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR3UF28 5.5V तय एसएमवी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 680 अराय कांपना तमाम 300ma 2.8V - 1 0.342V @ 300mA 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
KIA78DL06PI Toshiba Semiconductor and Storage KIA78DL06PI -
सराय
 ECAD 7915 0.00000000 तमाम * नली तमाम Kia78 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 50
TC78S121FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S121FTG, EL 3.1400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 48-वीएफक TC78S121 तमाम 4.5V ~ 5.5V 48-QFN (7x7) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 2 ए 8v ~ 38v तमाम बtrश डीसी -
TBD62503AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503AFG, EL 1.4900
सराय
 ECAD 1663 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) - TBD62503 तमाम n- चैनल 11 16-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 7 - निमmuth पक - 50v (अधिकतम) तमाम 300ma
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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