SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शरारत तमाम तमाम अफ़रप तकनीकी सराय वोलmus - इनपुट (अधिकतम (अधिकतम) अफ़स्या Sic पtrauranurauth योग सराय सना - इनपुट: आउटपुट वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय सराफक - आउटपुट उच उच, कम तमाम सराय - quiescent (अधिकतम) कई ray -3db lectun अफ़सीरता सराफकम वोलmume - इनपुट ऑफसेट ऑफसेट वोलmut - rurcuth अवधि वोलmus - rurcun अवधि (अधिकतम) अँगुला वोलmume - rurcun (वीसीसी/वीडीडी) अफ़सस डrauraurों चापलूसी तंग - तंग एक प्रकार का अँगुला क्योरस अफ़रपर, v, v, अधिकतम सीएल सराय - quiescent (iq) सराफक - शयरा (अधिकतम) इनपुट लॉजिक लेवल - कम कम इनपुट इनपुट लेवल - सराय तमाम अयस्क अफ़रप टोपोलॉजी आवृतmut - सchas दोष rayraugun तिहाई कॉन kburेशन तंग तमाम Rayrडीएस rayr तमाम तंग सराय तमाम लॉजिक वोल वोल, विल, विह, विह, विह सराफक - पीक आउटपुट आउटपुट (स स (स) वृदth वृद अफ़सरी सराफा, तेरहम - Rayr संकल तमाम सराफक - आउटपुट (अधिकतम) वोलmus - आउटपुट वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmus - इनपुट तंग वोलth ड तंग करना सराय
TBD62304AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62304AFWG, EL 1.1500
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) - TBD62304 तमाम n- चैनल 11 16-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 4.5V ~ 5.5V बंद 7 - निमmuth पक 1.5OHM 50v (अधिकतम) तमाम 400ma
TB7101AF(T5L3.3,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF (T5L3.3, एफ) -
सराय
ECAD 3163 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TB7101 5.5V तय PS-8 (2.9x2.4) - 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम 1 बक 1 सराय तमाम तमाम 1 क 3.3 - 4.3V
TCK402G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK402G, LF 0.6200
सराय
ECAD 213 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 6-UFBGA, WLCSP TCK402 तमाम तमाम नहीं है 2.7V ~ 28V 6-WCSPE (0.80x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 कसना निमmuth पक 1 - 0.4V, 1.6V - 0.2ms, 1.5 और
TC7SH04FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH04FU, LJ -
सराय
ECAD 6045 0.00000000 तमाम TC7SH R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 - 7SH04 1 2V ~ 5.5V 5-एसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 तंग करना 8ma, 8ma 2 µa 1 7.5ns @ 5v, 50pf 0.5V 1.5V
TBD62083AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFWG, EL 1.1900
सराय
ECAD 5405 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 18-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) - TBD62083 तमाम n- चैनल 11 18-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 8 - निमmuth पक - 50v (अधिकतम) तमाम 500ma
TCR4DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG12, LF 0.5100
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम TCR4DG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG12 5.5V तय 4-WCSPE (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 कांपना तमाम 420ma 1.2V - 1 0.781V @ 420ma 70DB (1KHz) सराफक, तमामन
TC7W00FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W00FK, LF 0.1173
सराय
ECAD 8796 0.00000000 तमाम TC7W R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-((0.091 ", 2.30 मिमी ranak) - 7W00 2 2v ~ 6v 8-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) TC7W00FKLF Ear99 8542.39.0001 3,000 नंद गेट 5.2ma, 5.2ma 1 µa 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
TCR2LE10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE10, LM (सीटी ((() 0.0762
सराय
ECAD 4093 0.00000000 तमाम TCR2LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-553 Tcr2le10 5.5V तय तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 1V - 1 1.4V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TCR3DM28,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM28, LF (SE 0.4800
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-udfn ने पैड को को ranahar 5.5V तय 4-((1x1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 कांपना तमाम 300ma 2.8V - 1 0.25V @ 300mA - अफ़रप, तंग
TCR2EF14,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF14, LM (सीटी ((((() 0.3300
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम TCR2EF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2EF14 5.5V तय एसएमवी तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 1.4V - 1 0.42V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
74HC00D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC00D 0.4500
सराय
ECAD 4177 0.00000000 तमाम 74HC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) - 74HC00 4 2v ~ 6v 14-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 नंद गेट 5.2ma, 5.2ma 1 µa 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
TC9593XBG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC9593XBG (EL) 7.8400
सराय
ECAD 7 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur 64-वीएफबीजीए पुल तमाम नहीं है 64-((6x6) तंग 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,500
TC74LCX00FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX00FTELM -
सराय
ECAD 1236 0.00000000 तमाम 74LCX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) - 74LCX00 4 2V ~ 3.6V 14-TSSOP - 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 नंद गेट 24MA, 24MA 10 µa 2 5.2NS @ 3.3V, 50pf 0.8V 2 वी
TC74HC138APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC138APF 0.4600
सराय
ECAD 9734 0.00000000 तमाम 74HC नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से 16-((0.300 ", 7.62 मिमी) सियार/अफ़म्योर 74HC138 2v ~ 6v 16- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 25 5.2ma, 5.2ma एकल rurcur 1 x 3: 8 1
TB6562ANG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6562Ang, 8 3.5735
सराय
ECAD 3561 0.00000000 तमाम - नली शिर -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम होल के kaytaumauth से 24-((0.300 ", 7.62 मिमी) TB6562 डीएमओएस 10v ~ 34V 24-एसडीआईपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 500 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 1.5 ए 10v ~ 34V तमाम बtrश डीसी 1, 1/2, 1/4
TCR3UM28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM28A, LF 0.4500
सराय
ECAD 100 0.00000000 तमाम TCR3UM R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-udfn ने पैड को को ranahar TCR3UM28 5.5V तय 4-((1x1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 680 अराय सराफक, अफ़म तमाम 300ma 2.8V - 1 0.327V @ 300ma 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TC78H653FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H653FTG, EL 1.5600
सराय
ECAD 35 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C तमाम सतह rurcur 16-वीएफक TC78H653 डीएमओएस 1.8v ~ 7v 16-VQFN (3x3) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली - सना 4 ए 1.8v ~ 7v तमाम बtrश डीसी -
TC7WPB9306FK,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WPB9306FK, LF (CT (CT (CT (CT) 0.4400
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम TC7WP R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-((0.091 ", 2.30 मिमी ranak) तंग - अफ़र TC7WPB9306 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V 8-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 - सराय 2 x 1: 1 1
TCR3DM13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM13, LF (SE 0.4800
सराय
ECAD 19 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-udfn ने पैड को को ranahar 5.5V तय 4-((1x1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 कांपना तमाम 300ma 1.3V - 1 0.55V @ 300mA - अफ़रप, तंग
TLP7920(D4-LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7920 (D4-LF1, एफ 6.5800
सराय
ECAD 50 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP7920 12ma एक प्रकार का होना 1 8-एसएमडी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.33.0001 50 - 230 kHz तमाम ५.५ सना हुआ 730 µv 4.5 वी 5.5 वी
TD62783AFNG(O,S) Toshiba Semiconductor and Storage TD62783AFNG (O, S) -
सराय
ECAD 2937 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 18-LSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) तमाम TD62783 5V 18-एसओपी - 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 60 - 8/0 - -
TCR2EE27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE27, LM (सीटी ((((() 0.0680
सराय
ECAD 1161 0.00000000 तमाम TCR2EE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SOT-553 TCR2EE27 5.5V तय तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 2.7V - 1 0.23V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TCR2EF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF19, LM (सीटी ((((() 0.3300
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम TCR2EF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2EF19 5.5V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 1.9V - 1 0.31V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TCR4DG105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG105, LF 0.1357
सराय
ECAD 9636 0.00000000 तमाम TCR4DG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG105 5.5V तय 4-WCSPE (0.65x0.65) तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 कांपना तमाम 420ma 1.05V - 1 0.991V @ 420ma 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TC7SZU04FUTF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZU04FUTF -
सराय
ECAD 1825 0.00000000 तमाम TC7SZU R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 - 7SZU04 1 1.8V ~ 5.5V 5-एसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 तंग करना 16ma, 16ma 2 µa 1 5NS @ 5V, 50pf - -
TC74LVX02FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74LVX02FTELM -
सराय
ECAD 4582 0.00000000 तमाम TC74LVX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) - 74LVX02 4 2V ~ 3.6V 14-TSSOP - 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 सराय 4MA, 4MA 2 µa 2 10.1ns @ 3.3V, 50pf 0.5V ~ 0.8V 1.5V ~ 2.4V
TCR3LM18A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM18A, RF 0.3700
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम TCR3LM R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFDFN SANAHAR THE 5.5V तय 4-((1x1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 2.2 गेना सराफक, अफ़म तमाम 300ma 1.8V - 1 0.445V @ 200ma - अफ़रप, तंग
TA48M03F(T6L1,SNQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48M03F (T6L1, SNQ) -
सराय
ECAD 8715 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TA48M03 29V तय पीडब-k-मोल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 १.४ सदा २५ सना हुआ - तमाम 500ma 3 वी - 1 0.65V @ 500mA 70DB (120Hz) सराफकस
TC7SZ86FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ86FU, LJ (CT (CT (CT (CT) 0.3300
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम TC7SZ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 - 7SZ86 1 1.8V ~ 5.5V 5-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 XOR 32ma, 32ma 2 µa 2 5.4ns @ 5v, 50pf - -
TC74AC373P(F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC373P (एफ) -
सराय
ECAD 2207 0.00000000 तमाम TC74AC नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से 20-((0.300 ", 7.62 मिमी) 74AC373 शराबी 2V ~ 5.5V 20 तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 20 डी-therauraurairaurauraurauraurauraurauraur 75ma, 75ma 8: 8 1 5.8NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम