SIC
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एकीकृत rurcut (ics) (2120)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम तमाम अफ़रप कांपना तकनीकी सराय अँगुला वोलmus - इनपुट (अधिकतम (अधिकतम) अफ़स्या सराय सना - इनपुट: आउटपुट वोलmume - सराफकस तंग सींग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय ततth -yauraunada पthirति ततmun बिट e की सराफक - आउटपुट उच उच, कम तमाम सराय - quiescent (अधिकतम) कई ray -3db lectun सराय - आउटपुट / चैनल अफ़सीरता सराफकम वोलmume - इनपुट ऑफसेट ऑफसेट वोलmut - rurcuth अवधि वोलmus - rurcun अवधि (अधिकतम) अँगुला I/o की संख संख सराय सराय अफ़सस कांपना तंग तमाम अफ़रप इप्रॉम एनी चतुर वोलmut - rurcun (वीसीसी/वीडीडी) तमाम अफ़सस की नतीजा सोरक बहुसंकेतन चतुर्थ वोलmut - rurce, एकल (वी+) वोलmum - rurcu, rurी (वी वी ±) अफ़सस डrauraurों चापलूसी तंग - तंग एक प्रकार का घड़ी आवृत अँगुला क्योरस तिहाई अफ़रपर, v, v, अधिकतम सीएल सराय - quiescent (iq) सराफक - शयरा (अधिकतम) अँगुला इनपुट लॉजिक लेवल - कम कम इनपुट इनपुट लेवल - शthuth ट सराय तमाम तमाम टोपोलॉजी आवृतmut - सchas दोष rayraugun तिहाई कॉन kburेशन तंग तमाम Rayrडीएस rayr तमाम अफ़सरी सराफा, तेरहम - Rayr संकल तमाम सराफक - आउटपुट (अधिकतम) वोलmus - आउटपुट वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmus - इनपुट तंग वोलth ड तंग करना सराय
TA4800AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA4800AF (T6L1, Q) -
सराय
 ECAD 6637 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-252-6, DPAK (5 लीड + टैब) TA4800 16 वी कांपना 5-एचएसआईपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 अराय २० सना हुआ - तमाम 1 क 1.5V 9V 1 0.5V @ 500mA 63db (120Hz) अफ़रप, तंग
TMP86PM29BUG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86PM29BUG (C, JZ) -
सराय
 ECAD 3291 0.00000000 तमाम टीएलसीएस -870/सी शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलक TMP86 64-LQFP (10x10) - 3 (168 घंटे) TMP86PM29BUG (CJZ) Ear99 8542.31.0001 1 39 - 8 बिट 16MHz Sio, UART/USART एलसीडी, पीडबmun, डबmum 32KB (32K x 8) ओटीपी - 1.5K x 8 1.8V ~ 5.5V ए/डी 8x10b तमाम
TCR3DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG12, LF 0.1054
सराय
 ECAD 5253 0.00000000 तमाम TCR3DG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 4-XFBGA, CSPBGA TCR3DG12 5.5V तय 4-WCSPE (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 65 µa 78 µa - तमाम 300ma 1.2V - 1 0.6V @ 300mA 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TCV7102F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7102F (TE12L, Q) -
सराय
 ECAD 6031 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव TCV71 5.5V कांपना 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम 1 बक 1.4MHz तमाम तमाम 3 ए 0.8V 5.5V 2.7V
TCK301G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK301G, LF 1.1500
सराय
 ECAD 7356 0.00000000 तमाम TCK30 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 9-UFBGA, WLCSP सthun reyr नियंतtr, TCK301 - n- चैनल 11 9-WCSP (1.5x1.5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 1 तमाम, शयरा उचmuth पक 73MOHM 2.3V ~ 28V तमाम 3 ए
TD62783AFNG(O,S) Toshiba Semiconductor and Storage TD62783AFNG (O, S) -
सराय
 ECAD 2937 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 18-LSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) तमाम TD62783 5V 18-एसओपी - 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 60 - 8/0 - -
TC74LVX08FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74LVX08FTELM -
सराय
 ECAD 1477 0.00000000 तमाम TC74LVX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) - 74LVX08 4 2V ~ 3.6V 14-TSSOP - 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 सराय 4MA, 4MA 2 µa 2 10.6ns @ 3.3V, 50pf 0.5V ~ 0.8V 1.5V ~ 2.4V
TC74LVX174FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74LVX174FTELM -
सराय
 ECAD 5123 0.00000000 तमाम TC74LVX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) D- अफ़स 74LVX174 सींग 2V ~ 3.6V 16-टीएसएसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 1 6 4MA, 4MA तंग 95 सराय तमाम 12.8NS @ 3.3V, 50pf 4 µa 4 पीएफ
TC7SPB9307TU,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SPB9307TU, LF (CT (CT (CT) 0.4200
सराय
 ECAD 345 0.00000000 तमाम Tc7sp R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड बस स TC7SPB9307 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 - सराय 1 x 1: 1 1
TC74HC7292AP(F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC7292AP (एफ) 0.7024
सराय
 ECAD 6759 0.00000000 तमाम - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से 16-((0.300 ", 7.62 मिमी) अफ़स्या TC74HC7292 - 4 µa 2v ~ 6v 16- - - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1
TC74VHC541FT(EL,M) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC541FT (EL, M) -
सराय
 ECAD 5579 0.00000000 तमाम TC74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74VHC541 - ३ 2V ~ 5.5V 20-TSSOP तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 सियार, शयरा 1 8 8ma, 8ma
TLP7820(D4A,TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7820 (D4A, TL, E -
सराय
 ECAD 5141 0.00000000 तमाम - नली शिर सराफक सतह rurcur 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) तमाम TLP7820 8- - 1 (असीमित) 264-TLP7820 (D4ATLE) शिर 50
TC74VHCT245AFTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHCT245AFTEL -
सराय
 ECAD 7968 0.00000000 तमाम TC74VHCT R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74VHCT245 - ३ 4.5V ~ 5.5V 20-TSSOP तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 अफ़राह, 1 8 8ma, 8ma
TCK108G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108G, LF -
सराय
 ECAD 4705 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 4-ufbga सोरस TCK108 तमाम पी-पी 11 4-WCSP (0.79x0.79) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 1 - उचmuth पक 49MOHM 1.1V ~ 5.5V तमाम 1 क
TC74VCX245FK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VCX245FK (EL) 0.2584
सराय
 ECAD 6993 0.00000000 तमाम TC74VCX R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-वीएफएसओपी (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) 74VCX245 - ३ 1.2V ~ 3.6V २०-वीएसएसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 अफ़राह, 1 8 24MA, 24MA
74VHC123AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC123AFT 0.4300
सराय
 ECAD 2264 0.00000000 तमाम 74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74VHC123 2 वी ~ ~ 5.5 वी 16-टीएसएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 कांपना 8ma, 8ma नहीं 2 9.6 एनएस
TC75W60FU(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75W60FU (TE12L, F) -
सराय
 ECAD 7305 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80 मिमी ranak) TC75W60 660 OFA - 2 8-एसओपी - 1 (असीमित) Ear99 8542.33.0001 3,000 5.1v/µs १.२५ सवार तमाम 1 तंग 2 एम.वी. 1.8 वी 7 वी
TD62083APG,N Toshiba Semiconductor and Storage TD62083APG, एन -
सराय
 ECAD 2146 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से 18-((0.300 ", 7.62 मिमी) तमाम TD62083 5V 18-स तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 20 - 8/0 - -
TCR5AM095,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM095, LF 0.1344
सराय
 ECAD 9016 0.00000000 तमाम Tcr5am R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XDFN SATHARY TCR5AM095 5.5V तय 5-((1.2x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µa 68 µa कांपना तमाम 500ma 0.95V - 1 0.23V @ 500ma 70db ~ 40db (1kHz ~ 10Hz) सराफक, सश्चर, वोल ​​kastauna, वोलth लॉकआउट (यूवीएलओ) के
KIA78DL10PI Toshiba Semiconductor and Storage KIA78DL10PI -
सराय
 ECAD 5612 0.00000000 तमाम * नली शिर Kia78 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 50
TMPM4G6FEFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G6FEFG (DBB) -
सराय
 ECAD 2379 0.00000000 तमाम TX04 शिर शिर -40 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp Tmpm4g6 100-lqfp (14x14) तंग रोहस अफ़मार 3 (168 घंटे) 3A991A2 8542.31.0001 90 86 ARM® CORTEX®-M4F 32-सिंगल सिंगल-को 160MHz सीईसी, ईबीआई/ईएमआई, आईएसी, rurडीए, एसआईओ, एसपीआई, एसएमआईएफ, एसएमआईएफ, rurटी/therटी DMA, LVD, POR, WDT 768KB (768K x 8) चमक 32K x 8 128K x 8 2.7V ~ 3.6V ए/डी 16x12 बी; D/a 2x8b एक प्रकार का
TCR2EF45,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF45, LM (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 795 0.00000000 तमाम TCR2EF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2EF45 5.5V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 4.5V - 1 0.2V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TC7PCI3212MT,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7PCI3212MT, LF 1.4600
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) एक rautunurेस® सतह rurcur 20-ufqfn Sanahar - TC7PCI3212 4 20-TQFN (2.5x4.5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 11.5GHz कांपना 2: 1 13.5ohm 3V ~ 3.6V -
TD62064AFG,S Toshiba Semiconductor and Storage TD62064AFG, एस -
सराय
 ECAD 4049 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-((0.252 ", 6.40 मिमी ranak) + 2 हीट टैब तमाम TD62064 5V 16-एचएसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 40 RS232 4/0 - -
TCR4DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG18, LF 0.1357
सराय
 ECAD 3896 0.00000000 तमाम TCR4DG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG18 5.5V तय 4-WCSPE (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 कांपना तमाम 420ma 1.8V - 1 0.473V @ 420ma 70DB (1KHz) सराफक, तमामन
TB62262FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62262FTG, EL 1.1819
सराय
 ECAD 1525 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) एक प्रकार का सतह rurcur 48-wfqfn ने पैड को को ranahir ran TB62262 तमाम 4.75V ~ 5.25V 48-WQFN (7x7) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 4,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली कांपना सना 1.4 ए 10v ~ 38v तमाम बtrश डीसी 1, 1/2, 1/4
TA78DS08BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP, F (J (J (J (J ( -
सराय
 ECAD 1291 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78DS 33V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 १.२ सराय १.२ सराय - तमाम 30ma 8V - 1 0.3V @ 10MA - सराफकस
TMPM3HQFDFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HQFDFG (DBB) 9.1600
सराय
 ECAD 375 0.00000000 तमाम TX03 शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-एफक Tmpm3 144-LQFP (20x20) तंग रोहस अफ़मार 3 (168 घंटे) 3A991A2 8542.31.0001 60 134 ARM® CORTEX®-M4 32-सिंगल सिंगल-को 80MHz I, C, SPI, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 512KB (512K x 8) चमक 32K x 8 64K x 8 2.7V ~ 5.5V ए/डी 21x12 बी; D/a 2x8b एक प्रकार का
TBD62004AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004AFNG, EL 0.4687
सराय
 ECAD 1404 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-एलएसएसओपी (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) - TBD62004 तमाम n- चैनल 11 16-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 7 - निमmuth पक - 50v (अधिकतम) तमाम 500ma
TC74HC245APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC245APF 0.5800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम 74HC नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 20-((0.300 ", 7.62 मिमी) 74HC245 - ३ 2v ~ 6v 20 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 20 अफ़राह, 1 8 7.8ma, 7.8ma
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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