SIC
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एकीकृत rurcut (ics) (2120)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम तमाम अफ़रप कांपना तकनीकी सराय वोलmus - इनपुट (अधिकतम (अधिकतम) अफ़स्या सराय सना - इनपुट: आउटपुट वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग सराय ततth -yauraunada पthirति ततmun बिट e की सराफक - आउटपुट उच उच, कम तमाम सराय - quiescent (अधिकतम) कई ray -3db lectun सराय - आउटपुट / चैनल अफ़सीरता सराफकम वोलmume - इनपुट ऑफसेट ऑफसेट वोलmut - rurcuth अवधि वोलmus - rurcun अवधि (अधिकतम) अँगुला I/o की संख संख सराय सराय अफ़सस कांपना तंग तमाम अफ़रप इप्रॉम एनी चतुर वोलmume - rurcun (वीसीसी/वीडीडी) तमाम अफ़सस की नतीजा एक प्रकार का घड़ी आवृत अँगुला तिहाई अफ़रपर, v, v, अधिकतम सीएल सराय - quiescent (iq) सराफक - शयरा (अधिकतम) अँगुला इनपुट लॉजिक लेवल - कम कम इनपुट इनपुट लेवल - Rayr स टोपोलॉजी दोष rayraugun तिहाई वोलmut - r आपू शेरस (अधिकतम) कॉन kburेशन तमाम Rayrडीएस rayr तमाम अफ़सरी सराफा, तेरहम - Rayr संकल मंद वोलmus - rabun वोलmume - आउटपुट तमाम सराफक - आउटपुट (अधिकतम) वोलmus - आउटपुट वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) तंग वोलth ड तंग करना सराय
TCR4DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG28, LF 0.4500
सराय
 ECAD 3174 0.00000000 तमाम TCR4DG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG28 5.5V तय 4-WCSPE (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 68 µa कांपना तमाम 420ma 2.8V - 1 0.22V @ 420ma 70DB (1KHz) सराफक, तमामन
TA78L005AP,6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP, 6KEHF (एम -
सराय
 ECAD 6572 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78L005 35V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 6 सना हुआ - तमाम 150ma 5V - 1 1.7V @ 40ma (rana) 49DB (120Hz) -
TA48M025F(T6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage TA48M025F (T6L1, SNQ -
सराय
 ECAD 2525 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TA48M025 29V तय पीडब-k-मोल तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 १.४ सदा २५ सना हुआ - तमाम 500ma 2.5V - 1 0.65V @ 500mA 72DB (120Hz) सराफकस
TB62D786FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62D786FTG, EL 0.9553
सराय
 ECAD 6622 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - सतह rurcur 24-वीएफक रत्न TB62D786 - 24-VQFN (4x4) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 40ma 9 तमाम - 28 वी कांपना 7V 28 वी
TC74HC273APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC273APF 0.6300
सराय
 ECAD 106 0.00000000 तमाम 74HC नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 20-((0.300 ", 7.62 मिमी) D- अफ़स 74HC273 सींग 2v ~ 6v 20 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 20 1 8 5.2ma, 5.2ma रोटी ६६ सराय तमाम 25ns @ 6v, 50pf 4 µa 5 पीएफ
TA78L015AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP, 6FNCF (J) -
सराय
 ECAD 4631 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78L015 35V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 ६.५ सना हुआ - तमाम 150ma 15V - 1 1.7V @ 40ma (rana) 40DB (120Hz) अफ़रप, तंग
TBD62502APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502APG 1.3600
सराय
 ECAD 523 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 16-((0.300 ", 7.62 मिमी) - TBD62502 तमाम n- चैनल 11 16- तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 25 आवश आवश नहीं नहीं बंद 7 - निमmuth पक - 50v (अधिकतम) तमाम 300ma
TCR2EF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF285, LM (सीटी ((((() 0.0618
सराय
 ECAD 3299 0.00000000 तमाम TCR2EF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2EF285 5.5V तय एसएमवी तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 2.85V - 1 0.23V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TB67B000FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B000FG, EL 4.3106
सराय
 ECAD 9973 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 115 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 42-sop (0.330 ", 8.40 मिमी ranak), 34 लीड, एक, एक, एक TB67B000 आईजीबीटी 13.5V ~ 16.5V 34-एचएसएसओपी तंग रोहस अफ़मार 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली कांपना सना 2 ए - अफ़र्याश बmurशलेस डीसी (Bldc) -
74LCX74FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX74FT 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम 74LCX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) D- अफ़स 74LCX74 एक प्रकार का 1.65V ~ 3.6V 14-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 2 1 24MA, 24MA सेट (rurcuraur निruchaphairित) १५० तंग तमाम 7NS @ 3.3V, 50pf 10 µa 7 पीएफ
TB62781FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62781FNG, C8, EL 1.9800
सराय
 ECAD 7672 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - सतह rurcur 20-एलएसएसओपी (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) रत्न TB62781 - २०-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 40ma 9 तमाम - 5.5V - 3 वी 28 वी
TCR3UG32A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG32A, LF 0.1229
सराय
 ECAD 3637 0.00000000 तमाम TCR3UG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG32 5.5V तय 4-WCSPF (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 680 अराय कांपना तमाम 300ma 3.2V - 1 0.273V @ 300mA 70DB (1KHz) अफ़रपती, शय्यरह, शेर के लिए, तेरहमक,
TMPM383FWUG(JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM383FWUG (JZ) 4.9600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम TX03 शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलक TMPM383 64-LQFP (10x10) तंग रोहस अफ़मार 3 (168 घंटे) 3A991A2 8542.31.0001 160 47 ARM® CORTEX®-M3 32-सिंगल सिंगल-को 40MHz I, C, Microwire, SiO, SPI, SSI, SSP, UART/USART सियार, अफ़म 128kb (128k x 8) चमक - 10k x 8 3.9V ~ 5.5V ए/डी 10x12 बी तमाम
TCR5AM09,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM09, lf 0.4100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम Tcr5am R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XDFN SATHARY TCR5AM09 5.5V तय 5-((1.2x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µa 68 µa कांपना तमाम 500ma 0.9V - 1 0.23V @ 500ma 70db ~ 40db (1kHz ~ 10Hz) सराफकस
TA48M033F(T6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage TA48M033F (T6L1, SNQ -
सराय
 ECAD 5574 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TA48M033 29V तय पीडब-k-मोल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 १.४ सदा २५ सना हुआ - तमाम 500ma 3.3 - 1 0.65V @ 500mA 70DB (120Hz) सराफकस
74VHCV07FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHCV07FT 0.4600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम 74VHCV R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74VHCV07 क्योरसुरी तंग 1.8V ~ 5.5V 14-TSSOPB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 सियार, शयरा 6 1 -, 16ma
TLP7820(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7820 (LF4, ई 6.5200
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP7820 12ma एक प्रकार का होना 1 8- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.33.0001 75 - 230 kHz तमाम ५.५ सना हुआ 900 µv 4.5 वी 5.5 वी
TC7W04FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W04FK, LF 0.4100
सराय
 ECAD 919 0.00000000 तमाम TC7W R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-((0.091 ", 2.30 मिमी ranak) - 7W04 3 2v ~ 6v 8-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 तंग करना 5.2ma, 5.2ma 1 µa 3 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
TA78L009AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L009AP, 6FNCF (J) -
सराय
 ECAD 6536 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78L009 35V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 ६.५ सना हुआ - तमाम 150ma 9V - 1 1.7V @ 40ma (rana) 44DB (120Hz) अफ़र्याशियस
TA48S015AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S015AF (T6L1, Q) 1.1100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-252-6, DPAK (5 लीड + टैब) TA48S015 16 वी तय 5-एचएसआईपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 अराय २० सना हुआ कांपना तमाम 1 क 1.5V - 1 1.9V @ 1A (rana) 67DB (120Hz) अफ़रप, तंग
TCK22974G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22974G, LF 0.5500
सराय
 ECAD 5271 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 6-UFBGA, WLCSP सोरस TCK22974 तमाम पी-पी 11 6-WCSPE (0.80x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 1 उलटी बिजली उचmuth पक 25mohm 1.1V ~ 5.5V तमाम 2 ए
TCR3DG135,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG135, LF 0.1054
सराय
 ECAD 5613 0.00000000 तमाम TCR3DG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFBGA, CSPBGA TCR3DG135 5.5V तय 4-WCSPE (0.65x0.65) - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 कांपना तमाम 300ma 1.35V - 1 0.53V @ 300mA 70DB (1KHz) तंग बातें, शत्रु, तेरस, परत,
TB6612FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6612FNG, C, 8, El 2.0100
सराय
 ECAD 25 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 24-((0.220 ", 5.60 मिमी ranak) TB6612 तमाम 2.7V ~ 5.5V 24-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 2,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 1 क 2.5V ~ 13.5V - बtrश डीसी -
TCR2LF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF19, LM (सीटी ((((() 0.0700
सराय
 ECAD 9139 0.00000000 तमाम TCR2LF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2LF19 5.5V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 1.9V - 1 0.62V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TCR2EF40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF40, LM (सीटी ((((() 0.3300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम TCR2EF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2EF40 5.5V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 4V - 1 0.2V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TC7SET08F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET08F, LJ (CT (CT (CT (CT) 0.4400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम TC7SET R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 - 7set08 1 4.5V ~ 5.5V एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 सराय 8ma, 8ma 2 µa 2 9NS @ 5V, 50pf 0.8V 2 वी
TC74LCX273FT-ELK(M Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX273FT-ELK -
सराय
 ECAD 7112 0.00000000 तमाम 74LCX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) D- अफ़स 74LCX273 सींग 1.65V ~ 3.6V 20-TSSOP तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 1 8 24MA, 24MA रोटी १५० तंग तमाम 8.5NS @ 3.3V, 50pf 10 µa 7 पीएफ
TCR15AG105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG105, LF 0.2294
सराय
 ECAD 6398 0.00000000 तमाम TCR15AG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 6-XFBGA, WLCSP TCR15AG105 6V तय 6-WCSP (1.2x0.80) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µa कांपना तमाम 1.5 ए 1.05V - 1 0.228V @ 1.5a 95db ~ 60db (1kHz) सिरम्यहे, शेरस, उवलो, उवलो
TBD62783AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFG, EL 1.6600
सराय
 ECAD 45 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 18-शिक (0.276 ", 7.00 मिमी ranak) - TBD62783 तमाम पी-पी 11 18-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 8 - उचmuth पक - 50v (अधिकतम) तमाम 500ma
TCR3UG19A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG19A, LF 0.4700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम TCR3UG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG19 5.5V तय 4-WCSPF (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 680 अराय कांपना तमाम 300ma 1.9V - 1 0.457V @ 300ma 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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