SIC
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एकीकृत rurcut (ics) (2120)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम तमाम अफ़रप तकनीकी सराय वोलmus - इनपुट (अधिकतम (अधिकतम) अफ़स्या सराय वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय ततth -yauraunada पthirति ततmun बिट e की सराफक - आउटपुट उच उच, कम तमाम सराय - quiescent (अधिकतम) कई ray अफ़सीरता बैंडविडth -knamak पrauthakuthauth कrें सराफकम वोलmume - इनपुट ऑफसेट ऑफसेट वोलmut - rurcuth अवधि वोलmus - rurcun अवधि (अधिकतम) अँगुला I/o की संख संख सराय सराय अफ़सस कांपना तंग तमाम अफ़रप इप्रॉम एनी चतुर वोलmume - rurcun (वीसीसी/वीडीडी) तमाम अफ़सस की नतीजा तंग - तंग एक प्रकार का इनपुट संकेत तमाम में संकेत क्योरस अफ़रपर, v, v, अधिकतम सीएल सराय - quiescent (iq) सराफक - शयरा (अधिकतम) इनपुट लॉजिक लेवल - कम कम इनपुट इनपुट लेवल - सराय तमाम अयस्क तमाम अफ़रप पrus r स स स वोलmume - वीसीसीए वोलmut - vccb तिहाई कॉन kburेशन तमाम तमाम अफ़सरी सराफा, तेरहम - Rayr संकल वोलmus - आउटपुट वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) तंग वोलth ड तंग करना सराय
TB67S279FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S279FTG, EL 3.8200
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 48-वीएफक TB67S279 तमाम 4.75V ~ 5.25V 48-VQFN (7x7) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 4,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 2 ए 10v ~ 47v तमाम - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
74HC86D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC86D 0.4400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम 74HC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) - 74HC86 4 2v ~ 6v 14-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 XOR 5.2ma, 5.2ma 1 µa 2 17ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
TC74LCX541FT Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX541FT -
सराय
 ECAD 4778 0.00000000 तमाम TC74LCX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74LCX541 - ३ 1.65V ~ 3.6V 20-TSSOP - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 सियार, शयरा 1 8 24MA, 24MA
74VHC9541FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC9541ft 0.5100
सराय
 ECAD 8153 0.00000000 तमाम 74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74VHC9541 क्योरसुरी ३ 2V ~ 5.5V 20-TSSOPB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 सियार, शयरा 1 8 8ma, 8ma
TC62D748AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748AFG, EL 0.4326
सराय
 ECAD 8344 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TC62D748 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000
TMPM4G9FEFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G9FEFG (DBB) 12.7000
सराय
 ECAD 9982 0.00000000 तमाम TX04 शिर शिर -40 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp Tmpm4g9 100-lqfp (14x14) तंग रोहस अफ़मार 3 (168 घंटे) 3A991A2 8542.31.0001 60 150 ARM® CORTEX®-M4F 32-सिंगल सिंगल-को 160MHz सीईसी, ईबीआई/ईएमआई, आईएसी, rurडीए, एसआईओ, एसपीआई, एसएमआईएफ, एसएमआईएफ, rurटी/therटी DMA, LVD, POR, WDT 768KB (768K x 8) चमक 32K x 8 128K x 8 2.7V ~ 3.6V ए/डी 24x12 बी; D/a 2x8b एक प्रकार का
TA58L05S,LS2MTDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, LS2MTDQ (J (J) -
सराय
 ECAD 2696 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TA58L05 29V तय To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 1 तंग ५० सदा - तमाम 250ma 5V - 1 0.4V @ 200ma - अफ़रप, तंग
TC75W51FK(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75W51FK (TE85L, F) 0.2464
सराय
 ECAD 7152 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-((0.091 ", 2.30 मिमी ranak) TC75W51 120 OFA - 2 8-एसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.33.0001 3,000 0.5V/µs सीएमओएस 600 kHz 1 तंग 2 एम.वी. 1.5 वी 7 वी
TC7WH241FU(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH241FU (TE12L) -
सराय
 ECAD 5196 0.00000000 तमाम 7wh डिजी rayीएल® शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80 मिमी ranak) TC7WH241 2V ~ 5.5V 8-एसओपी तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 सियार, शयरा 2 1 8ma, 8ma
7UL1G32FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1g32fu, lf 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम 7ul R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 - 7UL1G32 1 0.9V ~ 3.6V 5-एसओपी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 तंग 8ma, 8ma 1 µa 2 4.4NS @ 3.3V, 30pf 0.1V ~ 0.4V 0.75V ~ 2.48V
74VHC21FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC21ft 0.4100
सराय
 ECAD 8146 0.00000000 तमाम 74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) - 74VHC21 2 2V ~ 5.5V 14-TSSOPB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 सराय 8ma, 8ma 2 µa 4 7NS @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
TC74AC04FN(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC04FN (F, M) -
सराय
 ECAD 2563 0.00000000 तमाम TC74AC नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) - 74AC04 6 2V ~ 5.5V 14-सोल तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 50 तंग करना 24MA, 24MA 4 µa 1 6.6ns @ 5v, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
7UL1G08FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1g08fu, lf 0.3800
सराय
 ECAD 2050 0.00000000 तमाम 7ul R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 - 7UL1G08 1 0.9V ~ 3.6V 5-एसओपी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 सराय 8ma, 8ma 1 µa 2 4.4NS @ 3.3V, 30pf 0.1V ~ 0.4V 0.75V ~ 2.48V
TC7S66F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7S66F, LF 0.4700
सराय
 ECAD 591 0.00000000 तमाम TC7S R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 दmuthun, fet सcunt TC7S66 2v ~ 12v एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 - एकल rurcur 1 x 1: 1 1
TC74VCX244FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VCX244FTEL 0.4700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम TC74VCX R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74VCX244 - ३ 1.2V ~ 3.6V 20-TSSOP - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 सियार, शयरा 2 4 24MA, 24MA
74HC373D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC373D 0.5800
सराय
 ECAD 16 0.00000000 तमाम 74HC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) 74HC373 शराबी 2v ~ 6v 20-SOIC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 डी-therauraurairaurauraurauraurauraurauraur 7.8ma, 7.8ma 8: 8 1 30ns
TC7SPN334L6X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SPN334L6X, LF 0.4400
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम Tc7spn R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 6-ufdfn - TC7SPN334 सींग 1 6-MP6C (1.45x1.0) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 - - - क्युम्र तमाम 1 1.1 वी ~ 2.7 वी 1.65 वी ~ 3.6 वी
TA78L012AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP, T6F (J (J) -
सराय
 ECAD 4521 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78L012 35V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 ६.५ सना हुआ - तमाम 150ma 12v - 1 1.7V @ 40ma (rana) 41db (120Hz) अफ़र्याशियस
TC74AC32P Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC32P -
सराय
 ECAD 1124 0.00000000 तमाम TC74AC नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से 14-((0.300 ", 7.62 मिमी) - 74AC32 4 2V ~ 5.5V 14 सेना तंग रोहस 1 (असीमित) TC74AC32P-NDR Ear99 8542.39.0001 25 तंग 24MA, 24MA 4 µa 2 7.4ns @ 5v, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
TC7MPB9326FK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MPB9326FK (EL) 0.3256
सराय
 ECAD 4453 0.00000000 तमाम TC7MP R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-वीएफएसओपी (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) बस स TC7MPB9326 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V 14-वीएसएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 - सराय 2 x 1: 2 1
TC78H611FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H611FNG, EL 1.5800
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 16-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) TC78H611 डीएमओएस 2.7V ~ 5.5V 16-टीएसएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira Ear99 8542.39.0001 4,000 तमाम कांपना सराफक -शाप - अवा (2) 1.1 ए 2.5V ~ 15V तमाम बtrश डीसी -
TMPM375FSDMG(J) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM375FSDMG (J) -
सराय
 ECAD 3818 0.00000000 तमाम TX03 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C सतह rurcur 30-((0.220 ", 5.60 मिमी ranak) 30-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 264-TMPM375FSDMG (J) TR 840 21 ARM® CORTEX®-M3 32-बिट 40MHz I, C, Sio, UART/USART LVD, POR, PWM, WDT 64KB (64K x 8) चमक - 4K x 8 4.5V ~ 5.5V ए/डी 4x12 बी rir तंग
TB67S179FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S179FTG, EL 3.1400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 48-वीएफक TB67S179 तमाम 4.75V ~ 5.25V 48-VQFN (7x7) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 1.5 ए 10v ~ 60V शिर - 1 ~ 1/32
TCR3DM12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM12, LF (SE 0.4800
सराय
 ECAD 39 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-udfn ने पैड को को ranahar 5.5V तय 4-((1x1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 कांपना तमाम 300ma 1.2V - 1 0.6V @ 300mA - अफ़रप, तंग
74LCX573FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX573FT 0.5700
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम 74LCX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74LCX573 शराबी 1.65V ~ 3.6V 20-TSSOPB तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 डी-therahair की की कुंडी 24MA, 24MA 8: 8 1 8NS
TB6600FG Toshiba Semiconductor and Storage TB6600FG 5.7300
सराय
 ECAD 3604 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 64-TQFP ने पैड को को ranahir ran TB6600 तमाम 8v ~ 42V 64-HQFP (10x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) TB6600FG (O) Ear99 8542.39.0001 160 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 4 ए 8v ~ 42V तमाम - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
TC7WH157FU(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH157FU (TE12L) -
सराय
 ECAD 7714 0.00000000 तमाम 7wh डिजी rayीएल® शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80 मिमी ranak) बहुसंकेतक TC7WH157 2V ~ 5.5V 8-एसओपी तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 8ma, 8ma एकल rurcur 4 x 2: 1 1
TC7MBL3253CFK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MBL3253CFK (EL) 0.3166
सराय
 ECAD 5870 0.00000000 तमाम TC7MB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-((0.118 ", 3.00 मिमी ranak) मलthautaumaur/s डेमुलिपmum TC7MBL3253 1.65V ~ 3.6V 16-वीएसएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 - एकल rurcur 2 x 4: 1 1
TC74LCX157FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX157FT (EL) -
सराय
 ECAD 4549 0.00000000 तमाम 74LCX डिजी rayीएल® शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) बहुसंकेतक 74LCX157 2V ~ 3.6V 16-टीएसएसओपी - रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 24MA, 24MA एकल rurcur 4 x 2: 1 1
74HC153D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC153D 0.5900
सराय
 ECAD 2707 0.00000000 तमाम 74HC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) बहुसंकेतक 74HC153 2v ~ 6v 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 5.2ma, 5.2ma एकल rurcur 2 x 4: 1 2
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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