SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम तमाम अफ़रप तकनीकी वोलmus - इनपुट (अधिकतम (अधिकतम) अफ़स्या कसना सराय सना - इनपुट: आउटपुट वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग सराय ततth -yauraunada पthirति ततmun बिट e की सराफक - आउटपुट उच उच, कम तमाम सराय - quiescent (अधिकतम) -3db lectun अँगुला वोलmume - rurcun (वीसीसी/वीडीडी) सोरक बहुसंकेतन चतुर्थ चैनल-टू-चैनल rana (Δron) वोलmut - rurce, एकल (वी+) वोलmum - rurcu, rurी (वी वी ±) S स समय समय (टन, टॉफ) (अधिकतम) आवेश इंजेक चैनल कैपेसिटेंस कैपेसिटेंस (सीएस (ऑफ), ऑफ (ऑफ)) सराफक - रींग ((बंद)) (अधिकतम) तिहाई एक प्रकार का घड़ी आवृत अँगुला क्योरस रोटी समय तंग तिहाई अफ़रपर, v, v, अधिकतम सीएल सराय - quiescent (iq) सराफक - शयरा (अधिकतम) अँगुला इनपुट लॉजिक लेवल - कम कम इनपुट इनपुट लेवल - सराय तमाम अयस्क दोष rayraugun तिहाई कॉन kburेशन तमाम Rayrडीएस rayr तमाम अफ़सरी सराफा, तेरहम - Rayr संकल तमाम सराफक - आउटपुट (अधिकतम) वोलmus - आउटपुट वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) तंग वोलth ड तंग करना सराय
TB6640FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6640FTG, EL 2.8900
सराय
ECAD 3540 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C तमाम सतह rurcur 48-wfqfn ने पैड को को ranahir ran TB6640 डीएमओएस 3V ~ 5.5V 48-WQFN (7x7) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली कांपना सना 1 क 4.5V ~ 38V तमाम बmurशलेस डीसी (Bldc) -
TCK22892G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22892G, LF 0.1643
सराय
ECAD 2432 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 6-UFBGA, WLCSP अफ़मार TCK22892 तमाम पी-पी 11 6-WCSPE (0.80x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 1 सराफकस, उचmuth पक 31MOHM 1.4V ~ 5.5V तमाम 740MA
TC74AC273FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC273FT (EL) 0.2315
सराय
ECAD 5853 0.00000000 तमाम 74AC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) D- अफ़स 74AC273 सींग 2V ~ 5.5V 20-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 1 8 24MA, 24MA रोटी १५० तंग तमाम 9.6ns @ 5v, 50pf 8 µa 5 पीएफ
TC7MBL3126CFT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MBL3126CFT (EL) 0.3900
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम TC7MB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) बस स TC7MBL3126 1.65V ~ 3.6V 14-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 - एकल rurcur 4 x 1: 1 1
TA78L005AP(TE6,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP (TE6, F, M -
सराय
ECAD 9780 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78L005 35V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 6 सना हुआ - तमाम 150ma 5V - 1 1.7V @ 40ma (rana) 49DB (120Hz) -
TCK107AF,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK107AF, LF 0.4800
सराय
ECAD 252 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur SC-74A, SOT-753 - TCK107 - - - एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 - - - - - 63MOHM 1.1V ~ 5.5V - 1 क
TBD62083AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFG, EL 1.3600
सराय
ECAD 8193 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 18-शिक (0.276 ", 7.00 मिमी ranak) - TBD62083 तमाम n- चैनल 11 18-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 8 - निमmuth पक - 50v (अधिकतम) तमाम 500ma
TCR2EF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF28, LM (सीटी ((((() 0.3300
सराय
ECAD 6239 0.00000000 तमाम TCR2EF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2EF28 5.5V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 2.8V - 1 0.23V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TCK22946G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22946G, LF 0.5100
सराय
ECAD 28 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 6-UFBGA, WLCSP अफ़मार TCK22946 तमाम पी-पी 11 6-WCSPE (0.80x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 1 सराफकस, (अफ़्रू), अय्यरामन उचmuth पक 31MOHM 1.1V ~ 5.5V तमाम 400ma
TB62209FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62209FG, EL -
सराय
ECAD 4905 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 36-बीएसएसओपी (0.346 ", 8.80 मिमी antak TB62209 डीएमओएस 4.5V ~ 5.5V 36-HSOP तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 1.5 ए 13V ~ 34V तमाम - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
TC78B041FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B041FNG, EL 2.2800
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 115 ° C सटरी सतह rurcur 30-((0.220 ", 5.60 मिमी ranak) TC78B041 - 6v ~ 16.5V 30-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 नियंतmurक - गति कांपना उचmun lect, पक कम पक पक 2ma 4.5V ~ 5.3V अफ़र्याश बmurशलेस डीसी (Bldc) -
74VHC02FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC02FT 0.4000
सराय
ECAD 5928 0.00000000 तमाम 74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) - 74VHC02 4 2V ~ 5.5V 14-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 सराय 8ma, 8ma 2 µa 2 7.5ns @ 5v, 50pf 0.5V 1.5V
TC7SET126F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET126F, LJ (CT (CT (CT (CT) 0.0824
सराय
ECAD 7733 0.00000000 तमाम TC7SET R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TC7SET126 - 4.5V ~ 5.5V एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 सियार, शयरा 1 1 8ma, 8ma
TC74VHCT138AFTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHCT138AFTEL -
सराय
ECAD 2024 0.00000000 तमाम TC74VHCT R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) सियार/अफ़म्योर 74VHCT138 4.5V ~ 5.5V 16-टीएसएसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 8ma, 8ma एकल rurcur 1 x 3: 8 1
TB67S149FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149FTG, EL 3.5500
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 48-wfqfn ने पैड को को ranahir ran TB67S149 तमाम 4.75V ~ 5.25V 48-WQFN (7x7) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 4,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 3 ए 10v ~ 40v शिर - 1 ~ 1/32
TC4W66FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC4W66FU, LF 0.4500
सराय
ECAD 11 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80 मिमी ranak) TC4W66 2 8-एसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 30MHz Spst - नहीं 11 160OHM 4ohm 3V ~ 18v - - - 0.5pf, 5pf 100na -50DB @ 1MHz
74VHC373FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC373FT 0.1445
सराय
ECAD 1939 0.00000000 तमाम 74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74VHC373 शराबी 2V ~ 5.5V 20-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 डी-therahair की की कुंडी 8ma, 8ma 8: 8 1 5NS
TC74LCX244F(EL,K,F Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX244F (के, एफ, एफ, एफ 0.2464
सराय
ECAD 8456 0.00000000 तमाम 74LCX R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) 74LCX244 - 1.65V ~ 3.6V २०-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 सियार, शयरा 2 4 24MA, 24MA
TC74AC86FN(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC86FN (F, M) -
सराय
ECAD 4173 0.00000000 तमाम TC74AC नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) - 74AC86 4 2V ~ 5.5V 14-सोल तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1,000 XOR 24MA, 24MA 4 µa 2 8.3ns @ 5v, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
TCR3DF33,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF33, LM -
सराय
ECAD 5204 0.00000000 तमाम TCR3DF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR3DF33 5.5V तय एसएमवी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µa 78 µa कांपना तमाम 300ma 3.3 - 1 0.25V @ 300mA 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TC7SH125FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH125FU, LJ (CT (CT (CT) 0.3400
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम TC7SH R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 TC7SH125 - 2V ~ 5.5V 5-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 सियार, शयरा 1 1 8ma, 8ma
TCR3DF30,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF30, LM 0.4000
सराय
ECAD 54 0.00000000 तमाम TCR3DF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR3DF30 5.5V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µa 78 µa कांपना तमाम 300ma 3 वी - 1 0.27V @ 300mA 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
74LCX257FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX257FT 0.4900
सराय
ECAD 8838 0.00000000 तमाम 74LCX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 16-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) बहुसंकेतक 74LCX257 1.65V ~ 3.6V 16-TSSOPB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 24MA, 24MA एकल rurcur 4 x 2: 1 1
TCR5BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM11A, L3F 0.4900
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम TCR5BM R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XDFN SATHARY TCR5BM11 5.5V तय 5-((1.2x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µa सराफक, अफ़्री तमाम 500ma 1.1V - 1 0.14V @ 500mA 98DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TCR2EF18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF18, LM (सीटी ((((() 0.3300
सराय
ECAD 59 0.00000000 तमाम TCR2EF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2EF18 5.5V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 1.8V - 1 0.31V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
74VHC4020FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC4020FT 0.4100
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम 74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 16-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74VHC4020 एक प्रकार का होना 2 वी ~ ~ 5.5 वी 16-TSSOPB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 तंग 1 14 तमाम - २१० सराय तमाम
TC7WPB9306FC(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage TC7WPB9306FC (TE85L 0.5200
सराय
ECAD 48 0.00000000 तमाम TC7WP R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE बस स TC7WPB9306 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V Cst8 तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 - सराय 2 x 1: 1 1
TC74AC541F(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC541F (EL, F) 0.9100
सराय
ECAD 5958 0.00000000 तमाम TC74AC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) 74AC541 - 2V ~ 5.5V २०-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 सियार, शयरा 1 8 24MA, 24MA
TC7WH14FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH14FK, सीटी ((((((((() 0.0871
सराय
ECAD 7726 0.00000000 तमाम TC7WH R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 8-((0.091 ", 2.30 मिमी ranak) - 7WH14 3 2V ~ 5.5V 8-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 तंग करना 8ma, 8ma 2 µa 3 10.6ns @ 5v, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.2V ~ 3.85V
TAR5S50TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S50TE85LF 0.4400
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TAR5S50 15V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µa बंद तमाम 200MA 5V - 1 0.2V @ 50ma 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम