SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम तमाम अफ़रप कांपना तकनीकी सराय वोलmume - इनपुट वोलmus - इनपुट (अधिकतम (अधिकतम) अफ़स्या तमाम सराय सना - इनपुट: आउटपुट वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय ततth -yauraunada पthirति ततmun बिट e की सराफक - आउटपुट उच उच, कम तमाम सराय - quiescent (अधिकतम) सराय - आउटपुट / चैनल अँगुला सराय I/o की संख संख सराय सराय अफ़सस कांपना तंग तमाम अफ़रप इप्रॉम एनी चतुर वोलmume - rurcun (वीसीसी/वीडीडी) तमाम अफ़सस की नतीजा एक प्रकार का अँगुला क्योरस अफ़रपर, v, v, अधिकतम सीएल y, सराय - quiescent (iq) सराफक - शयरा (अधिकतम) इनपुट लॉजिक लेवल - कम कम इनपुट इनपुट लेवल - शthuth ट सराय तमाम Rayr स टोपोलॉजी दोष rayraugun तिहाई वोलmut - r आपू शेरस (अधिकतम) कॉन kburेशन तमाम Rayrडीएस rayr तमाम अफ़सरी सराफा, तेरहम - Rayr संकल मंद वोलmus - rabun वोलmume - आउटपुट तमाम सराफक - आउटपुट (अधिकतम) वोलmus - आउटपुट पारी - 0.1Hz से 10Hz परा - 10Hz से 10kHz वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) तंग वोलth ड तंग करना सराय
TC74LCX541F(EL,K,F Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX541F (ईएल, एफ, एफ, एफ 0.6200
सराय
ECAD 5797 0.00000000 तमाम 74LCX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) 74LCX541 - 1.65V ~ 3.6V २०-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 सियार, शयरा 1 8 24MA, 24MA
TA76431AS(T6CNO,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS (T6CNO, FM -
सराय
ECAD 6014 0.00000000 तमाम - थोक शिर - -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA76431 - - - - एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TB62771FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62771FTG, 8, EL 1.5500
सराय
ECAD 12 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 20-wfqfn ने पैड को को ranahir ran अँगुला TB62771 200kHz ~ 2MHz 20-wqfn (4x4) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 150ma 4 तमाम Rayrण-अप 40v कांपना 4.75V 45V
TC7SH08FS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH08FS, L3F 0.4700
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम TC7SH कट कट टेप (सीटी) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur एसओटी -953 - 7SH08 1 2V ~ 5.5V फंसी - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 सराय 8ma, 8ma 2 µa 2 7.9ns @ 5v, 50pf 0.5V 1.5V
TMPM4GNFDFG Toshiba Semiconductor and Storage Tmpm4gnfdfg -
सराय
ECAD 2266 0.00000000 तमाम TXZ+ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 100-lqfp 100-lqfp (14x14) तंग 264-TMPM4GNFDFG 1 91 ARM® CORTEX®-M4F 32-बिट 200MHz EBI/EMI, FIFO, IAC, IRDA, SIO, SPI, UART/USART DMA, I, S, LVD, POR, PWM, WDT 512KB (512K x 8) चमक 32K x 8 192K x 8 2.7V ~ 3.6V ए/डी 24x12 बी rur; D/a 2x8b तंग
TC7SH34F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH34F, LJ (CT (CT (CT (CT) 0.0721
सराय
ECAD 4597 0.00000000 तमाम TC7SH R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TC7SH34 - पुश पुल 2V ~ 5.5V एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 सियार, शयरा 1 1 8ma, 8ma
TC7SH04FUT5LJFT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH04FUT5LJFT -
सराय
ECAD 6870 0.00000000 तमाम TC7SH R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 - 7SH04 1 2V ~ 5.5V 5-एसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 तंग करना 8ma, 8ma 2 µa 1 7.5ns @ 5v, 50pf 0.5V 1.5V
TA48L025F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L025F (TE12L, F) -
सराय
ECAD 4325 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur To-243aa TA48L025 16 वी तय पीडब -लू (एसओटी -89) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1,000 800 µa ५ सदाचार - तमाम 150ma 2.5V - 1 0.5V @ 100ma 70DB (120Hz) अफ़रप, तंग
TC7MBL3125CFK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MBL3125CFK (EL) 0.8000
सराय
ECAD 5456 0.00000000 तमाम TC7MB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-वीएफएसओपी (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) बस स TC7MBL3125 1.65V ~ 3.6V 14-वीएसएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 - एकल rurcur 4 x 1: 1 1
TC7SZ86F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ86F, LJ (CT (CT (CT (CT) 0.0721
सराय
ECAD 4542 0.00000000 तमाम TC7SZ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 - 7SZ86 1 1.8V ~ 5.5V एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 XOR 32ma, 32ma 2 µa 2 5.4ns @ 5v, 50pf - -
TC74VHC08FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC08FK (EL, K) 0.4200
सराय
ECAD 3258 0.00000000 तमाम TC74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-वीएफएसओपी (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) - 74VHC08 4 2V ~ 5.5V 14-वीएसएसओपी - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 सराय 8ma, 8ma 2 µa 2 7.9ns @ 5v, 50pf - -
TC7SZ126FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ126FU, LJ (CT (CT (CT) 0.3400
सराय
ECAD 6067 0.00000000 तमाम TC7SZ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 TC7SZ126 - 1.8V ~ 5.5V 5-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 सियार, शयरा 1 1 32ma, 32ma
TC74HC4050AP(F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC4050AP (एफ) 0.6384
सराय
ECAD 1346 0.00000000 तमाम 74HC नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 16-((0.300 ", 7.62 मिमी) 74HC4050 - पुश पुल 2v ~ 6v 16- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 सियार, शयरा 6 1 7.8ma, 7.8ma
TA78L15F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L15F (TE12L, F) -
सराय
ECAD 7159 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur To-243aa TA78L15 35V तय पीडब -लू (एसओटी -89) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1,000 6 सना हुआ ६.५ सना हुआ - तमाम 150ma 15V - 1 - 40DB (120Hz) अफ़रप, तंग
TC74ACT04P(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tc74act04p (f) 0.5844
सराय
ECAD 2282 0.00000000 तमाम TC74ACT नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से 14-((0.300 ", 7.62 मिमी) - 74ACT04 6 4.5V ~ 5.5V 14 सेना तंग रोहस अफ़मार तंग Ear99 8542.39.0001 1 तंग करना 24MA, 24MA 4 µa 1 7.9ns @ 5v, 50pf 0.8V 2 वी
TC4SU11F(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TC4SU11F (T5L, F, T) -
सराय
ECAD 8444 0.00000000 तमाम TC4S R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 - TC4SU11 1 3V ~ 18v एसएमवी - 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 नंद गेट 3.4mA, 3.4mA 1 µa 2 50ns @ 15v, 50pf 1V ~ 3V 4v ~ 12v
TCR2EN34,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN34, lf -
सराय
ECAD 5294 0.00000000 तमाम TCR2EN R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFDFN SANAHAR THE TCR2EN34 5.5V तय 4-((0.8x0.8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 3.4V - 1 0.18V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TA58M08S(LS2FJT,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08S (LS2FJT, AQ -
सराय
ECAD 6568 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TA58M08 29V तय To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 1 तंग 80 सना हुआ - तमाम 500ma 8V - 1 0.65V @ 500mA - सराफकस
TA78L015AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP, T6F (J (J) -
सराय
ECAD 4437 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78L015 35V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 ६.५ सना हुआ - तमाम 150ma 15V - 1 1.7V @ 40ma (rana) 40DB (120Hz) अफ़रप, तंग
TA78L008AP(TORI,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP (TORI, FM -
सराय
ECAD 7522 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78L008 35V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 ६.५ सना हुआ - तमाम 150ma 8V - 1 1.7V @ 40ma (rana) 45db (120Hz) अफ़र्याशियस
TCR2LE33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE33, LM (सीटी ((((() 0.4100
सराय
ECAD 120 0.00000000 तमाम TCR2LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-553 TCR2LE33 5.5V तय तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 3.3 - 1 0.3V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TC7SZ34FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ34FE, सीटी ((((((((() 0.3700
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम TC7SZ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur SOT-553 TC7SZ34 - पुश पुल 1.65V ~ 5.5V तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 सियार, शयरा 1 1 32ma, 32ma
7UL1G17FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1g17fu, lf 0.3400
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 7UL1G17 क्योरसुरी - 0.9V ~ 3.6V यूएसवी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 सियार, शयरा 1 1 8ma, 8ma
TC7SZ32F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ32F, LJ (CT (CT (CT (CT) 0.3900
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम TC7SZ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 - 7SZ32 1 1.8V ~ 5.5V एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 तंग 32ma, 32ma 2 µa 2 4.5ns @ 5v, 50pf - -
TB67S101AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S101AFNG, EL 1.8746
सराय
ECAD 5195 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 48-TFSOP (0.240 ", 6.10 मिमी rana) TB67S101 तमाम 4.75V ~ 5.25V 48-HTSSOP तंग Rohs3 आजthabaira Ear99 8542.39.0001 1,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 3 ए 10v ~ 47v तमाम - 1, 1/2, 1/4
TC74VHC221AFK(EL,K Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC221AFK (के, के, के 0.6100
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम 74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-((0.118 ", 3.00 मिमी ranak) TC74VHC221 2 वी ~ ~ 5.5 वी 16-वीएसएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 कांपना 8ma, 8ma तमाम 2
TBD62003AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003AFG, EL 0.8900
सराय
ECAD 27 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) - TBD62003 तमाम n- चैनल 11 16-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 7 - निमmuth पक - 50v (अधिकतम) तमाम 500ma
TC7MBL3257CFK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MBL3257CFK (EL) 0.3136
सराय
ECAD 3882 0.00000000 तमाम TC7MB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-((0.118 ", 3.00 मिमी ranak) मलthautaumaur/s डेमुलिपmum TC7MBL3257 1.65V ~ 3.6V 16-वीएसएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 - एकल rurcur 4 x 2: 1 1
TCR3RM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM10A, LF -
सराय
ECAD 2170 0.00000000 तमाम TCR3RM R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XDFN SATHARY TCR3RM10 5.5V तय 4-((1x1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 - तमाम 300ma 1V - 1 0.13V @ 300mA 100db (1kHz) अफ़रप, तंग
TCR4DG125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG125, LF 0.5100
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम TCR4DG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG125 5.5V तय 4-WCSPE (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 कांपना तमाम 420ma 1.25V - 1 0.781V @ 420ma 70DB (1KHz) सराफक, तमामन
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम