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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS25LP032D-JNLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25lp032d-jnla3-tr 1.1255
सराय
ECAD 1615 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LP032D-JNLA3-TRE 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 40s, 800 और
IS43TR81024BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-107MBLI 22.8583
सराय
ECAD 4644 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43TR81024BL-107MBLI 136 933 सरायम सराय 8gbit 20 एनएस घूंट 1 जी x 8 तपस्वी 15NS
IS25LE01G-RILE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LE01G-RILE-TR 11.3848
सराय
ECAD 2500 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-एलबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.3V ~ 3.6V 24-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LE01G-RILE-TRE 2,500 १३३ सराय सराय 1gbit 8 एनएस चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 50s, 1ms
IS22TF128G-JQLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF128G-JQLA1-TR 74.4800
सराय
ECAD 6033 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V 100-((14x18) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS22TF128G-JQLA1-TRE 1,000 २०० सराय सराय 1tbit चमक 128g x 8 EMMC_5.1 -
IS21TF08G-JQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is21tf08g-jqli-tr -
सराय
ECAD 5695 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए Is21tf08g फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V 100-((14x18) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS21TF08G-JQLI-TR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
IS43LD32128C-25BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128C-25BPLI-TR -
सराय
ECAD 1550 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43LD32128C-25BPLI-TR Ear99 8542.32.0036 1
IS43TR16256AL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-15HBLI -
सराय
ECAD 5204 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 190 667 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS46LD32128B-25BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128B-25BPLA2-TR -
सराय
ECAD 6181 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए IS46LD32128 SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46LD32128B-25BPLA2-TR Ear99 8542.32.0036 1 ४०० सराय सराय 4 जीबिट 5.5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 Hsul_12 15NS
IS46LQ32128A-062TBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128A-062TBLA2-TR -
सराय
ECAD 7573 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ32128A-062TBLA2-TR 2,500 1.6 GHz सराय 4 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 LVSTL 18NS
IS42S81600F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600F-6TLI-TR 2.6967
सराय
ECAD 8511 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S81600 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 8 तपस्वी -
IS43TR16640ED-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640ED-15HBLI 5.8300
सराय
ECAD 6587 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43TR16640ED-15HBLI 190 667 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 Sstl_15 15NS
IS25LX512M-LHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX512M-LHLE 9.3700
सराय
ECAD 1158 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए चमक 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LX512M-LHLE 480 १३३ सराय सराय 512MBIT 6 एनएस चमक 64 सिया x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ ओ 1.8ms
IS21TF32G-JCLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is21tf32g-jcli-tr 35.8500
सराय
ECAD 4833 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए IS21TF32G फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS21TF32G-JCLI-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 २०० सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 एमएमसी -
IS22TF08G-JQLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is22tf08g-jqla1-tr 16.6915
सराय
ECAD 3066 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए फmus - नंद (pslc) 2.7V ~ 3.6V 100-((14x18) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS22TF08G-JQLA1-TR 1,000 २०० सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 EMMC_5.1 -
IS43TR16512AL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-107MBLI-TR -
सराय
ECAD 5090 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-LFBGA (10x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR16512AL-107MBLI-TR Ear99 8542.32.0036 2,000 933 सरायम सराय 8gbit 20 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 15NS
IS25LP256D-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-RMLE -
सराय
ECAD 5143 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) IS25LP256 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 44 १३३ सराय सराय 256Mbit 7 एनएस चमक 32 सिया x 8 तमाम 800 ओएफएस
IS42SM32160E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32160E-75BLI-TR 10.0200
सराय
ECAD 6316 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42SM32160 Sdram - ranak 2.7V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,500 १३३ सराय सराय 512MBIT 6 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
IS46DR16640B-25EBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-25EBLA1 -
सराय
ECAD 3493 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 209 ४०० सराय सराय 1gbit 400 पीएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS61C3216AL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C3216AL-12TLI-TR 1.8501
सराय
ECAD 4530 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS61C3216 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 सराय 512kbit 12 एनएस शिर 32K x 16 तपस्वी 12NS
IS25LP064A-JGLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064A-JGEL-TRE -
सराय
ECAD 9510 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए Is25lp064 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 800 ओएफएस
IS39LV040-70VCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS39LV040-70VCE -
सराय
ECAD 7245 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.488 ", 12.40 मिमी antak) IS39LV040 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 32-वीएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 208 सराय 4Mbit 70 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी 70NS
IS61QDB21M36-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB21M36-250M3 -
सराय
ECAD 2396 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA Is61qdb21 Sram - सिंकthurोनस, कtraume, 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 २५० तंग सराय 36mbit 7.5 एनएस शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
IS46TR16256BL-107MBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256BL-107MBLA1 8.9696
सराय
ECAD 8044 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46TR16256BL-107MBLA1 190 933 सरायम सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS42S32800J-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75EBLI-TR 6.2100
सराय
ECAD 8236 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १३३ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS61NVF25672-6.5B1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF25672-6.5B1 -
सराय
ECAD 6228 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 209-बीजीए IS61NVF25672 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 209-LFBGA (14x22) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 84 १३३ सराय सराय 18mbit 6.5 एनएस शिर 256K x 72 तपस्वी -
IS65WV1288FBLL-55CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV1288FBLL-55CTLA3 -
सराय
ECAD 3333 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) IS65WV1288 Sram - सिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 32-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS65WV1288FBLL-55CTLA3 Ear99 8542.32.0041 156 सराय 1mbit 55 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 55NS
IS45S32400E-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400E-6TLA1 -
सराय
ECAD 9088 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS45S32400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 108 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS43DR16320C-25DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-25DBI-TR -
सराय
ECAD 8119 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,500 ४०० सराय सराय 512MBIT 400 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS34ML02G081-BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML02G081-BLI 5.0397
सराय
ECAD 4745 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS34ML02G081-BLI 220 सराय 2 जीबिट 20 एनएस चमक २५६ सिया x k तपस्वी 25NS
IS61LF51218A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51218A-7.5TQLI 15.4275
सराय
ECAD 9237 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LF51218 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 सराय सराय 9mbit 7.5 एनएस शिर 512K x 18 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम