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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
GD5F2GQ4UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4UEYIGY -
सराय
ECAD 2825 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD5F2GQ4 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 १२० सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k सवार 700 ओएफएस
GD25VQ20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CTIGRIGRIGRIGRIG -
सराय
ECAD 6230 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VQ20 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार 50s, 3ms
GD25VE16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CSIG -
सराय
ECAD 8920 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25VE16 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 9,500 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार -
GD25Q20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20CEIGR 0.5700
सराय
ECAD 15 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25Q20 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25VQ40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ40CEIGR -
सराय
ECAD 6660 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25VQ40 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 सवार 50s, 3ms
GD25Q32CBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CBIGY -
सराय
ECAD 1367 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए GD25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 १२० सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25Q127CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSJGR -
सराय
ECAD 4258 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q127 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १०४ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 12, 2.4ms
GD25D05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D05CEIGR 0.2404
सराय
ECAD 3862 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25D05 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 100 सराय सराय 512kbit चमक 64K x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
GD25Q127CFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CFIGR 2.2000
सराय
ECAD 6 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) GD25Q127 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १०४ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 12, 2.4ms
GD25Q32CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSJG -
सराय
ECAD 4813 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 १२० सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LE128EWJGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128EWJGY 1.5901
सराय
ECAD 1919 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25LE128EWJGY 5,700 १३३ सराय सराय 128Mbit 6 एनएस चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25LQ20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20EKIGR 0.3786
सराय
ECAD 6749 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25LQ20EKIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 2mbit 6 एनएस चमक 256K x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD25LQ128EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EJGR 1.6598
सराय
ECAD 3550 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD25LQ128EJGRTR 3,000 १२० सराय सराय 128Mbit 6 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD25LQ16LIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16LIGR 0.7052
सराय
ECAD 3049 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFBGA, WLCSP GD25LQ16 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-WLCSP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ20EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20EEIGR 0.3515
सराय
ECAD 2521 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x2) तंग 1970-GD25LQ20EEIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 2mbit 6 एनएस चमक 256K x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD25VQ40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ40CTIG 0.3366
सराय
ECAD 3374 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VQ40 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 १०४ सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 सवार 50s, 3ms
GD25VE32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE32CVIGR -
सराय
ECAD 3038 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25VE32 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-वीएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार -
GD55LX512WEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX512WEBIRY 7.2778
सराय
ECAD 5998 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LX शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LX512WEBIRY 4,800 १६६ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ, 50s, 1.2ms
GD25B512MEY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEY2GR 6.5028
सराय
ECAD 1666 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25B512MEY2GRTR 3,000 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25Q40CT2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CT2GR 0.4949
सराय
ECAD 9389 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप - 1970-GD25Q40CT2GRTR 3,000 80 सराय सराय 4Mbit 7 एनएस चमक 512K x 8 सवार 60s, 4ms
GD25LH32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LH32ENIGR 0.7301
सराय
ECAD 2833 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर - 1970-GD25LH32ENIGRTR 3,000
GD5F1GQ5REY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REY2GY 3.7639
सराय
ECAD 1158 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 2V 8-WSON (6x8) - 1970-GD5F1GQ5REY2GY 4,800 १०४ सराय सराय 1gbit 9.5 एनएस चमक २५६ वायर x ४ Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD25LE255ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE255ESIGR 2.1993
सराय
ECAD 1072 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप - 1970-GD25LE255ESIGRTR 2,000 १३३ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25WD80ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80ETIGY 0.3640
सराय
ECAD 4418 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WD शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25WD80ETIGY 4,320 १०४ सराय सराय 8mbit 6 एनएस चमक 1 सिया x 8 Spi - rurी i/o 100s, 6ms
GD25LQ20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20CTIGRIGRIGRIGRIG -
सराय
ECAD 6107 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25LQ20 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD9FS8G8E3ALGJ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd9fs8g8e3algj 17.9949
सराय
ECAD 2667 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर तंग 1970-GD9FS8G8E3ALGJ 2,100
GD25LE16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE16ETIGR 0.5242
सराय
ECAD 5143 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप - 1970-GD25LE16ETIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 6 एनएस चमक 2 सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25LE32ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32ELIGR 0.7582
सराय
ECAD 7661 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 10-XFBGA, WLCSP फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 10-WLCSP तंग 1970-GD25LE32ELIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25LT512MEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEB2RY 8.8046
सराय
ECAD 2037 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LT शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25LT512MEB2RY 4,800 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25WQ128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128EWIGR 1.4385
सराय
ECAD 7179 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25WQ128EWIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 128Mbit 8 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 120 और, 4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम