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एकीकृत ruirch (ics) (847)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
GD25F256FY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FY2GR 3.6639
सराय
 ECAD 5791 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25F R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25F256FY2GRTR 3,000 २०० सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD5F2GQ5RFBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5RFBIGY 4.3225
सराय
 ECAD 7761 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर - 1970-GD5F2GQ5RFBIGY 4,800
GD25Q32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CVIGR -
सराय
 ECAD 1931 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-वीएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ40ET2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40ET2GY 0.5373
सराय
 ECAD 4717 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप - 1970-GD25LQ40ET2GY 4,320 १३३ सराय सराय 4Mbit 6 एनएस चमक 512K x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD25LQ40EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40EEAGR 0.6929
सराय
 ECAD 8244 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x2) - 1970-GD25LQ40EEAGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 4Mbit 6 एनएस चमक 512K x 8 सवार 100s, 4ms
GD55X01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55X01GEFIRR 13.2372
सराय
 ECAD 1651 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55X R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप - 1970-GD55X01GEFIRRTR 1,000 २०० सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ, -
GD25LQ64ET2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ET2GY 1.2776
सराय
 ECAD 6914 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप - 1970-GD25LQ64ET2GY 4,320 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25VQ40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ40CTIGRIGRIGR। 0.4033
सराय
 ECAD 3962 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VQ40 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 सवार 50s, 3ms
GD25LQ16CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CNIGR 1.0600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar GD25LQ16 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-((4x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25B16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16EEIGR 0.5242
सराय
 ECAD 9750 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x2) तंग 1970-GD25B16EEIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 7 एनएस चमक 2 सींग x 8 सवार 70 और, 2ms
GD25LQ64CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CSIG 0.8174
सराय
 ECAD 4538 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25LQ64 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 १२० सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 सवार 2.4ms
GD55T02GEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T02GEBARY 39.0754
सराय
 ECAD 6092 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55T शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55T02GEBARY 4,800 २०० सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, dtr -
GD25WD20CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20KKIGR 0.3619
सराय
 ECAD 9413 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25WD20CKIGRTR 3,000 100 सराय सराय 2mbit 12 एनएस चमक 256K x 8 Spi - rurी i/o 97, एस, 6ms
GD25LQ255EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255EFIRR 2.3733
सराय
 ECAD 8858 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 16-सेप तंग 1970-GD25LQ255EFIRRTR 1,000 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi -
GD25Q256EWJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EWJGR 2.8771
सराय
 ECAD 5497 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25Q256EWJGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD25LQ20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20ETIGR 0.3167
सराय
 ECAD 8227 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LQ20ETIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 2mbit 6 एनएस चमक 256K x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD25LQ20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20CEIGR -
सराय
 ECAD 2521 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25LQ20 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25VE16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CTIG -
सराय
 ECAD 5747 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VE16 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार -
GD55X01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55X01GEB2RY 20.2027
सराय
 ECAD 9611 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55X शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55X01GEB2RY 4,800 २०० सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ, -
GD25Q127CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSIGR 1.9600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q127 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १०४ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 12, 2.4ms
GD25LQ16LIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16LIGR 0.7052
सराय
 ECAD 3049 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFBGA, WLCSP GD25LQ16 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-WLCSP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ16CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CWIGR -
सराय
 ECAD 8392 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD25LQ16 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-WSON (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25WQ16ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ16ENIGR 0.6406
सराय
 ECAD 4408 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-((3x4) तंग 1970-GD25WQ16ENIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 16Mbit 12 एनएस चमक 2 सींग x 8 सवार 120 और, 4ms
GD5F2GQ5UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYIGR 3.9884
सराय
 ECAD 8461 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F2GQ5UEYIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 2 जीबिट 9 एनएस चमक २५६ सिया x k सवार 600 ओएफएस
GD25Q32CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSJGR 0.8389
सराय
 ECAD 7479 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १२० सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LE64CLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64CLIGR -
सराय
 ECAD 6812 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 21-XFBGA, WLSCP GD25LE64 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 21-WLCSP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 सवार 2.4ms
GD25VQ20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CTIGRIGRIGRIGRIG -
सराय
 ECAD 6230 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VQ20 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार 50s, 3ms
GD25B512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEYIGY 4.2560
सराय
 ECAD 2864 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD25B512MEYIGY 4,800 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25VQ16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CTIG -
सराय
 ECAD 9944 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VQ16 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 3ms
GD55F512MFWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55F512MFWIGR 4.3329
सराय
 ECAD 5638 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर - 1970-GD55F512MFWIGRTR 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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