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एकीकृत ruirch (ics) (847)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
GD25B256EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EWIGY 2.3163
सराय
 ECAD 5527 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25B256EWIGY 5,700 सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD55LB01GEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEYIGY 8.5414
सराय
 ECAD 9648 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LB शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD55LB01GEYIGY 4,800 १६६ सराय सराय 1gbit 6 एनएस चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 70, एस, 1.2ms
GD25LE255EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE25555EWIGR 2.2433
सराय
 ECAD 7791 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25LE2555WIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25D80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D80CEIGR 0.3368
सराय
 ECAD 4688 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25D R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x2) तंग 1970-GD25D80CEIGRTR 3,000 100 सराय सराय 8mbit 6 एनएस चमक 1 सिया x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
GD25LB64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB64ESIGR 0.8045
सराय
 ECAD 5543 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LB64ESIGRTR 2,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25Q80EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80EEAGR 0.7134
सराय
 ECAD 9852 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x2) - 1970-GD25Q80EEAGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 8mbit 7 एनएस चमक 1 सिया x 8 सवार 140 और, 4ms
GD9FU2G6F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU2G6F3ALGI 4.5692
सराय
 ECAD 7620 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD9F शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 63-FBGA (9x11) तंग 1970-GD9FU2G6F3ALGI 2,100 सराय 2 जीबिट 18 एनएस चमक 128 सिया x 16 तपस्वी 20NS
GD25B128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B128EYIGR 1.3198
सराय
 ECAD 8685 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD25B128EYIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 7 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25VQ32CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ32CTCTIGRIGRIGRIG -
सराय
 ECAD 6010 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VQ32 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 9,000 १०४ सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25Q80ENJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ENJGR 0.5090
सराय
 ECAD 7262 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x4) तंग 1970-GD25Q80ENJGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 8mbit 7 एनएस चमक 1 सिया x 8 सवार 140 और, 4ms
GD25B256EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EBIRY 2.3163
सराय
 ECAD 1310 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग 1970-GD25B256EBIRY 4,800 सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD25LF255ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF255SIGR 2.1993
सराय
 ECAD 5473 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप - 1970-GD25LF255ESIGRTR 2,000 १६६ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25VE20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CTCTIGRIGRIGRIG -
सराय
 ECAD 1445 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VE20 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार -
GD25WD80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80CTIG -
सराय
 ECAD 1432 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25WD80 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 सवार -
GD25Q80EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80EWIGR 0.6700
सराय
 ECAD 9 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD25Q80 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १३३ सराय सराय 8mbit 7 एनएस चमक 1 सिया x 8 सवार 70 और, 2ms
GD25Q16EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EWIGR 0.8700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD25Q16 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 7 एनएस चमक 2 सींग x 8 सवार 70 और, 2ms
GD25B512MEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEB2RY 6.7830
सराय
 ECAD 1666 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25B512MEB2RY 4,800 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD55LB01GEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEF2RR 14.2906
सराय
 ECAD 1528 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 16-सेप - 1970-GD55LB01GEF2RRTR 1,000 १६६ सराय सराय 1gbit 6 एनएस चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 140 और, 2ms
GD25F256FYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FYIGR 2.3791
सराय
 ECAD 6103 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25F R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25F256FYIGRTR 3,000 २०० सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD25LQ32EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EEGR 0.9828
सराय
 ECAD 3824 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x2) तंग 1970-GD25LQ32EEGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 100s, 4ms
GD25LB16EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB16EWIGR 0.6261
सराय
 ECAD 1694 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2.1V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25LB16EWIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 6 एनएस चमक 2 सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25S512MDFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDFIGR 6.9300
सराय
 ECAD 673 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) GD25S512 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १०४ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD55LE511MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LE511MEYIGR 4.3805
सराय
 ECAD 6491 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर - 1970-GD55LE511MEYIGRTR 3,000
GD25UF64ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25UF64ESIGY 0.9547
सराय
 ECAD 4911 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25UF शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.14V ~ 1.26V 8-सेप - 1970-GD25UF64ESIGY 3,000 १२० सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, dtr -
GD25D80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D80CSIGR 0.2865
सराय
 ECAD 7950 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25D R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25D80CSIGRTR 2,000 100 सराय सराय 8mbit 6 एनएस चमक 1 सिया x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
GD5F4GQ6RF9IGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6RF9IGY -
सराय
 ECAD 7119 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वल्गा सराय GD5F4GQ6 फmume - नंद 1.7V ~ 2V 8-LGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1970-GD5F4GQ6RF9IGY 3A991B1A 8542.32.0071 300 80 सराय सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 सवार -
GD5F1GQ5UEYIHY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYIHY 2.3296
सराय
 ECAD 5815 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD5F1GQ5UEYIHY 4,800 १३३ सराय सराय 1gbit 7 एनएस चमक २५६ वायर x ४ Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD25LB128EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128EFIRR 1.4281
सराय
 ECAD 4951 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 16-सेप तंग 1970-GD25LB128EFIRRTR 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25VE40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CTIGRIGRIGRIG -
सराय
 ECAD 2992 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VE40 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 सवार -
GD25WQ80ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ80ESIGR 0.4368
सराय
 ECAD 7786 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25WQ80ESIGRTR 2,000 १०४ सराय सराय 8mbit 12 एनएस चमक 1 सिया x 8 सवार 120 और, 4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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