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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
GD25R64EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R64EYIGR 1.2272
सराय
ECAD 9905 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25R R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25R64EYIGRTR 3,000 २०० सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 सवार -
GD25WQ64EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64EQEGR 1.2917
सराय
ECAD 7123 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-((4x4) तंग 1970-GD25WQ64EQEGRTR 3,000 84 तंग सराय 64mbit 12 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 240, एस, 8ms
GD25Q16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSIG 0.3366
सराय
ECAD 2646 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q16 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 9,500 १२० सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD55X01GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55X01GEBIRY 12.8478
सराय
ECAD 1606 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55X शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55X01GEBIRY 4,800 २०० सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ, -
GD25Q127CYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CYIGR 2.1900
सराय
ECAD 3 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD25Q127 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 12, 2.4ms
GD25D40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D40CTIGRIGRIGR। 0.2714
सराय
ECAD 6762 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25D R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25D40CTIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit 6 एनएस चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
GD25VE40CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CSIG 0.3752
सराय
ECAD 6946 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25VE40 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 9,500 १०४ सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 सवार -
GD5F4GM8REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM8REYIGY 5.9850
सराय
ECAD 2866 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F4GM8REYIGY 4,800 १०४ सराय सराय 4 जीबिट 9 एनएस चमक 512M x 8 Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD5F1GQ4RF9IGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4RF9IGY -
सराय
ECAD 5707 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-व GD5F1GQ4 फmume - नंद 1.7V ~ 2V 8-LGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 १२० सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 सवार 700 ओएफएस
GD25LE128DLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128DLIGR -
सराय
ECAD 7670 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 21-XFBGA, WLSCP GD25LE128 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 21-WLCSP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 2.4ms
GD25WQ128EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128EQEGR 1.9478
सराय
ECAD 2726 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-((4x4) तंग 1970-GD25WQ128EQEGRTR 3,000 84 तंग सराय 128Mbit 8 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 240, एस, 8ms
GD25LD40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40CTIGRIGRIGR। 0.3205
सराय
ECAD 1092 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25LD40 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 ५० सभा सराय 4Mbit चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 97, एस, 6ms
GD25Q20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20CTIG 0.2564
सराय
ECAD 8326 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25Q20 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 १२० सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD9FS1G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS1G8F2AMGI 3.2171
सराय
ECAD 2836 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर सतह rurcur 48-TFSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) GD9FS1G8 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 960 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8
GD25LD20COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20COIGR 0.2885
सराय
ECAD 5405 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) GD25LD20 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 ५० सभा सराय 2mbit चमक 256K x 8 Spi - rurी i/o 97, एस, 6ms
GD25LD40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40COIGR 0.3366
सराय
ECAD 5737 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) GD25LD40 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 ५० सभा सराय 4Mbit चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 97, एस, 6ms
GD25Q32ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32ETIGR 0.9100
सराय
ECAD 5 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25LQ20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20CTIG 0.2725
सराय
ECAD 1815 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25LQ20 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25WD20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20CTCTIGRIGRIGRIG 0.2885
सराय
ECAD 3170 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25WD20 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार -
GD25VE16CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CSIGR -
सराय
ECAD 9938 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25VE16 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार -
GD5F2GQ5REYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5REYIHR 4.1912
सराय
ECAD 7021 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 2V 8-WSON (6x8) - 1970-GD5F2GQ5REYHRTR 3,000 80 सराय सराय 2 जीबिट 11 एनएस चमक 512M x 4 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 600 ओएफएस
GD25VE20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CTIG 0.3045
सराय
ECAD 7104 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VE20 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार -
GD9FS8G8E3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS8G8E3ALGI 14.8694
सराय
ECAD 1833 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर तंग 1970-GD9FS8G8E3ALGI 2,100
GD25Q256DFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256DFIGR 3.8200
सराय
ECAD 3 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) GD25Q256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १०४ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD5F2GQ4UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4UEYIGR -
सराय
ECAD 9158 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD5F2GQ4 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k सवार 700 ओएफएस
GD25LD80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CSIGR 0.3549
सराय
ECAD 8832 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25LD80 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,000 ५० सभा सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 Spi - rurी i/o 60s, 6ms
GD25Q16CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSIGR 0.8200
सराय
ECAD 40 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q16 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,000 १२० सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD5F2GQ5UEZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEZIGY 4.1230
सराय
ECAD 4631 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग 1970-GD5F2GQ5UEZIGY 4,800 १०४ सराय सराय 2 जीबिट 9 एनएस चमक २५६ सिया x k सवार 600 ओएफएस
GD25D20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20EKIGR 0.2865
सराय
ECAD 1629 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25D R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25D20EKIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 2mbit 6 एनएस चमक 256K x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
GD25LD80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CTIG -
सराय
ECAD 1510 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25LD80 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 ५० सभा सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 Spi - rurी i/o 60s, 6ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम