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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT53E768M64D4SQ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SQ-046 WT: एक TR 73.1400
सराय
ECAD 9192 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E768 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT53E768M64D4SQ-046WT: ATR 0000.00.0000 2,000 २.१३३ सरायम सराय 48gbit घूंट 768M x 64 - -
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB5432BEBH-1DAUT-FR TR -
सराय
ECAD 1602 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 134-वीएफबीजीए EDB5432 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-((10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,000 ५३३ सरायम सराय 512MBIT घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
M25P10-AVMN3P/Y Micron Technology Inc. M25p10-avmn3p/y -
सराय
ECAD 3931 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) M25P10 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0071 2,000 ५० सभा सराय 1mbit चमक 128K x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
M50FW040K5TG TR Micron Technology Inc. M50FW040K5TG TR -
सराय
ECAD 8340 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-जे (जे-लीड) M50FW040 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 750 ३३ सराय सराय 4Mbit 250 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी -
MT47H64M16NF-25E AIT:M TR Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E AIT: M TR 3.8331
सराय
ECAD 4418 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT47H64M16NF-25EAIT: MTR Ear99 8542.32.0032 2,000 ४०० सराय सराय 1gbit 400 पीएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
JS28F00AP33EFA Micron Technology Inc. JS28F00AP33EFA -
सराय
ECAD 6799 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F00AP33 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 सराय सराय 1gbit 105 एनएस चमक 64 सिया x 16 तपस्वी 105NS
MT29F2G08ABBEAHC:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAHC: E -
सराय
ECAD 1730 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F2G08 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((10.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k तपस्वी -
M25P16-VMN3YPB Micron Technology Inc. M25P16-VMN3YPB -
सराय
ECAD 4965 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) M25P16 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 280 75 सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
MT41K1G8TRF-107:E TR Micron Technology Inc. MT41K1G8TRF-107: E TR -
सराय
ECAD 4950 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41K1G8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9.5x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 8gbit 20 एनएस घूंट 1 जी x 8 तपस्वी -
MT25TL256HBA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL256HBA8ESF-0AAT -
सराय
ECAD 6096 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) MT25TL256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR Micron Technology Inc. Mt29f1g01abbfdwb-it: f tr 3.4600
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-UDFN MT29F1G01 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 8-UPDFN (8x6) (MLP8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 सराय 1gbit चमक 1 जी x 1 एसपीआई -
MT46V8M16P-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V8M16P-5B: D TR -
सराय
ECAD 3331 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V8M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 २०० सराय सराय 128Mbit 700 पीएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
N25Q128A21BSF40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A21BSF40F TR -
सराय
ECAD 2032 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) N25Q128A21 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 16-SOP2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 5ms
NAND32GW3F4AN6E Micron Technology Inc. NAND32GW3F4AN6E -
सराय
ECAD 9054 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) Nand32g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -Nand32gw3f4an6e 3A991B1A 8542.32.0051 96 सराय 32Gbit 50 एनएस चमक 4 जी x 8 तपस्वी 50NS
MT49H16M16FM-5 TR Micron Technology Inc. MT49H16M16FM-5 TR -
सराय
ECAD 6053 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H16M16 घूंट 1.7V ~ 1.95V 144-ofbga (18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 २०० सराय सराय 256Mbit घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NK-062 WT ES: B TR -
सराय
ECAD 1870 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
MT46H128M32L2MC-6 IT:A Micron Technology Inc. MT46H128M32L2MC-6 IT: A -
सराय
ECAD 6732 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 240-WFBGA MT46H128M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 240-WFBGA (14x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 १६६ सराय सराय 4 जीबिट 5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी 15NS
EDFP112A3PB-JDTJ-F-D Micron Technology Inc. EDFP112A3PB-JDTJ-FD -
सराय
ECAD 6815 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - EDFP112 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,190 933 सरायम सराय 24gbit घूंट 192 वायर x 128 तपस्वी -
MT47H64M8CB-25:B Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-25: B -
सराय
ECAD 8606 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-एफबीजीए MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-एफबीजीए तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 ४०० सराय सराय 512MBIT 400 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT48V4M32LFF5-8:G TR Micron Technology Inc. MT48V4M32LFF5-8: G TR -
सराय
ECAD 4155 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48V4M32 SDRAM - KANAN LPSDR 2.3V ~ 2.7V 90-((8x13) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १२५ सराय सराय 128Mbit 7 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AMEBBH7-12: B TR -
सराय
ECAD 2728 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 152-टीबीजीए MT29F256G08 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.5V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
MT29F16G16ADBCAH4-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G16ADBCAH4-IT: C TR -
सराय
ECAD 2141 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F16G16 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 16Gbit चमक 1 जी x 16 तपस्वी -
ECF440AACCN-V6-Y3 Micron Technology Inc. ECF440AACCN-V6-Y3 -
सराय
ECAD 3688 0.00000000 तमाम - थोक शिर ECF440 - 3 (168 घंटे) तमाम 0000.00.0000 1
MT48LC16M16A2FG-7E:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2FG-7E: D TR -
सराय
ECAD 9204 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48LC16M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-((8x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 14NS
MT47H128M8CF-3 AIT:H TR Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-3 AIT: H TR -
सराय
ECAD 7597 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,000 ३३३ सरायम सराय 1gbit 450 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
MT35XL256ABA1GSF-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL256ABA1GSF-0AAT -
सराय
ECAD 6890 0.00000000 तमाम XCCELA ™ - MT35X थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C सतह rurcur 24-टीबीजीए Mt35xl256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,440 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 XCCELA बस -
MT46V64M8BN-6 IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-6 IT: F TR -
सराय
ECAD 9394 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA MT46V64M8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-((10x12.5) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 167 अय्यर सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT29GZ6A6BPIET-53IT.112 TR Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-53IT.112 TR 16.7100
सराय
ECAD 1309 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT29GZ6A6BPIET-53IT.112TR 2,000
MT40A512M16TB-062E:J Micron Technology Inc. MT40A512M16TB-062E: J -
सराय
ECAD 7804 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((7.5x13.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,020 1.6 GHz सराय 8gbit 19 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 15NS
MT48H8M32LFB5-75:H Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-75: H -
सराय
ECAD 5289 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48H8M32 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.95V 90-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम