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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT42L32M32D1HE-18 IT:D TR Micron Technology Inc. MT42L32M32D1HE-18 IT: D TR 5.6250
सराय
ECAD 8981 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-वीएफबीजीए MT42L32M32 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 134-((10x11.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT42L32M32D1HE-18IT: DTR Ear99 8542.32.0032 1,000 ५३३ सरायम सराय 1gbit घूंट ३२ सिया x ३२ तपस्वी 15NS
MT25QL128ABA1ESE-MSIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1ES-MSIT -
सराय
ECAD 1111 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) MT25QL128 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-sop2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
N25Q256A13E1240E Micron Technology Inc. N25Q256A13E1240E -
सराय
ECAD 8129 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए N25Q256A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-1564 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 सराय सराय 256Mbit चमक 64 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT53D1024M32D4NQ-046 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 WT: D TR -
सराय
ECAD 2726 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-वीएफबीजीए MT53D1024 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-((10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 2,000 २.१३३ सरायम सराय 32Gbit घूंट 1 जी x 32 - -
MT25QL512ABA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABA8ESF-0SIT TR -
सराय
ECAD 6619 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) MT25QL512 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT57W512H36JF-4 Micron Technology Inc. MT57W512H36JF-4 28.0100
सराय
ECAD 235 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए MT57W512H SRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 165-((13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 २५० तंग सराय 18mbit 4 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10RZ: ए -
सराय
ECAD 4274 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए MT29F512G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 100-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 सराय सराय 512GBIT चमक 64G x 8 तपस्वी -
MT47H128M8B7-5E:A Micron Technology Inc. MT47H128M8B7-5E: ए -
सराय
ECAD 7319 0.00000000 तमाम - शिर Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 92-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 92-((11x19) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,000 २०० सराय सराय 1gbit 600 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
MT44K64M18RB-083E:A TR Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-083E: A TR -
सराय
ECAD 4059 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 168-TBGA MT44K64M18 Rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-((13.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 1.2 GHz सराय 1.125GBIT 7.5 एनएस घूंट 64 सिया x 18 तपस्वी -
MTFC64GJVDN-IT Micron Technology Inc. Mtfc64gjvdn-it -
सराय
ECAD 1158 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 169-LFBGA MTFC64 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 169-LFBGA (14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 512GBIT चमक 64G x 8 एमएमसी -
MT25QL01GBBB8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB8ESF-0AAT 18.1100
सराय
ECAD 6341 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) MT25QL01 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -791-MT25QL01GBBB8ESF-0AAT 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 १३३ सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT46V32M16TG-75 L:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-75 L: C TR -
सराय
ECAD 5372 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-स - रोहस 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 750 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT42L128M32D2MH-3 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M32D2MH-3 IT: A -
सराय
ECAD 8670 0.00000000 तमाम - थोक शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-वीएफबीजीए MT42L128M32 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 134-FBGA (11x11.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 ३३३ सरायम सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी -
MTFC8GAMALBH-AAT ES Micron Technology Inc. Mtfc8gamalbh-aat es -
सराय
ECAD 8758 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 153-TFBGA Mtfc8 फmume - नंद - 153-TFBGA (11.5x13) - 1 (असीमित) 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
NAND512W4A0AN6E Micron Technology Inc. NAND512W4A0AN6E -
सराय
ECAD 9190 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) Nand512 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-स - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 576 सराय 512MBIT 50 एनएस चमक 32 सिया x 16 तपस्वी 50NS
MT46V64M4P-6T:K Micron Technology Inc. MT46V64M4P-6T: k -
सराय
ECAD 1704 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V64M4 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 167 अय्यर सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 64 सिया x 4 तपस्वी 15NS
M25P20-VMP6G Micron Technology Inc. M25P20-VMP6G -
सराय
ECAD 9140 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar M25P20 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 294 ५० सभा सराय 2mbit चमक 256K x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
MT49H16M36SJ-18 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-18 IT: B TR 63.7350
सराय
ECAD 8681 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H16M36 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-((18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 ५३३ सरायम सराय 576MBIT 15 एनएस घूंट 16 सिया x 36 तपस्वी -
MT44K32M36RB-083E:A Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-083E: ए -
सराय
ECAD 2017 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 168-TBGA MT44K32M36 Rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-((13.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,190 1.2 GHz सराय 1.125GBIT 7.5 एनएस घूंट 32 सिया x 36 तपस्वी -
MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT Micron Technology Inc. MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT -
सराय
ECAD 2921 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए MT29C8G96 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.9V 168-वीएफबीजीए (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,008 २०8 सींग 8GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) अफ़म, रत्न 512M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
MT41K256M16V90BWC1 Micron Technology Inc. MT41K256M16V90BWC1 -
सराय
ECAD 1938 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) - - MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1 सराय 4 जीबिट घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी -
EDB8164B4PK-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB8164B4PK-1D-FD -
सराय
ECAD 4276 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 220-WFBGA EDB8164 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 220-((14x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,260 ५३३ सरायम सराय 8gbit घूंट 128 सिया x 64 तपस्वी -
MT53E512M16D1FW-046 AAT:D TR Micron Technology Inc. MT53E512M16D1FW-046 AAT: D TR 10.3200
सराय
ECAD 6137 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M16D1FW-046AAT: DTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 8gbit 3.5 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 18NS
MT29F256G08CECABH6-6:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CECABH6-6: ए -
सराय
ECAD 3587 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 152-वीबीजीए MT29F256G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 152-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १६६ सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
MT46V128M4BN-6:F Micron Technology Inc. MT46V128M4BN-6: F -
सराय
ECAD 9830 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-((10x12.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 167 अय्यर सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 128 सिया x 4 तपस्वी 15NS
MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAEAWP-AIT: E 4.2900
सराय
ECAD 215 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F2G16 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 960 सराय 2 जीबिट चमक 128 सिया x 16 तपस्वी -
M28W640HST70ZA6F TR Micron Technology Inc. M28W640HST70ZA6F TR -
सराय
ECAD 3731 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-TFBGA M28W640 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-TFBGA (10.5x6.39) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 2,500 सराय 64mbit 70 एनएस चमक 4 सिया x 16 तपस्वी 70NS
N25Q128A11ESECFF TR Micron Technology Inc. N25Q128A11ECFF TR -
सराय
ECAD 5197 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) N25Q128A11 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 8-sop2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,500 108 सराय सराय 128Mbit चमक 32 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MTFC8GAKAJCN-4M IT TR Micron Technology Inc. Mtfc8gakajcn-4m यह tr -
सराय
ECAD 8525 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए Mtfc8 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
MT29F8G08ABABAWP-ITX:B Micron Technology Inc. MT29F8G08ABABAWP-ITX: B -
सराय
ECAD 9421 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F8G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 960 सराय 8gbit चमक 1 जी x 8 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम