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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT29F1T08EELEEJ4-R:E Micron Technology Inc. MT29F1T08EELEEJ4-R: E 21.4500
सराय
ECAD 1840 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर 0 ° C ~ 70 ° C सतह rurcur 132-वीबीजीए फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.6V ~ 3.6V 132-((12x18) - 557-MT29F1T08EELEEJ4-R: E 1 सराय 1tbit चमक 128g x 8 तपस्वी -
PC28F256P33BFR Micron Technology Inc. PC28F256P33BFR -
सराय
ECAD 8441 0.00000000 तमाम एकmuth ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F256 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 64-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 864 ५२ सराय सराय 256Mbit 95 एनएस चमक 16 सिया x 16 तपस्वी 95NS
MTFC256GBAOANAM-WT ES TR Micron Technology Inc. MTFC256GBAOANAM-WT ES TR -
सराय
ECAD 9937 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MTFC256 फmume - नंद - - - 1 (असीमित) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 2tbit चमक 256G x 8 एमएमसी -
MT58L512L18FF-10 Micron Technology Inc. MT58L512L18FF-10 16.5800
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए SRAM - SANANY 3.135V ~ 3.6V 165-((13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1 ६६ सराय सराय 8mbit 10 एनएस शिर 512K x 18 तपस्वी -
MT25QL512ABB8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8ESF-0AAT 8.1150
सराय
ECAD 8817 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) MT25QL512 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -791-MT25QL512ABB8ESF-0AAT 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT42L128M32D1U80MWC2 Micron Technology Inc. MT42L128M32D1U80MWC2 -
सराय
ECAD 4915 0.00000000 तमाम - थोक शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT42L128M32 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.3V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1 सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी -
MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AITX: E 5.1300
सराय
ECAD 880 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F2G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 960 सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k तपस्वी -
MT48LC8M16A2P-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A: G: G: G: -
सराय
ECAD 3650 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC8M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 167 अय्यर सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 12NS
MT53E128M32D2DS-046 AUT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-046 AUT: A 12.1200
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53E128 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT53E128M32D2DS-046AUT: ए Ear99 8542.32.0036 1,360 २.१३३ सरायम सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 - -
N25Q512A13GF840F TR Micron Technology Inc. N25Q512A13GF840F TR -
सराय
ECAD 4298 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar N25Q512A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((एमएलपी 8) (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 सराय सराय 512MBIT चमक 128 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT46H16M16LFBF-6:H Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-6: H -
सराय
ECAD 5095 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-वीएफबीजीए MT46H16M16 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-((8x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १६६ सराय सराय 256Mbit 5 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 12NS
MTFC64GAQAMEA-WT TR Micron Technology Inc. MTFC64GAQAMEA-WT TR -
सराय
ECAD 8668 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-WFBGA MTFC64 फmume - नंद - 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 512GBIT चमक 64G x 8 एमएमसी -
MTFC4GMXEA-WT Micron Technology Inc. Mtfc4gmxea-wt -
सराय
ECAD 5384 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-WFBGA Mtfc4 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 एमएमसी -
MT47H1G4WTR-25E:C TR Micron Technology Inc. MT47H1G4WTR-25E: C TR -
सराय
ECAD 3615 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 63-एफबीजीए MT47H1G4 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 63-FBGA (9x11.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ४०० सराय सराय 4 जीबिट 400 पीएस घूंट 1 जी x 4 तपस्वी 15NS
MT53D512M32D2DS-046 IT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 IT: D TR -
सराय
ECAD 8916 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT53D512M32D2DS-046IT: DTR Ear99 8542.32.0036 2,000 २.१३३ सरायम सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 - -
M50FLW040AK5G Micron Technology Inc. M50FLW040AK5G -
सराय
ECAD 5192 0.00000000 तमाम - नली शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-जे (जे-लीड) M50FLW040 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 32 ३३ सराय सराय 4Mbit 250 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी -
MT40A1G8WE-075E:D Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E: D -
सराय
ECAD 1954 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-एफबीजीए (8x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,140 १.३३ तंग सराय 8gbit घूंट 1 जी x 8 तपस्वी -
N25Q128A13TF840E Micron Technology Inc. N25Q128A13TF840E -
सराय
ECAD 2648 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar N25Q128A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((एमएलपी 8) (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 सराय सराय 128Mbit चमक 32 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
M29W320DB80ZA3F TR Micron Technology Inc. M29W320DB80ZA3F TR -
सराय
ECAD 4938 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 63-TFBGA M29W320 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 63-TFBGA (7x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 सराय 32Mbit 80 एनएस चमक 4M x 8, 2M x 16 तपस्वी 80NS
MT28F800B3WG-9 T Micron Technology Inc. MT28F800B3WG-9 T -
सराय
ECAD 2046 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F800B3 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 48-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 8mbit 90 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 90NS
MT46H16M32LFCX-6 IT:B Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCX-6 IT: B -
सराय
ECAD 6055 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT46H16M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-((9x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १६६ सराय सराय 512MBIT 5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी 15NS
M25PX80-VMN6TPBA TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMN6TPBA TR -
सराय
ECAD 5045 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) M25PX80 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0071 2,500 75 सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
M50FW040K5G Micron Technology Inc. M50FW040K5G -
सराय
ECAD 3337 0.00000000 तमाम - नली शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-जे (जे-लीड) M50FW040 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 32 ३३ सराय सराय 4Mbit 250 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी -
MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR Micron Technology Inc. MT53D256M64D4KA-046 XT: B TR -
सराय
ECAD 1561 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53D256 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 २.१३३ सरायम सराय 16Gbit घूंट २५६ वायर x ६४ - -
MT48LC4M16A2TG-7E IT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-7E IT: G -
सराय
ECAD 8819 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC4M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी 14NS
MT29F128G08AKAAAC5:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AKAAAC5: ए -
सराय
ECAD 2020 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 52-वीएलजीए MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 AIT: B TR -
सराय
ECAD 8690 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53B384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
MT28F008B3VG-9 TET TR Micron Technology Inc. MT28F008B3VG-9 TET TR -
सराय
ECAD 2922 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 40-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी rana) MT28F008B3 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 40-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 8mbit 90 एनएस चमक 1 सिया x 8 तपस्वी 90NS
MT48V4M32LFB5-8 XT:G Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-8 XT: G -
सराय
ECAD 5109 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay -20 ° C ~ 75 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48V4M32 SDRAM - KANAN LPSDR 2.3V ~ 2.7V 90-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १२५ सराय सराय 128Mbit 7 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MT47H256M8THN-3:H Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-3: H -
सराय
ECAD 5471 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 63-TFBGA MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 63-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ३३३ सरायम सराय 2 जीबिट 450 पीएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम