SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
M29W160FB70N3E Micron Technology Inc. M29W160FB70N3E -
सराय
ECAD 1208 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W160 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 2m x 8, 1m x 16 तपस्वी 70NS
JS28F320J3D75A Micron Technology Inc. JS28F320J3D75A -
सराय
ECAD 6854 0.00000000 तमाम Strataflash ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F320J3 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 576 सराय 32Mbit 75 एनएस चमक 4M x 8, 2M x 16 तपस्वी 75NS
MT28HL16GPBB3EBK-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL16GPBB3EBK-0GCT -
सराय
ECAD 4639 0.00000000 तमाम - थोक शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 270
JS28F640J3F75E Micron Technology Inc. JS28F640J3F75E -
सराय
ECAD 4801 0.00000000 तमाम Strataflash ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F640J3 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 96 सराय 64mbit 75 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी 75NS
MT25QU128ABA1EW9-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA1EW9-0SIT TR 2.9762
सराय
ECAD 2662 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana MT25QU128 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 8-WPDFN (8x6) (MLP8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT41K1G8TRF-107:E Micron Technology Inc. MT41K1G8TRF-107: E -
सराय
ECAD 6269 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41K1G8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9.5x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 8gbit 20 एनएस घूंट 1 जी x 8 तपस्वी -
MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABH2-10itz: एक TR -
सराय
ECAD 4343 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-टीबीजीए MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 सराय सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
MT29F1G08ABADAWP-ITX:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAWP-ITX: D TR -
सराय
ECAD 7990 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F1G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी -
MT46V32M16TG-75E:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-75E: C TR -
सराय
ECAD 5255 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-स - रोहस 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 750 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT47H32M16CC-37E L:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M16CC-37E L: B TR -
सराय
ECAD 1796 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-((12x12.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 267 सराय 512MBIT 500 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT28F400B3SG-8 T TR Micron Technology Inc. Mt28f400b3sg-8 t tr -
सराय
ECAD 3871 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-SCIC (0.496 ", 12.60 मिमी rana) MT28F400B3 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 44- तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 500 सराय 4Mbit 80 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 80NS
MT29F1G08ABADAWP-ITE:D Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAWP-ITE: D -
सराय
ECAD 3869 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F1G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी -
N25Q256A83E1240E Micron Technology Inc. N25Q256A83E1240E -
सराय
ECAD 3273 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए N25Q256A83 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-1567 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 सराय सराय 256Mbit चमक 64 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT29F8G16ADBDAH4-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F8G16ADBDAH4-IT: D TR -
सराय
ECAD 9877 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F8G16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 8gbit चमक ५१२ सिया x १६ तपस्वी -
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DAAT-FD -
सराय
ECAD 4493 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 134-वीएफबीजीए EDB1332 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-((10x11.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 2,100 ५३३ सरायम सराय 1gbit घूंट ३२ सिया x ३२ तपस्वी -
MT48LC8M32LFF5-8 TR Micron Technology Inc. Mt48lc8m32lff5-8 tr -
सराय
ECAD 5804 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48LC8M32 SDRAM - KANAN LPSDR 3V ~ 3.6V 90-((8x13) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १२५ सराय सराय 256Mbit 7 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 15NS
MT29F1G16ABCHC:C Micron Technology Inc. MT29F1G16ABCHC: C -
सराय
ECAD 6575 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((10.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 1gbit चमक 64 सिया x 16 तपस्वी -
N25Q008A11EF440E Micron Technology Inc. N25Q008A11EF440E -
सराय
ECAD 6725 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) N25Q008A1111 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 490 108 सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 5ms
N25Q256A11E1241E Micron Technology Inc. N25Q256A11E1241E -
सराय
ECAD 2922 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए N25Q256A11 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 187 108 सराय सराय 256Mbit चमक 64 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT29F128G08CFABBWP-12IT:B Micron Technology Inc. MT29F128G08CFABBWP-12IT: B -
सराय
ECAD 5793 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 960 83 सराय सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
MT29F2G16ABAGAWP-AIT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAGAWP-AAT: G TR 2.5267
सराय
ECAD 3869 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F2G16 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT29F2G16ABAGAWP-AIT: GTR 8542.32.0071 1,000 सराय 2 जीबिट चमक 128 सिया x 16 तपस्वी -
MT53B256M64D2NV MS TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NV MS TR -
सराय
ECAD 7142 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B256 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 2,000 सराय 16Gbit घूंट २५६ वायर x ६४ - -
PC28F256G18AE Micron Technology Inc. PC28F256G18AE -
सराय
ECAD 2450 0.00000000 तमाम Strataflash ™ नली शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F256 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 64-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 १३३ सराय सराय 256Mbit 96 एनएस चमक 16 सिया x 16 तपस्वी 96NS
MT62F1536M64D8EK-023 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023 AUT: B TR 109.0500
सराय
ECAD 2022 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 441-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1536M64D8EK-023AUT: BTR 1,500 ४.२६६ तंग सराय 96gbit घूंट 1.5GX 64 तपस्वी -
MT47H256M8EB-25E IT:C TR Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E IT: C TR -
सराय
ECAD 1732 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((9x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ४०० सराय सराय 2 जीबिट 400 पीएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
MT41J128M16HA-15E AAT:D Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-15E AAT: D -
सराय
ECAD 6704 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-((9x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 667 तंग सराय 2 जीबिट 13.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी -
MT47H128M8SH-187E:M Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-187E: m -
सराय
ECAD 8463 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,518 ५३३ सरायम सराय 1gbit 350 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
MT25QL256BBB1EW7-CSIT TR Micron Technology Inc. MT25QL256BBB1EW7-CSIT TR 5.6550
सराय
ECAD 3259 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WPDFN (6x5) (MLP8) - 557-MT25QL256BBB1EW7-CSITTR 4,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 1.8ms
M25PX64-VME6TG TR Micron Technology Inc. M25PX64-VME6TG TR -
सराय
ECAD 1959 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar M25PX64 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((एमएलपी 8) (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 75 सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
MT62F3G32D8DV-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 WT: B 67.8450
सराय
ECAD 1304 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर -25 ° C ~ 85 ° C - - SDRAM - SDANA LPDDR5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-023WT: B 1 ४.२६६ तंग सराय 96gbit घूंट 3 जी x 32 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम