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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
JS28F512P30EFA Micron Technology Inc. JS28F512P30EFA -
सराय
ECAD 1897 0.00000000 तमाम एकmuth ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F512P30 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 सराय सराय 512MBIT 110 एनएस चमक 32 सिया x 16 तपस्वी 110NS
MT47H64M16BT-5E:A Micron Technology Inc. MT47H64M16BT-5E: ए -
सराय
ECAD 9794 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 92-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 92-((11x19) तंग Rohs3 आजthabaira 5 (48 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,000 २०० सराय सराय 1gbit 600 पीएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT53E4DCDT-DC TR Micron Technology Inc. MT53E4DCDT-DC TR 22.5000
सराय
ECAD 6155 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर Mt53e4 - तमाम 557-MT53E4DCDT-DCTR 2,000
MT29F128G08CBEABH6-12:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CBEABH6-12: ए -
सराय
ECAD 4785 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 152-वीबीजीए MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 152-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 सराय सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
MT53E256M32D2DS-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 WT: B TR 11.6400
सराय
ECAD 9807 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53E256 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT53E256M32D2DS-046WT: BTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 8gbit घूंट २५६ वायर x ३२ - -
MT46H16M32LFCM-6 IT TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCM-6 IT TR -
सराय
ECAD 6091 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT46H16M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-((10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १६६ सराय सराय 512MBIT 5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A Micron Technology Inc. MT42L32M32D2AC-25 FAAT: A -
सराय
ECAD 5463 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 134-वीएफबीजीए MT42L32M32 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-((10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0032 1,000 ४०० सराय सराय 1gbit घूंट ३२ सिया x ३२ तपस्वी -
MT29F32G08ABCABH1-10:A Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCABH1-10: ए -
सराय
ECAD 8425 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-वीबीजीए MT29F32G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 सराय सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 तपस्वी -
MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M64D4KA-046 XT ES: E TR -
सराय
ECAD 6174 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53D384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - 1 (असीमित) Ear99 8542.32.0036 2,000 २.१३३ सरायम सराय 24gbit घूंट 384M x 64 - -
MT48LC64M8A2P-7E:C TR Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2P-7E: C TR -
सराय
ECAD 6706 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC64M8A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT58L256L32FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L32FT-7.5 15.6400
सराय
ECAD 37 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp SRAM - SANANY 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1 ११३ सराय सराय 8mbit 7.5 एनएस शिर 256K x 32 तपस्वी -
MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-046 WT: एक TR 6.7200
सराय
ECAD 5739 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53E128 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT53E128M32D2DS-046WT: ATR Ear99 8542.32.0036 2,000 २.१३३ सरायम सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 - -
MT28F800B3SG-9 BET Micron Technology Inc. MT28F800B3SG-9 THERCHEN -
सराय
ECAD 9228 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-SCIC (0.496 ", 12.60 मिमी rana) MT28F800B3 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 44- तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 500 सराय 8mbit 90 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 90NS
MT29RZ8C4DZZHGPL-18 W.81U Micron Technology Inc. MT29RZ8C4DZZHGPL-18 W.81U -
सराय
ECAD 9285 0.00000000 तमाम - थोक शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
N25Q00AA13GSF40F TR Micron Technology Inc. N25Q00AAAA13GSF40F TR -
सराय
ECAD 5428 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) N25Q00AAA13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 सराय सराय 1gbit चमक २५६ वायर x ४ एसपीआई 8ms, 5ms
MT48LC8M16A2P-7E IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-7E IT: G -
सराय
ECAD 2307 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC8M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 14NS
MT48V8M32LFF5-8 IT Micron Technology Inc. MT48V8M32LFF5-8 यह यह -
सराय
ECAD 7536 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48V8M32 SDRAM - KANAN LPSDR 2.3V ~ 2.7V 90-((8x13) - रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १२५ सराय सराय 256Mbit 7 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 15NS
MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-6 AAT: C -
सराय
ECAD 9091 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48H32M16 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.95V 54-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,000 १६६ सराय सराय 512MBIT 5 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT48H4M16LFB4-75 IT:H TR Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-75 IT: H TR -
सराय
ECAD 8175 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48H4M16 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.9V 54-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AUT: B TR -
सराय
ECAD 8613 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz सराय 4 जीबिट घूंट 512M x 8 तपस्वी -
MT46V32M16BN-75 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-75 IT: C TR -
सराय
ECAD 9696 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-((10x12.5) - Rohs3 आजthabaira 5 (48 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 750 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT46V32M16CY-5B IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16CY-5B IT: J TR 6.2250
सराय
ECAD 5371 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 60-((8x12.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT48LC2M32B2B5-6A:J TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-6A: J TR -
सराय
ECAD 1824 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48LC2M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 167 अय्यर सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी 12NS
MT25TL512HBA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TL512HBA8ESF-0SIT TR -
सराय
ECAD 4526 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) MT25TL512 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT48LC4M16A2TG-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-7E: G TR -
सराय
ECAD 4330 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC4M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी 14NS
MT53D512M64D8HR-053 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D8HR-053 WT: B TR -
सराय
ECAD 3728 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 366-WFBGA MT53D512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 366-WFBGA (12x12.7) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) MT53D512M64D8HR-053WT: BTR शिर 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
M50FW040K5G Micron Technology Inc. M50FW040K5G -
सराय
ECAD 3337 0.00000000 तमाम - नली शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-जे (जे-लीड) M50FW040 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 32 ३३ सराय सराय 4Mbit 250 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी -
MT62F1536M32D4DS-026 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 AIT: B 43.5300
सराय
ECAD 6163 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर - सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 - 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1536M32D4DS-026AIT: B 1 3.2 GHz सराय 48gbit घूंट 1.5GX 32 तपस्वी -
MT29F128G08CFABBWP-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CFABBWP-12: B TR -
सराय
ECAD 4025 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 सराय सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
M29DW323DT70ZE6F TR Micron Technology Inc. M29DW323DT70ZE6F TR -
सराय
ECAD 6244 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA M29DW323 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 सराय 32Mbit 70 एनएस चमक 4M x 8, 2M x 16 तपस्वी 70NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम