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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT29F1T08EBLCHD4-QJ:C Micron Technology Inc. Mt29f1t08eblchd4-qj: c 20.9850
सराय
ECAD 1596 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29F1T08EBLCHD4-QJ: C 1
MT48H8M16LFB4-8:J Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-8: j -
सराय
ECAD 4269 0.00000000 तमाम - शिर Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48H8M16 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.9V 54-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १२५ सराय सराय 128Mbit 7 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
M29DW323DB7AN6F TR Micron Technology Inc. M29dw323db7an6f tr -
सराय
ECAD 5816 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29DW323 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 सराय 32Mbit 70 एनएस चमक 4M x 8, 2M x 16 तपस्वी 70NS
MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 IT: B TR 12.8100
सराय
ECAD 8131 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53E256 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT53E256M32D2DS-046IT: BTR Ear99 8542.32.0036 2,000 २.१३३ सरायम सराय 8gbit घूंट २५६ वायर x ३२ - -
M29W200BT70N6E Micron Technology Inc. M29W200BT70N6E -
सराय
ECAD 2281 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W200 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-स - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 2mbit 70 एनएस चमक 256K x 8, 128K x 16 तपस्वी 70NS
MT41J128M16HA-187E:D Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-187E: डी -
सराय
ECAD 4185 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-((9x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ५३३ सरायम सराय 2 जीबिट 13.125 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी -
MT29F2G16ABAEAWP:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAEAWP: E TR -
सराय
ECAD 8332 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F2G16 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 2 जीबिट चमक 128 सिया x 16 तपस्वी -
M29F200BT70N1 Micron Technology Inc. M29F200BT70N1 -
सराय
ECAD 1802 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29F200 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-स - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 2mbit 70 एनएस चमक 256K x 8, 128K x 16 तपस्वी 70NS
MT48LC4M32LFF5-10:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFF5-10: जी -
सराय
ECAD 7065 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48LC4M32 SDRAM - KANAN LPSDR 3V ~ 3.6V 90-((8x13) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 100 सराय सराय 128Mbit 7 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MT62F1G64D4EK-023 WT:C Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 WT: C 68.0400
सराय
ECAD 3224 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर -25 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 441-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023WT: C 1 २.१३३ सरायम सराय 64gbit घूंट 1 जी x 64 तपस्वी -
PC28F128J3D75D TR Micron Technology Inc. PC28F128J3D75D TR -
सराय
ECAD 7327 0.00000000 तमाम Strataflash ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F128 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-Easybga (10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 सराय 128Mbit 75 एनएस चमक 16M x 8, 8m x 16 तपस्वी 75NS
M29W400DB70ZE6E Micron Technology Inc. M29W400DB70ZE6E -
सराय
ECAD 7583 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA M29W400 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x9) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 187 सराय 4Mbit 70 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 70NS
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR -
सराय
ECAD 2476 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 137-वीएफबीजीए MT29C4G48 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-((13x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सींग 4 जीबिट (नंद), 2 जीबिट (therएम) अफ़म, रत्न 256M x 16 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F768G08EECBBJ4-37ES: B TR -
सराय
ECAD 4890 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F768G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 सराय 768GBIT चमक 96G x 8 तपस्वी -
MT29VZZZCD9GQKPR-046 W.12L TR Micron Technology Inc. MT29VZZZCD9GQKPR-046 W.12L TR 81.4800
सराय
ECAD 9100 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT29VZZZCD9GQKPR-046W.12LTR 2,000
MT46V64M8P-5B IT:J TR Micron Technology Inc. Mt46v64m8p-5b यह: j tr -
सराय
ECAD 7635 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V64M8 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT53D2DADS-DC TR Micron Technology Inc. MT53D2DADS-DC TR -
सराय
ECAD 2461 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर MT53D2 - 3 (168 घंटे) तमाम 0000.00.0000 2,000
MT29F1G16ABBEAH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAH4: E TR -
सराय
ECAD 9086 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 1gbit चमक 64 सिया x 16 तपस्वी -
MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A IT: G TR 5.7300
सराय
ECAD 20 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC16M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,000 167 अय्यर सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 12NS
MT38W2011A90YZQXZI.X68 Micron Technology Inc. MT38W2011A90YZQXZI.X68 -
सराय
ECAD 5920 0.00000000 तमाम - थोक शिर MT38W2011 - 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 1,518
M29W160EB90N6 Micron Technology Inc. M29W160EB90N6 -
सराय
ECAD 5224 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W160 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 16Mbit 90 एनएस चमक 2m x 8, 1m x 16 तपस्वी 90NS
MT25QU128ABA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8ESF-0AAT 4.7300
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) MT25QU128 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 16-SOP2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
M25PX16SOVZM6TP TR Micron Technology Inc. M25px16sovzm6tp tr -
सराय
ECAD 9258 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए M25PX16 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,500 75 सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
MTFC64GAZAQHD-AIT Micron Technology Inc. MTFC64GAZAQHD-AIT 38.9100
सराय
ECAD 1220 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए MTFC64 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MTFC64GAZAQHD-AIT 1 सराय 512GBIT चमक 64G x 8 ईएमएमसी -
MTFC4GLMDQ-AIT Z TR Micron Technology Inc. Mtfc4glmdq-ait z tr -
सराय
ECAD 8775 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए Mtfc4 फmume - नंद - 100-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 एमएमसी -
MTFC16GJDEC-4M IT Micron Technology Inc. MTFC16GJDEC-4M यह -
सराय
ECAD 4997 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 169-WFBGA Mtfc16g फmume - नंद 1.65V ~ 3.6V 169-WFBGA (14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
MT53D768M64D8SQ-046 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D768M64D8SQ-046 WT ES: E -
सराय
ECAD 4137 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 556-वीएफबीजीए MT53D768 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 556-‘(12.4x12.4) - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,360 २.१३३ सरायम सराय 48gbit घूंट 768M x 64 - -
MT49H16M18CSJ-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H16M18CSJ-25 IT: B -
सराय
ECAD 9374 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H16M18 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-((18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 ४०० सराय सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 16 सिया x 18 तपस्वी -
MT46V16M16P-6T L:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-6T L: F TR -
सराय
ECAD 6859 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V16M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 167 अय्यर सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT48LC32M16A2P-75 IT:C Micron Technology Inc. MT48LC32M16A2P-75 IT: C -
सराय
ECAD 3661 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC32M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग रोहस 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम