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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
NAND02GAH0LZC5E Micron Technology Inc. Nand02gah0lzc5e -
सराय
ECAD 8884 0.00000000 तमाम - शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-LFBGA Nand02g फmume - नंद 3.135V ~ 3.465V 153-LFBGA (11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -Nand02gah0lzc5e 3A991B1A 8542.32.0071 136 ५२ सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k एमएमसी -
MT53E128M32D2DS-053 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 WT: एक TR 6.5700
सराय
ECAD 6912 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53E128 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT53E128M32D2DS-053WT: ATR Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 - -
MT47H64M8CF-25E:G TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E: G TR -
सराय
ECAD 3189 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,000 ४०० सराय सराय 512MBIT 400 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT28F400B5WP-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F400B5WP-8 TET TR -
सराय
ECAD 4129 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F400B5 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 4Mbit 80 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 80NS
MT58V1MV18FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58V1MV18FT-7.5 18.7900
सराय
ECAD 154 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp SRAM - SANANY 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 18mbit शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
MT62F2G32D4DS-023 AUT:C Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AUT: C 73.4400
सराय
ECAD 5114 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT62F2G32D4DS-023AUT: C 1
MT46V64M8CY-5B AIT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8CY-5B AIT: J TR -
सराय
ECAD 2993 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA MT46V64M8 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 60-((8x12.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT48V8M32LFB5-10 IT TR Micron Technology Inc. MT48V8M32LFB5-10 यह TR -
सराय
ECAD 2422 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48V8M32 SDRAM - KANAN LPSDR 2.3V ~ 2.7V 90-((8x13) - Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 100 सराय सराय 256Mbit 7 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 15NS
MT48LC32M8A2P-6A:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-6A: D -
सराय
ECAD 8165 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC32M8A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 167 अय्यर सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 8 तपस्वी 12NS
MT40A2G4TRF-083E:A Micron Technology Inc. MT40A2G4TRF-083E: ए -
सराय
ECAD 7516 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA Mt40a2g4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9.5x11.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 1.2 GHz सराय 8gbit घूंट 2 जी x 4 तपस्वी -
M29W800DB70M6 Micron Technology Inc. M29W800DB70M6 -
सराय
ECAD 4504 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-SCIC (0.525 ", 13.34 मिमी rana) M29W800 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 44- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 16 सराय 8mbit 70 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 70NS
PC28F128P33B85A Micron Technology Inc. PC28F128P33B85A -
सराय
ECAD 6813 0.00000000 तमाम Strataflash ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F128 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 64-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 ५२ सराय सराय 128Mbit 85 एनएस चमक 8 सिया x 16 तपस्वी 85NS
MT29F4G08ABAEAH4-S:E Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4-S: E -
सराय
ECAD 7765 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F4G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 तपस्वी -
MT41K1G16DGA-125:A Micron Technology Inc. MT41K1G16DGA-125: ए -
सराय
ECAD 2317 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K1G16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9.5x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,020 800 तंग सराय 16Gbit 13.75 एनएस घूंट 1 जी x 16 तपस्वी -
MT29F64G08CECCBH1-12:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12: सी -
सराय
ECAD 1330 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-वीबीजीए MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
MT29F8G16ABACAH4:C Micron Technology Inc. Mt29f8g16acah4: c -
सराय
ECAD 7737 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F8G16 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 8gbit चमक ५१२ सिया x १६ तपस्वी -
MT53D1024M32D4DT-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-053 WT: D TR -
सराय
ECAD 7050 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-वीएफबीजीए MT53D1024 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-((10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz सराय 32Gbit घूंट 1 जी x 32 - -
MT49H32M18CBM-18:B Micron Technology Inc. MT49H32M18CBM-18: बी: बी: बी -
सराय
ECAD 7752 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H32M18 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-ofbga (18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 ५३३ सरायम सराय 576MBIT 15 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
MT41J128M16JT-107:K Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-107: k -
सराय
ECAD 5378 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-((8x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,368 933 सरायम सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी -
MT55L256L18F1T-11 Micron Technology Inc. MT55L256L18F1T-111TT 4.4800
सराय
ECAD 558 0.00000000 तमाम ZBT® थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp SRAM - ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1 90 तंग सराय 4Mbit 8.5 एनएस शिर 256K x 18 तपस्वी -
N25Q128A13ESE40G Micron Technology Inc. N25Q128A13ESE40G -
सराय
ECAD 3515 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) N25Q128A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-sop2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Q6985588 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 सराय सराय 128Mbit चमक 32 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCCBH8-6ITR: C -
सराय
ECAD 2824 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 152-एलबीजीए MT29F1T08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 152-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 अय्यर सराय 1tbit चमक 128g x 8 तपस्वी -
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: E TR 45.0150
सराय
ECAD 6009 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F512G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: ETR: 8542.32.0071 2,000 267 सराय 512GBIT चमक 64G x 8 तपस्वी -
MT29F16G08ABACAWP-Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP-Z: C TR -
सराय
ECAD 2293 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F16G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 16Gbit चमक 2 जी x 8 तपस्वी -
MT44K32M36RB-093F:A Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-093F: ए -
सराय
ECAD 9024 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 168-TBGA MT44K32M36 Rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-((13.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,190 1.066 GHz सराय 1.125GBIT 7.5 एनएस घूंट 32 सिया x 36 तपस्वी -
MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT -
सराय
ECAD 1551 0.00000000 तमाम - थोक शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 137-वीएफबीजीए MT29C4G48 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-((13x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सींग 4 जीबिट (नंद), 2 जीबिट (therएम) अफ़म, रत्न 512M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
MT48LC2M32B2P-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6: G TR -
सराय
ECAD 9819 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC2M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 167 अय्यर सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी 12NS
M25PX16-VMN6TPBA TR Micron Technology Inc. M25PX16-VMN6TPBA TR -
सराय
ECAD 8238 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) M25PX16 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,500 75 सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
MTFC8GAMALNA-AIT TR Micron Technology Inc. Mtfc8gamalna-ait tra -
सराय
ECAD 3659 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-टीबीजीए Mtfc8 फmume - नंद - 100-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
MT47H256M4CF-25E:H Micron Technology Inc. MT47H256M4CF-25E: H -
सराय
ECAD 1382 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H256M4 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,000 ४०० सराय सराय 1gbit 400 पीएस घूंट २५६ वायर x ४ तपस्वी 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम