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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT29F2G01ABBGD12-AUT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGD12-AUT: G TR 3.1665
सराय
ECAD 6983 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT29F2G01ABBGD12-AUT: GTR 2,500
MT29F4T08EMLCHD4-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-QA: C TR 83.9100
सराय
ECAD 3216 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT29F4T08EMLCHD4-QA: CTR 2,000
MT29F2T08EELCHD4-M:C Micron Technology Inc. Mt29f2t08eelchd4-m: c 41.9550
सराय
ECAD 3409 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29F2T08ELCHD4-M: C 1
MT40A1G16TD-062E AUT:F Micron Technology Inc. MT40A1G16TD-062E AUT: F 22.8450
सराय
ECAD 3279 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) - - SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V - - 557-MT40A1G16TD-062EAUT: F 1 1.6 GHz सराय 16Gbit 19 एनएस घूंट 1 जी x 16 पॉड 15NS
MT53E768M64D4HJ-046 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 AAT: B TR 47.8950
सराय
ECAD 6241 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 556-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT: BTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 48gbit 3.5 एनएस घूंट 768M x 64 तपस्वी 18NS
MT53E2G64D8TN-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 WT: एक TR 92.3100
सराय
ECAD 8633 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 556-LFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 556-LFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E2G64D8TN-046WT: ATR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 128gbit 3.5 एनएस घूंट 2 जी x 64 तपस्वी 18NS
MT53E1G32D2FW-046 IT:A Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 IT: A 27.1500
सराय
ECAD 7860 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046IT: ए 1 २.१३३ सरायम सराय 32Gbit घूंट 1 जी x 32 तपस्वी 18NS
MT25QU256ABA8E12-MAAT Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8E12-MAAT 5.6268
सराय
ECAD 6403 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.7V ~ 2V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - 557-MT25QU256ABA8E12-MAAT 1 १६६ सराय सराय 256Mbit 5 एनएस चमक 32 सिया x 8 सवार 1.8ms
MT62F3G32D8DV-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 AIT: B TR 86.2050
सराय
ECAD 7352 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C - - SDRAM - SDANA LPDDR5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-026AIT: BTR 2,000 3.2 GHz सराय 96gbit घूंट 3 जी x 32 तपस्वी -
MT61M512M32KPA-14 AAT:C Micron Technology Inc. MT61M512M32KPA-14 AAT: C 42.1050
सराय
ECAD 3106 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT61M512M32KPA-14AAT: C 1
MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X Micron Technology Inc. MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X 40.8150
सराय
ECAD 9064 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29VZZZBD91SLSM-046W.17X 1
MT62F2G32D4DS-023 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AIT: C TR 58.0650
सराय
ECAD 9529 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-023AIT: CTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 64gbit घूंट 2 जी x 32 तपस्वी -
MTFC4GACAALT-4M IT TR Micron Technology Inc. Mtfc4gacaalt-4m यह tr 5.6500
सराय
ECAD 16 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 100-टीबीजीए फmume - नंद 100-((14x18) - रोहस अफ़मार 3277-MTFC4GACAALT-4MITTR 1,000 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 EMMC_4.5
MT53E512M64D4NW-046 IT:E TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D4NW-046 IT: E TR -
सराय
ECAD 2182 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 432-वीएफबीजीए MT53E512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 432-((15x15) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 557-MT53E512M64D4NW-046IT: ETR शिर 2,000 २.१३३ सरायम सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
MT53E512M64D2NW-046 IT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D2NW-046 IT: B TR -
सराय
ECAD 7323 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 432-वीएफबीजीए MT53E512 432-((15x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT53E512M64D2NW-046IT: BTR 2,000
MTFC32GAZAQHD-AAT Micron Technology Inc. MTFC32GAZAQHD-AAT 19.0800
सराय
ECAD 1706 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए Mtfc32g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 1,520 २०० सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 एमएमसी -
MT62F2G32D4DS-023 FAAT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 FAAT: C TR 63.8550
सराय
ECAD 5621 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT62F2G32D4DS-023FAAT: CTR 2,000
MT53E2D1BFW-DC Micron Technology Inc. MT53E2D1BFW-DC 22.5000
सराय
ECAD 7324 0.00000000 तमाम - थोक शिर Mt53e2 - तमाम 557-MT53E2D1BFW-DC 1,360
MT42L64M64D2MP-25 IT:A Micron Technology Inc. MT42L64M64D2MP-25 IT: A -
सराय
ECAD 7307 0.00000000 तमाम - थोक शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 220-WFBGA MT42L64M64 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 220-((14x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 ४०० सराय सराय 4 जीबिट घूंट 64 सिया x 64 तपस्वी -
MT53E2DCDS-DC Micron Technology Inc. MT53E2DCDS-DC 22.5000
सराय
ECAD 6498 0.00000000 तमाम - थोक शिर Mt53e2 - Rohs3 आजthabaira तमाम 557-MT53E2DCDS-DC 1,360
MT40A2G16SKL-062E:B Micron Technology Inc. MT40A2G16SKL-062E: B: B: B: -
सराय
ECAD 1953 0.00000000 तमाम Twindie ™ शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A2G16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((10.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 557-MT40A2G16SKL-062E: बी शिर 8542.32.0071 190 1.6 GHz सराय 32Gbit 13.75 एनएस घूंट 2 जी x 16 तपस्वी -
MT40A8G4BAF-062E:B Micron Technology Inc. MT40A8G4BAF-062E: B -
सराय
ECAD 5484 0.00000000 तमाम Twindie ™ शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A8G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (10.5x11) - 557-MT40A8G4BAF-062E: B शिर 8542.32.0071 168 1.6 GHz सराय 32Gbit 13.75 एनएस घूंट 8 जी x 4 तपस्वी -
MT29VZZZBD9GULPR-046 W.214 Micron Technology Inc. MT29VZZZBD9GULPR-046 W.214 27.4375
सराय
ECAD 8446 0.00000000 तमाम - थोक शिर - 557-MT29VZZZBD9GULPR-046W.214 1,520
MTFC32GASAONS-AAT Micron Technology Inc. MTFC32GASAONS-AAT 23.2950
सराय
ECAD 4687 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 153-TFBGA फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC32GASAONS-AAT 1 ५२ सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 UFS2.1 -
MT58L128L36P1T-4.4 Micron Technology Inc. MT58L128L36P1T-4.4 4.5900
सराय
ECAD 247 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp MT58L128L36 शिर 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1 २२५ सराय सराय 4Mbit 2.6 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
MT62F4G32D8DV-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-026 AIT: B TR 114.9600
सराय
ECAD 6187 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C - - SDRAM - SDANA LPDDR5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-026AIT: BTR 2,000 3.2 GHz सराय 128gbit घूंट 4 जी x 32 तपस्वी -
MT53E1G64D4SQ-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E1G64D4SQ-046 AAT: A -
सराय
ECAD 7094 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53E1G64 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) MT53E1G64D4SQ-046AAT: ए शिर 0000.00.0000 1,360 २.१३३ सरायम सराय 64gbit घूंट 1 जी x 64 - -
MT62F768M64D4EK-026 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-026 WT: B TR 34.2750
सराय
ECAD 5784 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 441-TFBGA MT62F768 SDRAM - SDANA LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-026WT: BTR 1,500 3.2 GHz सराय 48gbit घूंट 768M x 64 तपस्वी -
MT58L128L32F1F-10 Micron Technology Inc. MT58L128L32F1F-10 5.5600
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए MT58L128L32 Sram - सिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 165-((13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1 ६६ सराय सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 128K x 32 तपस्वी -
MT42L16M32D1AC-25 FAAT:A Micron Technology Inc. MT42L16M32D1AC-25 FAAT: A -
सराय
ECAD 1618 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 134-वीएफबीजीए MT42L16M32 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-((10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0032 1,000 ४०० सराय सराय 512MBIT घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम