SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
M29F040B90K1 Micron Technology Inc. M29F040B90K1 -
सराय
ECAD 9790 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 32-जे (जे-लीड) M29F040 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 32 सराय 4Mbit 90 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी 90NS
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 AAT: D TR 19.1100
सराय
ECAD 9882 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) तंग -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 - -
M25PX64SOVZM6P Micron Technology Inc. M25px64sovzm6p -
सराय
ECAD 4474 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए M25PX64 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 187 75 सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
M29F400FT55M3T2 TR Micron Technology Inc. M29F400FT55M3T2 TR -
सराय
ECAD 8397 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-SCIC (0.496 ", 12.60 मिमी rana) M29F400 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 44- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 500 सराय 4Mbit 55 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 55NS
M29W256GL7AN6F TR Micron Technology Inc. M29W256GL7AN6F TR -
सराय
ECAD 5676 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,200 सराय 256Mbit 70 एनएस चमक 32 पर x 8, 16 पर x 16 तपस्वी 70NS
MT40A512M8RH-075E AIT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E AIT: B TR -
सराय
ECAD 2289 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 १.३३ तंग सराय 4 जीबिट घूंट 512M x 8 तपस्वी -
MTFC4GMWDQ-3M AIT Micron Technology Inc. MTFC4GMWDQ-3M AIT -
सराय
ECAD 1431 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए Mtfc4 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((14x18) - तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 एमएमसी -
M25P05-AVMN6T TR Micron Technology Inc. M25P05-AVMN6T TR -
सराय
ECAD 9306 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) M25P05-A फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8- तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8542.32.0071 2,500 ५० सभा सराय 512kbit चमक 64K x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR -
सराय
ECAD 6451 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 168-WFBGA MT29C4G48 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सींग 4 जीबिट (नंद), 2 जीबिट (therएम) अफ़म, रत्न 256M x 16 (NAND), 128M x 16 (LPDRAM) तपस्वी -
MT48LC32M4A2TG-75 L:G Micron Technology Inc. MT48LC32M4A2TG-75 L: G: G: G: -
सराय
ECAD 9655 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC32M4A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 4 तपस्वी 15NS
MT48LC8M16LFF4-75 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-75 IT: G -
सराय
ECAD 9711 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48LC8M16 SDRAM - KANAN LPSDR 3V ~ 3.6V 54-((8x8) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-083E AUT: B TR -
सराय
ECAD 1152 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-एफबीजीए (8x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz सराय 8gbit घूंट 1 जी x 8 तपस्वी -
MTFC32GAKAEEF-O1 AIT TR Micron Technology Inc. MTFC32GAKAEEF-O1 AIT TR -
सराय
ECAD 7103 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 169-TFBGA Mtfc32g फmume - नंद - 169-TFBGA (14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 एमएमसी -
MT62F3G32D8DV-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 AIT: B TR 86.2050
सराय
ECAD 7352 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C - - SDRAM - SDANA LPDDR5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-026AIT: BTR 2,000 3.2 GHz सराय 96gbit घूंट 3 जी x 32 तपस्वी -
MT53D768M64D8WF-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D768M64D8WF-053 WT: D -
सराय
ECAD 4896 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 376-WFBGA MT53D768 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz सराय 48gbit घूंट 768M x 64 - -
MT28F128J3FS-12 MET TR Micron Technology Inc. MT28F128J3FS-12 मेट TR -
सराय
ECAD 4446 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एफबीजीए MT28F128J3 चमक 2.7V ~ 3.6V 64-((10x13) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128Mbit 120 एनएस चमक 16M x 8, 8m x 16 तपस्वी -
EDF8164A3PK-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8164A3PK-JD-FR TR -
सराय
ECAD 3705 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 216-WFBGA EDF8164 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 8gbit घूंट 128 सिया x 64 तपस्वी -
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B Micron Technology Inc. MT53E512M64D2NZ-46 WT: B 26.1150
सराय
ECAD 8555 0.00000000 तमाम - थोक शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 376-WFBGA MT53E512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V 376-WFBGA (14x14) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 557-MT53E512M64D2NZ-46WT: B 1,190 २.१३३ सरायम सराय 32Gbit 3.5 एनएस घूंट 512M x 64 तपस्वी 18NS
MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT -
सराय
ECAD 4983 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 137-वीएफबीजीए MT29C4G48 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-((13x10.5) - 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 २०8 सींग 4 जीबिट (नंद), 2 जीबिट (therएम) अफ़म, रत्न 512M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
MT25QL128ABA8E12-1SIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA8E12-1SIT -
सराय
ECAD 4068 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT25QL128 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MTFC8GLZDM-1M WT Micron Technology Inc. Mtfc8glzdm-1m wt -
सराय
ECAD 7366 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ थोक शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur - Mtfc8 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
M29F400FT55M3E2 Micron Technology Inc. M29F400FT5555M3E2 -
सराय
ECAD 2597 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-SCIC (0.496 ", 12.60 मिमी rana) M29F400 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 44- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -M29F400FT55M3E2 Ear99 8542.32.0071 40 सराय 4Mbit 55 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 55NS
N25Q064A13ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF40F TR -
सराय
ECAD 6083 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) N25Q064A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 सराय सराय 64mbit चमक 16 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT44K32M18RB-125:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-125: एक TR -
सराय
ECAD 2596 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 168-TBGA MT44K32M18 घूंट 1.28V ~ 1.42V 168-((13.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 800 तंग सराय 576MBIT 12 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR Micron Technology Inc. EDB4064B4PB-1DIT-FD TR -
सराय
ECAD 9726 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 216-WFBGA EDB4064 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 216-WFBGA (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) EDB4064B4PB-1DIT-F-DTR Ear99 8542.32.0036 1,000 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट घूंट 64 सिया x 64 तपस्वी -
N25Q008A11EF440F TR Micron Technology Inc. N25Q008A11EF440F TR -
सराय
ECAD 5504 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) N25Q008A1111 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 4,000 108 सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 5ms
MT29C4G48MAZAMAMK-5 IT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZAMAMK-5 यह -
सराय
ECAD 2531 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए MT29C4G48 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 153-वीएफबीजीए तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सींग 4 जीबिट (नंद), 2 जीबिट (therएम) अफ़म, रत्न 256M x 16 (NAND), 128M x 16 (LPDRAM) तपस्वी -
MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G56MAACAAAMD-5 यह -
सराय
ECAD 9581 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 130-वीएफबीजीए MT29C1G56 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-((8x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सींग 1GBIT (NAND), 256MBIT (LPDRAM) अफ़म, रत्न 64M x 16 (NAND), 16M x 16 (LPDRAM) तपस्वी -
MT52L256M32D1V01MWC2 Micron Technology Inc. MT52L256M32D1V01MWC2 18.3600
सराय
ECAD 4830 0.00000000 तमाम * थोक शिर MT52L256 - 3 (168 घंटे) तमाम 0000.00.0000 1
MT52L1G64D8QC-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L1G64D8QC-107 WT: B TR -
सराय
ECAD 8441 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 253-वीएफबीजीए MT52L1G64 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.2V 253-((12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 933 सरायम सराय 64gbit घूंट 1 जी x 64 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम