SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT29F16G08ABACAWP:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP: सी -
सराय
ECAD 9239 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F16G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 16Gbit चमक 2 जी x 8 तपस्वी -
MT29F1G16ABBDAH4-IT:D Micron Technology Inc. Mt29f1g16abbdah4-it: d -
सराय
ECAD 9857 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 1gbit चमक 64 सिया x 16 तपस्वी -
MT53E512M64D4NW-046 IT:E TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D4NW-046 IT: E TR -
सराय
ECAD 2182 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 432-वीएफबीजीए MT53E512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 432-((15x15) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 557-MT53E512M64D4NW-046IT: ETR शिर 2,000 २.१३३ सरायम सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
MT47H128M8SH-25E IT:M TR Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-25E IT: M TR 3.7664
सराय
ECAD 2814 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x10) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT47H128M8SH-25EIT: MTR Ear99 8542.32.0032 2,000 ४०० सराय सराय 1gbit 400 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-6 WT: B -
सराय
ECAD 5702 0.00000000 तमाम - शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 168-WFBGA MT46H128M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 १६६ सराय सराय 4 जीबिट 5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MT28F400B3WG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8 TET TR -
सराय
ECAD 9304 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F400B3 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 48-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 4Mbit 80 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 80NS
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53B768M32D4DT-062 AIT: B TR -
सराय
ECAD 7203 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-वीएफबीजीए MT53B768 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-((10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz सराय 24gbit घूंट 768M x 32 - -
M39L0R8090U3ZE6E Micron Technology Inc. M39L0R8090U3ZE6E -
सराय
ECAD 2688 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 133-वीएफबीजीए M39L0R8090 फmum - न ही, मोब ही, rana ही lpddr sdram 1.7V ~ 1.95V 133-((8x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,560 सींग 256Mbit, 512Mbit 70 एनएस अफ़म, रत्न 16 सिया x 16, 32 पर x 16 तपस्वी -
MTFC128GAPALPH-AAT Micron Technology Inc. MTFC128GAPALPH-AAT 114.6700
सराय
ECAD 356 0.00000000 तमाम - थोक तंग -40 ° C ~ 105 ° C (TA) MTFC128 फmume - नंद - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MTFC128GAPALPH-AAT 3A991B1A 8542.32.0071 980 सराय 1tbit चमक 128g x 8 एमएमसी -
MT29F64G08CBCABH1-12:A Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-12: ए -
सराय
ECAD 2852 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-वीबीजीए MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
M29W064FT6AZA6F TR Micron Technology Inc. M29W064FT6AZA6F TR -
सराय
ECAD 6156 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA M29W064 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 सराय 64mbit 60 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी 60NS
MT41K512M8V00HWC1-N001 Micron Technology Inc. MT41K512M8V00HWC1-N001 -
सराय
ECAD 5235 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) - - MT41K512M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V - - 1 (असीमित) Ear99 8542.32.0036 1 सराय 4 जीबिट घूंट 512M x 8 तपस्वी -
M58WR032KB70ZB6Z Micron Technology Inc. M58WR032KB70ZB6Z -
सराय
ECAD 3540 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur ५६-वीएफबीजीए M58WR032 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 56-((7.7x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 336 ६६ सराय सराय 32Mbit 70 एनएस चमक 2 सींग x 16 तपस्वी 70NS
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NW-062 WT ES: C -
सराय
ECAD 6258 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
EDF8164A3PK-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8164A3PK-JD-FR TR -
सराय
ECAD 3705 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 216-WFBGA EDF8164 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 8gbit घूंट 128 सिया x 64 तपस्वी -
MT53D768M64D8WF-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D768M64D8WF-053 WT: D -
सराय
ECAD 4896 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 376-WFBGA MT53D768 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz सराय 48gbit घूंट 768M x 64 - -
NAND01GR3B2CZA6E Micron Technology Inc. NAND01GR3B2CZA6E -
सराय
ECAD 6641 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-TFBGA Nand01 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((9.5x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -Nand01gr3b2cza6e 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 1gbit 25 एनएस चमक 128 वायर x 8 तपस्वी 25NS
MT25QU512ABB8ESF-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU512ABB8ESF-0SIT -
सराय
ECAD 3017 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) MT25QU512 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 16- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB5432BEBH-1DAAT-FR TR -
सराय
ECAD 3839 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 134-वीएफबीजीए EDB5432 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-((10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,000 ५३३ सरायम सराय 512MBIT घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
MT25QU128ABA8E14-1SIT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E14-1SIT -
सराय
ECAD 9033 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT25QU128 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT48LC16M8A2TG-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2TG-75: G TR -
सराय
ECAD 3275 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC16M8A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E768G08EEHBBJ4-3ES: B TR -
सराय
ECAD 1589 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29E768G08 फmume - नंद 2.5V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 ३३३ सरायम सराय 768GBIT चमक 96G x 8 तपस्वी -
MT41K256M16HA-125 XIT:E TR Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125 XIT: E TR -
सराय
ECAD 9742 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((9x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 2,000 800 तंग सराय 4 जीबिट 13.75 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी -
M29W160EB7AN6F TR Micron Technology Inc. M29W160EB7AN6F TR -
सराय
ECAD 1526 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W160 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,500 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 2m x 8, 1m x 16 तपस्वी 70NS
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8 TR -
सराय
ECAD 7347 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर MT29VZZZBD8 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,000
MT49H16M36SJ-18:B Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-18: बी: बी: बी -
सराय
ECAD 1442 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H16M36 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-((18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 ५३३ सरायम सराय 576MBIT 15 एनएस घूंट 16 सिया x 36 तपस्वी -
M29F040B90K6 Micron Technology Inc. M29F040B90K6 -
सराय
ECAD 4571 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-जे (जे-लीड) M29F040 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC (11.35x13.89) - रोहस तंग तमाम 497-1705-5 Ear99 8542.32.0071 32 सराय 4Mbit 90 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी 90NS
MT53E1G64D4HJ-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 WT: C TR 42.4500
सराय
ECAD 7183 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 556-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) तंग 557-MT53E1G64D4HJ-046WT: CTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 64gbit 3.5 एनएस घूंट 1 जी x 64 तपस्वी 18NS
MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53B1536M32D8QD-053 WT ES: D TR -
सराय
ECAD 9269 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B1536 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - 1 (असीमित) Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz सराय 6gbit घूंट 1.5GX 32 - -
MT48LC4M32B2F5-7:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2F5-7: G TR -
सराय
ECAD 8370 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48LC4M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-((8x13) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.5 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी 14NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम