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एकीकृत ruirch आईसीएस (आईसीएस) (3)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | तमाम | सवार | तमाम | तकनीकी | वोलmume - | सराफकस | तंग | अफ़र | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | घड़ी आवृत | तमाम | सराय | तमाम | स स संगठन संगठन | Rayrी rayrफ़ेस | चक चक लिखें लिखें शब - |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HYB25D512800CE-6 | 7.1400 |  | 1 | 0.00000000 | कसना | - | R टेप ray ryील (ther) | Sic में बंद r क rur kay | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | सतह rurcur | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) | HYB25D512 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | तंग | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | १६६ सराय | सराय | 512MBIT | घूंट | 64 सिया x 8 | तपस्वी | - | |
| HYB25D512800CE-5 | 7.3200 | | 2 | 0.00000000 | कसना | - | R टेप ray ryील (ther) | Sic में बंद r क rur kay | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | सतह rurcur | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) | HYB25D512 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | तंग | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | २०० सराय | सराय | 512MBIT | घूंट | 64 सिया x 8 | तपस्वी | - | |
 | HYB18T1G800BF-3S | 35.1000 | | 87 | 0.00000000 | कसना | - | कट कट टेप (सीटी) | Sic में बंद r क rur kay | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | सतह rurcur | 68-TFBGA | Hyb18t1g | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | ३३३ सरायम | सराय | 1gbit | घूंट | 128 सिया x 8 | तपस्वी | - |
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