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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी अनुमोदन एजेंसी अँगुला सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराफक - आउटपुट उच उच, कम सराय - पीक पीक वृदth वृद वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) अफ़म वोलmume - आउटपुट आपू आपू
TLP5751(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751 (डी 4, डी ई 2.4300
सराय
ECAD 9678 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5751 ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 1 ए, 1 ए 1 क 15NS, 8NS 1.55V २० सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 15V ~ 30V
TLP250F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250F (D4, F) -
सराय
ECAD 6977 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP250F - 1 (असीमित) 264-TLP250F (D4F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP5774H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H (D4-TP, E 2.5100
सराय
ECAD 4403 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5774 कैपेसिटिव युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 4 ए, 4 ए 4 ए 56NS, 25NS 1.65V 8 सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 10v ~ 30V
TLP5752H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H (LF4, ई 1.9500
सराय
ECAD 5896 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5752 ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 2.5 ए, 2.5 ए 2.5a 15NS, 8NS 1.55V २० सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 15V ~ 30V
TLP350(D4-TP5,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350 (D4-TP5, Z, F) -
सराय
ECAD 5070 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP350 - 1 (असीमित) 264-TLP350 (D4-TP5ZF) TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP251(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP251 (टीपी 1, एफ) -
सराय
ECAD 8955 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP251 ऑपmuth युग एक प्रकार का होना 1 8-एसएमडी - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 100ma, 100ma 400ma - 1.6V २० सना हुआ 2500VRMS 5kv/µs 1, 1, एस - 10v ~ 30V
TLP700F(D4FNC-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP700F (D4FNC-TP, F -
सराय
ECAD 6090 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP700 ऑपmuth युग टीयूवी, rayr 1 6-गूल गूल विंग तंग 264-TLP700F (D4FNC-TPF Ear99 8541.49.8000 1 - 2 ए - - 5000VRMS 15kv/µs 500NS, 500NS - 15V ~ 30V
TLP350(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 350 (एफ) -
सराय
ECAD 1716 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP350 ऑपmuth युग एक प्रकार का होना 1 8- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP350F Ear99 8541.49.8000 50 2 ए, 2 ए 2.5a 15NS, 8NS 1.6V २० सना हुआ 3750VRMS 15kv/µs 500NS, 500NS - 15V ~ 30V
TLP700AF(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700AF (D4-TP, F) -
सराय
ECAD 6467 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP700 ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6-गूल गूल विंग तंग 264-TLP700AF (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 2.5 ए, 2.5 ए 2.5a 15NS, 8NS 1.55V २० सना हुआ 5000VRMS 20kv/µs 200NS, 200NS 50NS 15V ~ 30V
TLP250LF1F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250LF1F -
सराय
ECAD 8722 0.00000000 तमाम - नली शिर -20 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP250 ऑपmuth युग एक प्रकार का होना 1 8-एसएमडी - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 500ma, 500ma 1.5 ए - 1.6V २० सना हुआ 2500VRMS 5kv/µs 500NS, 500NS - 15V ~ 30V
TLP701A(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp701a (f) -
सराय
ECAD 7993 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP701 ऑपmuth युग कूल, उल 1 6-गूल गूल विंग तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP701AF Ear99 8541.49.8000 100 400ma, 400ma 600ma 50ns, 50ns 1.57V २५ सना हुआ 5000VRMS 20kv/µs 500NS, 500NS 350NS 10v ~ 30V
TLP352F(LF4,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352F (LF4, S) -
सराय
ECAD 2661 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP352F - 1 (असीमित) 264-TLP352F (LF4S) Ear99 8541.49.8000 50
TLP5701(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701 (TP4, ई 1.3600
सराय
ECAD 2161 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5701 ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 400ma, 400ma 600ma 50ns, 50ns 1.57V २५ सना हुआ 5000VRMS 20kv/µs 500NS, 500NS 350NS 10v ~ 30V
TLP5754H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754H (LF4, ई 2.0800
सराय
ECAD 9494 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5754 ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 4 ए, 4 ए 4 ए 15NS, 8NS 1.55V २० सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 15V ~ 30V
TLP701A(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701A (D4-TP, F) -
सराय
ECAD 8536 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP701 ऑपmuth युग CSA, CUL, UL, VDE 1 6-गूल गूल विंग तंग 264-TLP701A (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 400ma, 400ma 600ma 50ns, 50ns 1.57V २५ सना हुआ 5000VRMS 20kv/µs 500NS, 500NS 350NS 10v ~ 30V
TLP705F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705F (टीपी, एफ) -
सराय
ECAD 8433 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP705F ऑपmuth युग एक प्रकार का होना 1 6-गूल गूल विंग - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP705F (TPF) Ear99 8541.49.8000 2,500 - 450ma - - 5000VRMS 10kv/µs 200NS, 200NS - 10v ~ 20v
TLP351(D4-TP5,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351 (D4-TP5, Z, F) -
सराय
ECAD 7659 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP351 - 1 (असीमित) 264-TLP351 (D4-TP5ZF) TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP5771(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771 (डी 4, डी ई 2.3800
सराय
ECAD 5395 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5771 ऑपmuth युग CQC, CUR, UR, VDE 1 6- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP5771 (D4E) Ear99 8541.49.8000 125 1 ए, 1 ए 1 क 15NS, 8NS 1.65V 8 सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 10v ~ 30V
TLP5774(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774 (डी 4-ई, ई ई 1.0055
सराय
ECAD 4540 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5774 ऑपmuth युग CQC, CUR, UR, VDE 1 6- तंग रोहस अफ़मार TLP5774 (D4-TPE Ear99 8541.49.8000 1,500 1.2 ए, 1.2 ए 4 ए 15NS, 8NS 1.65V 8 सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 10v ~ 30V
TLP351(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351 (टीपी 1, एफ) 1.7300
सराय
ECAD 6243 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP351 ऑपmuth युग - 1 8-एसएमडी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 400ma, 400ma 600ma 50ns, 50ns 1.55V २० सना हुआ 3750VRMS 10kv/µs 700NS, 700NS - 10v ~ 30V
TLP351F(D4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351F (D4, Z, F) -
सराय
ECAD 8434 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP351 - 1 (असीमित) 264-TLP351F (D4ZF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP700(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 700 (डी 4, एफ) -
सराय
ECAD 2220 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP700 ऑपmuth युग CSA, CUL, UL, VDE 1 6-गूल गूल विंग तंग 264-TLP700 (D4F) Ear99 8541.49.8000 1 2 ए, 2 ए 2 ए 50ns, 50ns 1.57V २० सना हुआ 5000VRMS 15kv/µs 500NS, 500NS - 15V ~ 30V
TLP701AF(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701AF (D4-TP, F) -
सराय
ECAD 6402 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP701 ऑपmuth युग CSA, CUL, UL, VDE 1 6-गूल गूल विंग तंग 264-TLP701AF (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 600ma, 600ma 600ma 50ns, 50ns 1.57V २५ सना हुआ 5000VRMS 20kv/µs 500NS, 500NS 350NS 10v ~ 30V
TLP700A(S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700A (ओं) -
सराय
ECAD 8457 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP700 - 1 (असीमित) 264-ए 700 एस (एस) Ear99 8541.49.8000 100
TLP5752H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H (D4-TP, E -
सराय
ECAD 1023 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 2 6- तंग 1 2.5 ए, 2.5 ए 2.5a 15NS, 8NS 1.55V २० सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 15V ~ 30V
TLP5751H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751H (TP4, ई 1.8500
सराय
ECAD 8709 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5751 ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 1 ए, 1 ए 1 क 15NS, 8NS 1.55V २० सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 15V ~ 30V
TLP350(Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 350 (जेड, एफ) -
सराय
ECAD 3886 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP350 - 1 (असीमित) 264-टीएलपी 350 (जेडएफ) Ear99 8541.49.8000 50
TLP701H(D4-MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP701H (D4-MBSTP, एफ -
सराय
ECAD 8058 0.00000000 तमाम - थोक तंग -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) ऑपmuth युग CSA, CUL, UL, VDE 2 6-एसडीआईपी तंग 1 400ma, 400ma 200MA 50ns, 50ns 1.57V २५ सना हुआ 5000VRMS 20kv/µs 700NS, 700NS 500NS 10v ~ 30V
TLP5752(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752 (D4-LF4, ई 2.5900
सराय
ECAD 125 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5752 ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 2.5 ए, 2.5 ए 2.5a 15NS, 8NS 1.55V २० सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 15V ~ 30V
TLP5774H(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H (D4, ई 2.5100
सराय
ECAD 5366 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5774 कैपेसिटिव युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 4 ए, 4 ए 4 ए 56NS, 25NS 1.65V 8 सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 10v ~ 30V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम