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सरायम - ए गेट ड rasirauraurauraur
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | तमाम | सवार | तमाम | तकनीकी | अनुमोदन एजेंसी | अफ़संद | सराफकस | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | सराफक - आउटपुट उच उच, कम | सराय - पीक पीक | वृदth वृद | वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) | सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) | अफ़म | तमामकस | अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) | अफ़म | वोलmume - आउटपुट आपू आपू |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ACPL-W314-560E | 1.3109 |  | 2608 | 0.00000000 | बtrॉडकॉम लिमिटेड | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 100 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | ACPL-W314 | ऑपmuth युग | सीएसए, आईईसी/एन/दीन, ther | 1 | 6- | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 400ma, 400ma | 600ma | 50ns, 50ns | 1.5V | २५ सना हुआ | 5000VRMS | 25kv/µs | 700NS, 700NS | - | 10v ~ 30V | ||
 | TLP5752 (D4-TP4, ई | 2.6700 | | 1 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 110 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | TLP5752 | ऑपmuth युग | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6- | तंग | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,500 | 2.5 ए, 2.5 ए | 2.5a | 15NS, 8NS | 1.55V | २० सना हुआ | 5000VRMS | 35kv/µs | 150NS, 150NS | 50NS | 15V ~ 30V | ||||
 | SI823H7CD-IS3R | 4.2750 | | 3859 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | |||||
 | SI8275DB-AS1 | 4.1815 | | 4363 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI827X | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8275 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8275DB-AS1 | 48 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 75NS, 75NS | 8NS | 4.2V ~ 30V | ||||||
 | HCPL-T250#500 | - | | 4836 | 0.00000000 | बtrॉडकॉम लिमिटेड | - | R टेप ray ryील (ther) | Sic में बंद r क rur kay | -20 ° C ~ 85 ° C | सतह rurcur | 8-एसएमडी, गूल विंग | ऑपmuth युग | सीएसए, rayr | 1 | 8-गूल गूल विंग | तंग | रोहस | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 500ma, 500ma | 1.5 ए | - | 1.6V | २० सना हुआ | 3750VRMS | 5kv/µs | 500NS, 500NS | - | 15V ~ 30V | |||
 | ISO5852SDW | 6.8900 | | 3 | 0.00000000 | तमाम | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | Iso5852 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabairay | २ (१ सींग) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 40 | 1.5 ए, 3.4 ए | 2.7 ए, 5.5 ए | 18NS, 20NS | - | 5700VRMS | 100kv/µs | 110NS, 110NS | - | 15V ~ 30V | |||
 | SI8238BB-C-IS1R | - | | 9541 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 9.4v ~ 24v | ||||||
| TPSI3050SQDWZRQ1 | 5.3300 | | 1901 | 0.00000000 | तमाम | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | उल, vde | 1 | 8-हुक | - | Rohs3 आजthabairay | 3 (168 घंटे) | तमाम | 1,000 | 1.5 ए, 3 ए | 1.5 ए, 3 ए | - | - | 37 सना | 5000VRMS | 100v/ns | - | - | 3V ~ 5.5V | |||||
 | SI82394CD4-ISR | 3.6300 | | 2015 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI82394 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 12.8v ~ 24v | |||||
 | SI8235AB-C-IM | - | | 7449 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीएफएलजीए | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 14-((5x5) | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||
 | TLP5214A (D4-TP, E | 7.6900 | | 982 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 110 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | TLP5214 | ऑपmuth युग | 1 | 16- | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,500 | 3 ए, 3 ए | 4 ए | 32NS, 18NS | 1.7V (अधिकतम) | २५ सना हुआ | 5000VRMS | 35kv/µs | 150NS, 150NS | 50NS | 15V ~ 30V | ||||
 | SI8274GB4D-AM1 | 4.2582 | | 8081 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI827X | शिर | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | SI8274 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-((5x5) | तंग | २ (१ सींग) | 863-SI8274GB4D-AM1 | 490 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 105NS, 75NS | 47NS | 4.2V ~ 30V | ||||||
 | SI8261ACC-C-IP | 3.5000 | | 50 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-एसएमडी, गूल विंग | SI8261 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 8-गूल गूल विंग | तंग | 3 (168 घंटे) | 336-2425-5 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 400ma, 600ma | 600ma | 5.5ns, 8.5ns | 2.8V (अधिकतम) | ३० सना हुआ | 3750VRMS | 35kv/µs | 60ns, 50ns | 28 एनएस | 13.5V ~ 30V | |||
 | Fod3184v | 3.3000 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 100 ° C | होल के kaytaumauth से | 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) | Fod3184 | ऑपmuth युग | Iec/en/din, ul | 1 | 8- | तंग | Rohs3 आजthabairay | तंग | तमाम | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 2.5 ए, 2.5 ए | 3 ए | 38NS, 24NS | 1.43V | २५ सना हुआ | 5000VRMS | 35kv/µs | 210NS, 210NS | 65NS | 15V ~ 30V | ||
 | ADUM4135BRWZ | 8.0000 | | 8 | 0.00000000 | तंग | icoupler® | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | Adum4135 | चुंबकीय युग | - | 1 | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabairay | 3 (168 घंटे) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 47 | - | 4 ए | 16NS, 16NS | - | 5000VRMS | 100kv/µs | 66NS, 66NS | - | 12V ~ 30V | |||
| PS9552L2-E3-AX | - | | 2792 | 0.00000000 | रेनसस अयस्करस | नेपोक | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 100 ° C | सतह rurcur | 8-एसएमडी, गूल विंग | ऑपmuth युग | बीएसआई, सीएसए, डेमको, फिमको, सेमको, उल, उल, उल | 1 | 8-गल गल विंग | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | 559-1683-2 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 2 ए, 2 ए | 2.5a | 100ns, 100ns | 1.65V | २५ सना हुआ | 5000VRMS | 25kv/µs | 500NS, 500NS | 300NS | 15V ~ 30V | ||
 | SI8271GB-ISR | 3.9300 | | 24 | 0.00000000 | तमामयस | SI827X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8271 | Rayr युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 8-हुक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 150kv/µs | 60NS, 60NS | 8NS | 4.2V ~ 30V | |||||
| SI8275GB-IS1 | 5.5300 | | 919 | 0.00000000 | तमामयस | SI827X | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8275 | Rayr युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 336-3552-5 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 150kv/µs | 60NS, 60NS | 8NS | 4.2V ~ 30V | ||||
 | SI8285BC-ASR | 3.1108 | | 7704 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8285 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI8285BC-ASRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 3750VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 10v ~ 30V | ||||||
| SI8231BB-B-IS1 | - | | 1801 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 9.4v ~ 24v | ||||||
| SI823H5BB-AS1 | 6.7292 | | 2111 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI823H5BB-AS1 | 48 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | |||||||
| TLP5212 (डी 4, ई ई | 5.4900 | | 50 | 0.00000000 | तमाम | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 110 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | TLP5212 | ऑपmuth युग | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 16- | तंग | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 2 ए, 2 ए | 2.5a | 57NS, 56NS | 1.67V | २५ सना हुआ | 5000VRMS | 25kv/µs | 250NS, 250NS | 50NS | 15V ~ 30V | |||||
| SI823H5AB-IS1 | 5.6498 | | 5017 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30NS, 58NS | 5NS | 5.5V ~ 30V | |||||
| SI8232BC-D-IS1 | 4.1300 | | 96 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8232 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 336-SI8232BC-D-IS1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 3750VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||
| SI82396BD-IS3R | 3.6300 | | 2572 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI82396 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | रोहस अफ़मार | 336-SI82396BD-IS3RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3250VRMS | 35kv/µs | 40ns, 40ns | 5.6NS | 10v ~ 24v | ||||
| SI8231BD-B-IS | - | | 7126 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 9.4v ~ 24v | ||||||
| SI8232AC-D-IS1R | 1.9747 | | 9465 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8232 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 336-SI8232AC-D-IS1RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 3750VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||
| SI82398AD-AS | 6.5841 | | 2721 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI82398AD-AS | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||
 | STGAP2SICS | 4.0000 | | 44 | 0.00000000 | तमाम | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | Stgap2 | कैपेसिटिव युग | यूएल | 1 | 8- | तंग | Rohs3 आजthabairay | 3 (168 घंटे) | तमाम | 497-STGAP2SICS | Ear99 | 8542.39.0001 | 80 | 4 ए, 4 ए | 4 ए | 30ns, 30ns | - | 5000VRMS | 100v/ns | 90NS, 90NS | 20NS | 3V ~ 5.5V | ||
| HCPL-3180-500 | 2.8085 | | 4689 | 0.00000000 | बtrॉडकॉम लिमिटेड | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 100 ° C | सतह rurcur | 8-एसएमडी, गूल विंग | HCPL-3180 | ऑपmuth युग | सीएसए, rayr | 1 | 8-गूल गूल विंग | तंग | रोहस | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 2 ए, 2 ए | 2.5a | 25NS, 25NS | 1.5V | २५ सना हुआ | 3750VRMS | 10kv/µs | 200NS, 200NS | 65NS | 10v ~ 20v |
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