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सरायम - ए गेट ड rasirauraurauraur
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | तमाम | सवार | तमाम | तकनीकी | अनुमोदन एजेंसी | अँगुला | सराफकस | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | सराफक - आउटपुट उच उच, कम | सराय - पीक पीक | वृदth वृद | वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) | सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) | अफ़म | तमामकस | अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) | अफ़म | वोलmume - आउटपुट आपू आपू | शिर | कड़ा |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1ED3120MC12HXUMA1 | 3.8600 |  | 6789 | 0.00000000 | इंफीनन टेक | Eicedriver ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | 1ED3120 | कैपेसिटिव युग | उल, vde | 1 | पीजी-पीजी -8-66 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 5.5a, 5.5a | 5.5 ए | 30NS, 30NS (अधिकतम) | - | 8000VPK | 200kv/OFS | 280NS, 280NS | - | 10v ~ 35V | |||||
 | SI82394CD-AS3R | 4.5450 | | 3103 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI82394CD-AS3RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3250VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
 | PS9552-V-AX | 3.7600 | | 694 | 0.00000000 | रत्न | नेपोक | थोक | शिर | -40 ° C ~ 100 ° C | होल के kaytaumauth से | 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) | ऑपmuth युग | बीएसआई, सीएसए, डेमको, नेमको, नेमको, उल, वीडीई, वीडीई, वीडीई | 1 | 8- | - | रोहस | तमाम | 2156-PS9552-V-AX | Ear99 | 8541.49.8000 | 80 | 2 ए, 2 ए | 2.5a | 100ns, 100ns | 1.65V | २५ सना हुआ | 5000VRMS | 25kv/µs | 500NS, 500NS | 300NS | 15V ~ 30V | |||||
| SI82398BD-ASR | 4.5450 | | 4953 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI82398BD-ASRTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI8235BB-AS1R | 3.5400 | | 6413 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8235BB-AS1RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
 | SI823H2CB-AS1R | 4.2673 | | 1378 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI823H2CB-AS1RTR | 2,500 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | |||||||||
 | ADUM4146CRWZ-RL | 3.9300 | | 1 | 0.00000000 | तंग | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | चुंबकीय युग | सीएसए, उल, वीडीई | 1 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | तमाम | 505-ADUM4146CRWZ-RLTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 11 ए, 9 ए | 4.61 ए | 16NS, 16NS | - | 5000VRMS | 100kv/µs | 100ns, 100ns | - | 2.5V ~ 6V, 12V ~ 30V | ||||||
| SI8235AD-ASR | 4.7100 | | 7357 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8235AD-ASRTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI8234BD-AS | 6.3557 | | 9290 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8234BD-AS | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
 | SI823H5BD-IS3 | 7.1900 | | 6669 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | |||||||
 | SI8281DC-IS | 6.5634 | | 4853 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 20-SOIC | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI8281DC-IS | 38 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 14V ~ 30V | |||||||||
 | SI8285BD-AS | 5.3176 | | 9050 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8285 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI8285BD-AS | 46 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 10v ~ 30V | ||||||||
 | HCPL-0302-560E | 0.9329 | | 2357 | 0.00000000 | बtrॉडकॉम लिमिटेड | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 100 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | HCPL-0302 | ऑपmuth युग | सीएसए, आईईसी/एन/दीन, ther | 1 | 8- | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,500 | 200MA, 200MA | 400ma | 50ns, 50ns | 1.5V | २० सना हुआ | 3750VRMS | 10kv/µs | 700NS, 700NS | - | 10v ~ 30V | ||||
 | ACPL-P340-560E | 1.3213 | | 1469 | 0.00000000 | बtrॉडकॉम लिमिटेड | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) | एसीपीएल-एसीपीएल 340 | ऑपmuth युग | सीएसए, आईईसी/एन/दीन, ther | 1 | 6-तो ranak | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 800ma, 800ma | 1 क | 43NS, 40NS | 1.55V | २५ सना हुआ | 3750VRMS | 35kv/µs | 200NS, 200NS | 70NS | 15V ~ 30V | ||||
| SI82520AD-IS3R | 4.3800 | | 9717 | 0.00000000 | तमामयस | * | R टेप ray ryील (ther) | शिर | SI82520 | - | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | |||||||||||||||||||||||
 | SI8274AB4D-AM1 | 4.2582 | | 4960 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI827X | शिर | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | SI8274 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-((5x5) | तंग | २ (१ सींग) | 863-SI8274AB4D-AM1 | 490 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 105NS, 75NS | 47NS | 4.2V ~ 30V | ||||||||
 | PC923L0YSZ0F | - | | 2314 | 0.00000000 | क्योरहमक्यमक्युर | ओपिक ™ | नली | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | होल के kaytaumauth से | 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) | ऑपmuth युग | सियार, वीडी | 1 | 8- | तंग | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | - | 600ma | 200NS, 200NS | 1.6V | २० सना हुआ | 5000VRMS | 15kv/µs | 500NS, 500NS | - | 15V ~ 30V | |||||||
 | SI82396AB-IS1 | 4.6985 | | 8225 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI82396 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 336-3866 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | 40ns, 40ns | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||
 | SI823H6BD-AS3 | 7.3711 | | 9094 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI823H6BD-AS3 | 46 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ऑटोमोटिव | एईसी- Q100 | |||||||
 | UCC23513QDWYQ1 | 1.9779 | | 8211 | 0.00000000 | तमाम | सियार, AEC-Q100, SARAIRCHANTHUTHENTHAUTHANTAURATHANTHANATHANATHANTH | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | UCC23513 | कैपेसिटिव युग | उल, vde | 1 | 6-हुक | - | तंग | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 3 ए, 3.5 ए | 4.5a, 5.3a | 28NS, 25NS (अधिकतम) | 2.1V | २५ सना हुआ | 5700VRMS | 150kv/µs | 105NS, 105NS | 35NS | 14V ~ 33V | |||||
 | ACPL-K342-560E | 4.0000 | | 1 | 0.00000000 | बtrॉडकॉम लिमिटेड | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.268 ", 6.81 मिमी ranak) | ACPL-K342 | ऑपmuth युग | सीएसए, आईईसी/एन/दीन, ther | 1 | 8-तो ranak | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 2 ए, 2 ए | 2.5a | 22NS, 18NS | 1.55V | २५ सना हुआ | 5000VRMS | 25kv/µs | 350NS, 250NS | - | 15V ~ 30V | ||||
 | UCC21759QDWRQ1 | 3.3467 | | 8359 | 0.00000000 | तमाम | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 150 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | UCC21759 | कैपेसिटिव युग | उल, vde | 1 | 16-हुकिक | - | तंग | 3 (168 घंटे) | 296-UCC21759QDWRQ1TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 10 ए, 10 ए | 10 ए | 33NS, 27NS | - | 3000VRMS | 150V/ns | 130NS, 130NS | 30ns | 13V ~ 33V | |||||
| SI8230AC-D-IS1 | 4.1300 | | 48 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8230 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 336-SI8230AC-D-IS1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 3750VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||
| TLP5751H (D4LF4, ई | 1.8500 | | 6114 | 0.00000000 | तमाम | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | TLP5751 | ऑपmuth युग | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6- | तंग | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 1 ए, 1 ए | 1 क | 15NS, 8NS | 1.55V | २० सना हुआ | 5000VRMS | 35kv/µs | 150NS, 150NS | 50NS | 15V ~ 30V | ||||||
 | SI8232DB-B-ISR | - | | 8515 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | - | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | - | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 4.5V ~ 5.5V | ||||||||
| SI8283DC-ASR | 5.9312 | | 3860 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 24-SCIC (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 24-हुक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI8283DC-ASRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 14V ~ 30V | ||||||||
| Fda215str | 2.0339 | | 9566 | 0.00000000 | Ixys एकीकृत rurcuth डिवीजन | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | सतह rurcur | 8-एसएमडी, गूल विंग | FDA215 | ऑपmuth युग | En, iec, tuv | 2 | 8-एसएमडी | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | - | - | 1.2V | 100 सवार | 3750VRMS | - | 5ms, 5ms | - | - | ||||
| UCC21541DWR | 1.6926 | | 4727 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | UCC21541 | कैपेसिटिव युग | CQC, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | तमाम | 296-UCC21541DWRTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.5 ए, 2.5 ए | 1.5 ए, 2.5 ए | 8NS, 9NS | - | 5700VRMS | 100v/ns | 40ns, 40ns | 6.5NS | 9.2v ~ 18v | ||||
| SI8230AB-B-IS1 | - | | 9761 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||
| SI8281DC-ASR | 5.4267 | | 5624 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 20-SOIC | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI8281DC-ASRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 14V ~ 30V |
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