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सरायम - ए गेट ड rasirauraurauraur
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | तमाम | सवार | तमाम | तकनीकी | अनुमोदन एजेंसी | अँगुला | सराफकस | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | सराफक - आउटपुट उच उच, कम | सराय - पीक पीक | वृदth वृद | वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) | सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) | अफ़म | तमामकस | अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) | अफ़म | वोलmume - आउटपुट आपू आपू | शिर | कड़ा |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | UCC20225NPLR | 4.1500 |  | 7326 | 0.00000000 | तमाम | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 13-वीएफएलजीए | UCC20225 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 13-VLGA (5x5) | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 4 ए, 6 ए | - | 6NS, 7NS | - | 2500VRMS | 100v/ns | 30ns, 30ns | 6NS | 3V ~ 18v | |||||
 | HCPL-5150-300 | 132.4143 | | 5061 | 0.00000000 | बtrॉडकॉम लिमिटेड | - | नली | तमाम | -55 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-सीएसएमडी, गल विंग | एचसीपीएल -5150 | ऑपmuth युग | - | 1 | 8-गूल गूल विंग | तंग | रोहस | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 500ma, 500ma | 600ma | 100ns, 100ns | 1.5V | २५ सना हुआ | 1500VDC | 10kv/µs | 500NS, 500NS | 300NS | 15V ~ 30V | ||||
 | SI8275AB-IM1R | 3.2700 | | 4748 | 0.00000000 | तमामयस | SI827X | R टेप ray ryील (ther) | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | SI8275 | Rayr युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 75NS, 75NS | 8NS | 4.2V ~ 30V | |||||||
 | FOD3180TSV | 3.1600 | | 970 | 0.00000000 | Onsemi | - | नली | तमाम | -40 ° C ~ 100 ° C | सतह rurcur | 8-एसएमडी, गूल विंग | FOD3180 | ऑपmuth युग | cul, ul, vde | 1 | 8-एसएमडी | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 2 ए, 2 ए | 2.5a | 75NS, 55NS | 1.43V | २५ सना हुआ | 5000VRMS | 15kv/µs | 200NS, 200NS | 65NS | 10v ~ 20v | ||||
| SI8284ED-ASR | 6.3130 | | 8661 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 24-SCIC (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 24-हुक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI8284ED-ASRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 16v ~ 30v | ||||||||
| SI823H1AB-AM1R | 4.4511 | | 2651 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | 863-SI823H1AB-AM1RTR | 2,500 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||
| SI82520AB-IM1 | 5.5697 | | 9344 | 0.00000000 | तमामयस | SI8252X | नली | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 14-((5x5) | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | 863-SI82520AB-IM1 | 60 | 4 ए, 4 ए | 4 ए, 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5.6NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||
| SI8271DBD-AS | 3.4467 | | 7348 | 0.00000000 | तमामयस | SI827X | नली | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 8-हुक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8271DBD-AS | 96 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 75NS, 75NS | 8NS | 4.2V ~ 30V | ऑटोमोटिव | एईसी- Q100 | ||||||
| SI8282EC-ASR | 5.4267 | | 5254 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 20-SOIC | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI8282EC-ASRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 16v ~ 30v | ||||||||
| SI823H6AB-AM1 | 5.3070 | | 3132 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | शिर | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | 863-SI823H6AB-AM1 | 490 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||
 | NCV57080BDR2G | 2.8100 | | 1072 | 0.00000000 | Onsemi | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | NCV57080 | कैपेसिटिव युग | - | 1 | 8-हुक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 6.5a, 6.5a | 6.5 ए | 13NS, 13NS | - | 3750VRMS | 100kv/µs | 90NS, 90NS | - | 0V ~ 32V | |||||
 | SI8274BB4D-AS1R | 3.3045 | | 4719 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI827X | R टेप ray ryील (ther) | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8274 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8274BB4D-AS1RTR | 2,500 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 105NS, 75NS | 47NS | 4.2V ~ 30V | ||||||||
 | SI823H1CD-AS3R | 4.0769 | | 3950 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI823H1CD-AS3RTR | 1,250 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | |||||||||
| SI8273DBD-AS1R | 3.3045 | | 8968 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI827X | R टेप ray ryील (ther) | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8273 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8273DBD-AS1RTR | 2,500 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 75NS, 75NS | 8NS | 4.2V ~ 30V | ||||||||
| SI823H9TD-IS4R | 3.0542 | | 3466 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 8-हुक | तंग | ६ | 863-SI823H9TD-IS4RTR | 1,250 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | |||||||||
| SI8275DB-AS1R | 2.4717 | | 3534 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI827X | R टेप ray ryील (ther) | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8275 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8275DB-AS1RTR | 2,500 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 75NS, 75NS | 8NS | 4.2V ~ 30V | ||||||||
 | TLP5752H (ई) | - | | 1855 | 0.00000000 | तमाम | - | नली | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | ऑपmuth युग | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 2 | 6- | तंग | 264-TLP5752H (ई) | 1 | 2.5 ए, 2.5 ए | 2.5a | 15NS, 8NS | 1.55V | २० सना हुआ | 5000VRMS | 35kv/µs | 150NS, 150NS | 50NS | 15V ~ 30V | |||||||||
 | Vow3120 | 3.7700 | | 3 | 0.00000000 | तमहता के बारे में बात | - | नली | तमाम | -40 ° C ~ 100 ° C | - | - | ऑपmuth युग | CQC, CUL, UL, VDE | 1 | - | तंग | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.49.8000 | 40 | 2.5 ए, 2.5 ए | 2.5a | 100ns, 100ns | 1.36V | २५ सना हुआ | 5300VRMS | 25kv/µs | 500NS, 500NS | 300NS | 15V ~ 32V | |||||||
| VOW3120-X001 | 2.4074 | | 5414 | 0.00000000 | तमहता के बारे में बात | - | R टेप ray ryील (ther) | तमाम | -40 ° C ~ 100 ° C | होल के kaytaumauth से | 8-DIP (0.400 ", 10.16 मिमी) | ऑपmuth युग | CQC, CUL, UL, VDE | 1 | 8- | तंग | 751-vow3120-X001TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 750 | 2.5 ए, 2.5 ए | 2.5a | 100ns, 100ns | 1.36V | २५ सना हुआ | 5300VRMS | 25kv/µs | 500NS, 500NS | 300NS | 15V ~ 32V | |||||||
| SI8233AB-AS1 | 5.8671 | | 2646 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8233AB-AS1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI82390CD-ASR | 4.5450 | | 6521 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI82390CD-ASRTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | - | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI8230AB-AS | 4.1737 | | 2165 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8230AB-AS | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI82396BB-AS1R | 3.6900 | | 9217 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI82396BB-AS1RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI8230BB-ASR | 2.6250 | | 6513 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8230BB-ASRTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI82398AD-AS3 | 6.5841 | | 2865 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI82398AD-AS3 | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3250VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI82398AD4-AS3 | 6.5841 | | 4600 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI82398AD4-AS3 | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3250VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI82394AD-AS3R | 4.5300 | | 1589 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI82394AD-AS3RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3250VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI82391BD-AS3R | 4.5450 | | 1938 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI82391BD-AS3RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3250VRMS | 35kv/µs | - | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI82398CD-AS | 6.5841 | | 5048 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI82398CD-AS | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI82390BD-AS3 | 6.5841 | | 3603 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | तमाम | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI82390BD-AS3 | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3250VRMS | 35kv/µs | - | 5.6NS | 6.5V ~ 24V |
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