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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप अनुमोदन एजेंसी अँगुला अफ़स्या सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय - आउटपुट / चैनल वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) सराय - पकड़ (ih) अफ़स्या अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम) अफ़मार S स डीवी डीवी/डीटी सराफक - एलईडी ट टthurraurir (ift) (अधिकतम) तंग
TLP626(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (Sanyd, f) -
सराय
ECAD 1971 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) अफ़मत्रा 1 शराबी 4 तंग तंग 264-TLP626 (SANYDF) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8s, 8 और 55V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10s, 8 और 400MV
TLP785F(BL-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (BL-LF7, एफ -
सराय
ECAD 7849 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785F (BL-LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP731(D4-BL-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-BL-TP1, एफ -
सराय
ECAD 7743 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP731 - 1 (असीमित) 264-TLP731 (D4-BL-TP1F Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP785(D4GB-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4GB-F6, एफ -
सराय
ECAD 5280 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785 (D4GB-F6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP627-2(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2 (डी 4, एफ) -
सराय
ECAD 6591 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP627 - 1 (असीमित) 264-TLP627-2 (D4F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP531(YG,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (yg, f) -
सराय
ECAD 6694 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP531 - 1 (असीमित) 264-TLP531 (YGF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP781(D4-GR-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GR-TP6, F -
सराय
ECAD 8326 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP781 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (D4-GR-TP6FTR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP785(GRH-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GRH-LF6, एफ -
सराय
ECAD 5475 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785 (GRH-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 150% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP781F(BLL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (BLL-LF7, F) -
सराय
ECAD 3705 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग Tlp781f डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP781F (BLL-LF7F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP291(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 291 (जीबी-टीपी, ई) -
सराय
ECAD 5477 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP291 डीसी 1 शराबी 4- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 4 एस, 7 एंड एस 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 5ma 400% @ 5ma 7 एस, 7 एस.एस. 300MV
TLP331(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331 (LF5, एफ) -
सराय
ECAD 1127 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP331 - 1 (असीमित) 264-TLP331 (LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP620-2(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 620-2 (एलएफ 1, एफ) -
सराय
ECAD 5900 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP620 अफ़मत्रा 2 शराबी 8-एसएमडी तंग 264-TLP620-2 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V ५० सदा 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP550 ,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550, एफ) -
सराय
ECAD 8887 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP550 - 1 (असीमित) 264-TLP550F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP3083F(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F (एफ) 1.7400
सराय
ECAD 44 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-डिप (0.400 ", 10.16 मिमी), 5 लीड CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 triac 6 तप तंग 1 (असीमित) 264-TLP3083F Ear99 8541.49.8000 50 1.15V ५० सदा 5000VRMS 800 वी 100 सवार 600 OFA तमाम 2kv/thss (vana) 5ma -
TLP781(D4TELS-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4tels-T6, f -
सराय
ECAD 5195 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP781 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (D4TELS-T6FTR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP160J(V4T7TRUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (V4T7TRUC, एफ -
सराय
ECAD 5602 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP160J - 1 (असीमित) 264-TLP160J (V4T7TRUCFTR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP371(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 371 (एलएफ 2, एफ) -
सराय
ECAD 1632 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP371 - 1 (असीमित) 264-TLP371 (LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP781(D4-FUN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-FUN, F) -
सराय
ECAD 3278 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP781 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (D4-FUNF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP785F(D4GHF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4GHF7, एफ -
सराय
ECAD 7137 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785F (D4GHF7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP781F(D4GRL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GRL-T7, एफ -
सराय
ECAD 2410 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) Tlp781f डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781F (D4GRL-T7FTR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 200% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP785F(LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (LF7, एफ -
सराय
ECAD 9999 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP785 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP785F (LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP531(MBS-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (MBS-TP5, F) -
सराय
ECAD 3705 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP531 - 1 (असीमित) 264-TLP531 (MBS-TP5F) TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP620-2(YASK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (lect, एफ) -
सराय
ECAD 8282 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) अफ़मत्रा 2 शराबी 8- तंग 264-TLP620-2 (YASKF) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V ५० सदा 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP532(HIT-BL-L1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (HIT-BL-L1, एफ -
सराय
ECAD 5237 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP532 - 1 (असीमित) 264-TLP532 (HIT-BL-L1F Ear99 8541.49.8000 50
TLP734(D4GRHT5,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (D4GRHT5, एफ, एफ, एफ -
सराय
ECAD 2332 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP734 - 1 (असीमित) 264-TLP734 (D4GRHT5MF Ear99 8541.49.8000 50
TLP160G(OMT7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (OMT7, एफ) -
सराय
ECAD 4295 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP160G - 1 (असीमित) 264-TLP160G (OMT7F) TR Ear99 8541.49.8000 150
TLP120(GR-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (ray-टीपी, एफ) -
सराय
ECAD 9211 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP120 अफ़मत्रा 1 शराबी 6-एमएफएसओपी, 4 लीड - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP120 (GR-TPF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP781(D4-YH-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-YH-LF6, F -
सराय
ECAD 9575 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP781 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (D4-YH-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 75% @ 5ma 150% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP750(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-TP1, F) -
सराय
ECAD 8800 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP750 - 1 (असीमित) 264-TLP750 (D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP372(HO,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP372 (हो, एफ) -
सराय
ECAD 7776 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP372 - 1 (असीमित) 264-TLP372 (HOF) Ear99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम