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आप (15749)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप अनुमोदन एजेंसी अँगुला अफ़स्या वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय - आउटपुट / चैनल तंग - तंग वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) सराय - पकड़ (ih) इनपुट - ranak 1/vana 2 तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) अफ़स्या अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम) अफ़मार S स डीवी डीवी/डीटी सराफक - एलईडी ट टthurraurir (ift) (अधिकतम) तंग
TLP121(GRH-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage The 121 (therएच-टीपी, एफ) -
सराय
 ECAD 5792 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP121 डीसी 1 शराबी 6-एमएफएसओपी, 4 लीड - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP121 (GRH-TPF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
FOD0708R1 onsemi Fod0708R1 -
सराय
 ECAD 6762 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) FOD070 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 4.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.49.8000 500 2 सना हुआ 15MBD 12NS, 8NS 1.45V 20ma 2500VRMS 1/0 25kv/µs 60NS, 60NS
H11C4S onsemi H11C4S -
सराय
 ECAD 6476 0.00000000 Onsemi - नली शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी, विंग विंग H11C एक प्रकार का होना 1 एक प्रकार का होना 6-एसएमडी तंग 1 (असीमित) तमाम H11C4S-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 सना हुआ 5300VRMS 400 वी ३०० सना हुआ - नहीं 500V/µs 20ma -
H11N2300W onsemi H11N2300W -
सराय
 ECAD 5861 0.00000000 Onsemi - नली शिर - होल के kaytaumauth से 6-((0.400 ", 10.16 मिमी) H11n डीसी 1 तंग - 6 तप तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.49.8000 50 ५० सदा 5MHz - 1.4V 5ma 7500VRMS 1/0 - 330NS, 330NS
PC123X1YSZ0F Sharp Microelectronics Pc123x1ysz0f -
सराय
 ECAD 3966 0.00000000 क्योरहमक्यमक्युर - नली शिर -30 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 4 एस, 3 एंड एस 70V 1.2V ५० सदा 5000VRMS 50% @ 5MA 150% @ 5ma - 200MV
LTV-846S-TA1 Lite-On Inc. LTV-846S-TA1 -
सराय
 ECAD 2849 0.00000000 तंग-ऑन इंक। LTV-846 R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 16-एसएमडी, गल विंग LTV-846 डीसी 4 शराबी 16-एसएमडी तंग 1 (असीमित) Ltv846sta1 Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 4 एस, 3 एंड एस 80V 1.2V ५० सदा 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200MV
PS2701-1-F3-P-A Renesas Electronics America Inc PS2701-1-F3-PA -
सराय
 ECAD 8821 0.00000000 रेनसस अयस्करस नेपोक R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग PS2701 डीसी 1 शराबी 4-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 559-1415-2 Ear99 8541.49.8000 3,500 80MA 3, 5 ग्रोन्स 40V 1.1V ५० सदा 3750VRMS 150% @ 5ma 300% @ 5ma - 300MV
BRT23M-X007T Vishay Semiconductor Opto Division BRT23M-X007T -
सराय
 ECAD 1438 0.00000000 तमहता के बारे में बात - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी, विंग विंग BRT23 cul, ur, vde 1 triac 6-एसएमडी - 751-BRT23M-X007T Ear99 8541.49.8000 1,000 1.16V 60 सना हुआ 5300VRMS 800 वी ३०० सना हुआ 500μA तमाम 10kv/µs 3MA 35: एस
CNY17F33SD onsemi CNY17F33SD -
सराय
 ECAD 1999 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी, विंग विंग CNY17 डीसी 1 शराबी 6-एसएमडी तंग 1 (असीमित) तमाम CNY17F33SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 1, 2, एस 70V 1.35V 100 सवार 5300VRMS 100% @ 10MA 200% @ 10MA 2, 3 एस.एस. 300MV
EL3063S1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL3063S1 (टीबी) -v -
सराय
 ECAD 5736 0.00000000 सरायस, तृष्चुरी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी, विंग विंग EL3063 CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE 1 triac 6-एसएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 3903630115 Ear99 8541.49.8000 1,000 1.5V (अधिकतम अधिकतम) 60 सना हुआ 5000VRMS 600 वी 100 सवार 280) (स्याल) तमाम 1kv/µs 5ma -
VOT8026AG Vishay Semiconductor Opto Division WOT8026AG 0.3990
सराय
 ECAD 1452 0.00000000 तमहता के बारे में बात - नली शिर -40 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 6-((0.400 ", 10.16 मिमी) WOT8026 CQC, CUL, UL, VDE 1 triac 6 तप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 751-VOT8026AG Ear99 8541.49.8000 2,000 1.2V ५० सदा 5300VRMS 800 वी 100 सवार ४००) (स्याह) तमाम 1kv/µs 5ma -
TLP781(D4GRLL6TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4GRLL6TC, एफ -
सराय
 ECAD 1217 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP781 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (D4GRLL6TCFTR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 200% @ 5MA 3, 3 400MV
VOT8125AG-V Vishay Semiconductor Opto Division WOT8125AG-V 1.2500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमहता के बारे में बात - नली शिर -40 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 6-डिप (0.400 ", 10.16 मिमी), 5 लीड WOT8125 CQC, CUL, UL, VDE 1 triac 6 तप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 1.2V ५० सदा 5000VRMS 800 वी 100 सवार ४००) (स्याह) नहीं 1kv/µs 5ma -
CNY174W onsemi CNY174W -
सराय
 ECAD 1430 0.00000000 Onsemi - नली शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-((0.400 ", 10.16 मिमी) CNY174 डीसी 1 तंग 6 तप तंग 1 (असीमित) तमाम CNY174W-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 1, 2, एस 70V 1.35V 100 सवार 5300VRMS 160% @ 10MA 320% @ 10MA 2, 3 एस.एस. 300MV
FOD814A300 onsemi FOD814A300 0.7300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 Onsemi - नली शिर -55 ° C ~ 105 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) Fod814 अफ़मत्रा 1 शराबी 4 तंग तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8541.49.8000 100 50mA 4 एस, 3 एंड एस 70V 1.2V ५० सदा 5000VRMS 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200MV
SL5504SD onsemi SL5504SD -
सराय
 ECAD 9374 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी, विंग विंग SL5504 डीसी 1 तंग 6-एसएमडी तंग 1 (असीमित) तमाम SL5504SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 100ma - 80V 1.23V 100 सवार 5300VRMS 25% @ 10MA 400% @ 10MA 50 एस, 150) (अधिकतम) 400MV
PC357N6TJ00F Sharp Microelectronics PC357N6TJ00F -
सराय
 ECAD 1513 0.00000000 क्योरहमक्यमक्युर - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग डीसी 1 शराबी 4-फ- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 750 50mA 4 एस, 3 एंड एस 80V 1.2V ५० सदा 3750VRMS 130% @ 5ma 400% @ 5ma - 200MV
140816141010 Würth Elektronik 140816141010 0.3800
सराय
 ECAD 32 0.00000000 सराय WL-OCPT नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) डीसी 1 शराबी 4-एम।-एम। तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 732-140816141010 Ear99 8541.49.8000 100 50mA 3, 4 ग्रोन्स 80V 1.24V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA -
EL3082S1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL3082S1 (टीबी) -v -
सराय
 ECAD 4485 0.00000000 सरायस, तृष्चुरी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी, विंग विंग EL3082 CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE 1 triac 6-एसएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 3903820015 Ear99 8541.49.8000 1,000 1.5V (अधिकतम अधिकतम) 60 सना हुआ 5000VRMS 800 वी 100 सवार 280) (स्याल) तमाम 600V/µs 10ma -
EL817(S)(C)(TD)-V Everlight Electronics Co Ltd EL817 (s) (c) (td) -v -
सराय
 ECAD 2653 0.00000000 सरायस, तृष्चुरी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग EL817 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 4 एस, 3 एंड एस 35V 1.2V 60 सना हुआ 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5ma - 200MV
CNX36US onsemi CNX36US -
सराय
 ECAD 2731 0.00000000 Onsemi - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी, विंग विंग CNX36 डीसी 1 तंग 6-एसएमडी तंग 1 (असीमित) तमाम CNX36US-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 100ma - 30V 1.15V 100 सवार 5300VRMS 80% @ 10MA 200% @ 10MA 20 एस, 20 एंड एस 400MV
MOC3162TVM onsemi MOC3162TVM -
सराय
 ECAD 4881 0.00000000 Onsemi - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से 6-((0.400 ", 10.16 मिमी) Moc316 Iec/en/din, ul 1 triac 6 तप तंग 1 (असीमित) तमाम MOC3162TVM-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60 सना हुआ 4170VRMS 600 वी ५००) (स्याल) तमाम 1kv/µs 10ma -
SFH615A-2X006 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-2X006 0.8900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमहता के बारे में बात - नली शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) SFH615 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.49.8000 4,000 50mA 2, 2, एस 70V 1.35V 60 सना हुआ 5300VRMS 63% @ 10MA 125% @ 10MA 3 400MV
TLP127(KOSD-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (KOSD-TPL, F) -
सराय
 ECAD 2733 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP127 डीसी 1 Darlington 6-एमएफएसओपी, 4 लीड - 1 (असीमित) 264-TLP127 (KOSD-TPLF) TR Ear99 8541.49.8000 3,000 150ma 40s, 15 और 300V 1.15V ५० सदा 2500VRMS 1000% @ 1MA - 50s, 15 kss 1.2V
MOC8111M Fairchild Semiconductor Moc8111m 0.1900
सराय
 ECAD 4 0.00000000 सराय - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-((0.300 ", 7.62 मिमी) डीसी 1 शराबी 6 तप तंग Rohs3 आजthabaira Ear99 8541.49.8000 1,000 - 2, 11, एस 70V 1.15V ९ ० 7500VPK 20% @ 10MA - 3, 18 ग्रोन्स 400MV
TLP371(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371 (टीपी 1, एफ) -
सराय
 ECAD 2803 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी, विंग विंग TLP371 डीसी 1 अफ़स्या 6-एसएमडी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 150ma 40s, 15 और 300V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 1000% @ 1MA - 50s, 15 kss 1.2V
CNY173TM onsemi CNY173TM -
सराय
 ECAD 7028 0.00000000 Onsemi - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-((0.400 ", 10.16 मिमी) CNY173 डीसी 1 तंग 6 तप तंग 1 (असीमित) तमाम CNY173TM-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 4, 3.5) (अधिकतम) 70V 1.35V 60 सना हुआ 4170VRMS 100% @ 10MA 200% @ 10MA 2, 3 एस.एस. 400MV
TLP781(GB-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (GB-LF6, F) -
सराय
 ECAD 8264 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP781 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
PS2561BL1-1-A Renesas Electronics America Inc PS2561BL1-1-A 0.3836
सराय
 ECAD 5184 0.00000000 रेनसस अयस्करस नेपोक नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) PS2561 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 559-1311 Ear99 8541.49.8000 100 50mA 3, 5 ग्रोन्स 80V 1.17V 40 सना 5000VRMS 100% @ 5ma 400% @ 5ma - 300MV
LDA212STR IXYS Integrated Circuits Division LDA212STR -
सराय
 ECAD 7934 0.00000000 Ixys एकीकृत rurcuth डिवीजन - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग LDA212 अफ़मत्रा 2 Darlington 8-एसएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 1 तंग 3750VRMS 300% @ 1MA 30000% @ 1MA 8, एस, 345µs 1V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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