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अफ़िक (3839)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | तमाम | सवार | शराबी | तमाम | तकनीकी | अनुमोदन एजेंसी | अँगुला | वोलmume - | सराफकस | तंग | रत्य | अफ़र | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | सराफक - आउटपुट उच उच, कम | तंग - तंग | अफ़रप | सराय - पीक पीक | वृदth वृद | वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) | सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) | अफ़म | पृथक शक | इनपुट - ranak 1/vana 2 | तमामकस | अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) | अफ़म | वोलmume - आउटपुट आपू आपू | शिर | कड़ा |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI8285EC-ISR | 2.4886 |  | 4040 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8285 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI8285EC-ISRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 3750VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 16v ~ 30v | |||||||||||||
 | SI823H1AD-AS3R | 4.0769 | | 2938 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI823H1AD-AS3RTR | 1,250 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||||||||
 | SI86S620BC-AS | 3.9900 | | 8176 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI86S62X | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI86S620 | कैपेसिटिव युग | 2 | 2.25V ~ 5.5V | 8-हुक | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | 863-SI86S620BC-AS | 96 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 3750VRMS | तमाम | 2/0 | 100kv/µs | 13.5NS, 13.5NS | 2.5NS | |||||||||||
 | SI8620EB-B-IM1R | 1.1250 | | 8125 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-वीडीएफएन | तमाम | SI8620 | कैपेसिटिव युग | 2 | 2.5V ~ 5.5V | 8-DFN (5x4) | तंग | रोहस अफ़मार | 3 (168 घंटे) | 336-SI8620EB-B-IM1RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 2500VRMS | नहीं | 2/0 | 35kv/µs | 13NS, 13NS | 4.5NS | |||||||||
 | SI8281DD-ISR | 4.6086 | | 8929 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 20-SOIC | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI8281D-ISRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 14V ~ 30V | ||||||||||||||
 | SI82394CB4-IS1R | 2.9550 | | 3434 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI82394 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 12.8v ~ 24v | ||||||||||||
| SI82396CB-AS1 | 5.8671 | | 9203 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI82396CB-AS1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||||
 | SI8261BCC-C-IS | 3.3700 | | 2 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8261 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 8-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 336-2420-5 | Ear99 | 8542.39.0001 | 96 | 500ma, 1.2a | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | 2.8V (अधिकतम) | ३० सना हुआ | 3750VRMS | 35kv/µs | 60ns, 50ns | 28 एनएस | 13.5V ~ 30V | ||||||||||
 | SI8233CB-D-IM | 5.5900 | | 980 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीएफएलजीए | SI8233 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 14-((5x5) | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 490 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 12.2V ~ 24V | ||||||||||||
 | SI8234AB-D-IS | 5.3400 | | 855 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8234 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | -Si8234ab-d | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||||||
 | SI8650EC-AS1 | 5.3177 | | 7628 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | कैपेसिटिव युग | 5 | 2.375V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | २ (१ सींग) | 863-SI8650EC-AS1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 3750VRMS | नहीं | 5/0 | 35kv/µs | 13NS, 13NS | 4.5NS | |||||||||||
| SI82394AB4-AS1 | 5.8671 | | 9540 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI82394AB4-AS1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||||
| SI8231BB-B-ISR | - | | 3345 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 9.4v ~ 24v | |||||||||||||
 | SI8234AB-C-IS1 | - | | 9381 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||||||||
| SI86S620EC-IS | 2.5631 | | 2309 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | SI86S620 | - | २ (१ सींग) | 863-SI86S620EC-IS | Ear99 | 8542.39.0001 | 96 | |||||||||||||||||||||||||||
 | SI88321ED-IS | 6.6929 | | 6101 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | शिर | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI88321 | कैपेसिटिव युग | 2 | 3V ~ 5.5V | 20-SOIC | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 38 | 100Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 5000VRMS | नहीं | 1/1 | 40kv/Ex | 12.6ns, 17.5ns (rana) | 4.8NS | |||||||||||
| SI8640ED-B-IS2R | 2.4745 | | 1514 | 0.00000000 | तमामयस | SI864X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI8640 | कैपेसिटिव युग | 4 | 2.5V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 150Mbps | तमाम | 4NS, 4NS | 5000VRMS | नहीं | 4/0 | 50kv/gronss | 13NS, 13NS | 4.5NS | |||||||||||
 | SI8621AB-ASR | 1.5314 | | 6279 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | कैपेसिटिव युग | 2 | 2.5V ~ 5.5V | 8-हुक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8621AB-ASRTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 2500VRMS | तमाम | 1/1 | 35kv/µs | 35NS, 35NS | 25NS | |||||||||||
| SI8461AA-A-IS1R | 2.6250 | | 3793 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI8461 | कैपेसिटिव युग | 6 | 2.7V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1Mbps | तमाम | 3.8NS, 2.8NS | 1000VRMS | नहीं | 5/1 | 25kv/thass (sana) | 35NS, 35NS | 25NS | |||||||||||
| SI86S602AE-AS4R | 5.2631 | | 7766 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI86S60X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI86S602 | कैपेसिटिव युग | 2 | 3V ~ 5.5V | 8-sso | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | 863-SI86S602AE-AS4RTR | 1,250 | 150Mbps | कांव, | 2.5NS, 2.5NS | 6000VRMS | तमाम | 2/1 | 100kv/µs | 15NS, 15NS | 3NS | |||||||||||
| SI86SS51EC-IS1R | 4.1700 | | 3581 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | एसपीआई | SI86SS51 | कैपेसिटिव युग | 5 | 2.25V ~ 5.5V | 16-हुकिक | - | २ (१ सींग) | 863-SI86SS51EC-IS1RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 3750VRMS | नहीं | 4/1 | 100kv/µs | 14NS, 14NS | 2NS | ||||||||||
| SI86SM42EE-AS2 | 6.0044 | | 4878 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | एसपीआई | कैपेसिटिव युग | 6 | 2.25V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI86SM42EE-AS2 | 46 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 6000VRMS | तमाम | 2/2 | 150kv/µs | 42NS, 42NS | 2NS | ||||||||||||
| SI8261BAC-C-ISR | 3.3700 | | 11 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8261 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 8-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 500ma, 1.2a | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | 2.8V (अधिकतम) | ३० सना हुआ | 3750VRMS | 35kv/µs | 60ns, 50ns | 28 एनएस | 6.5V ~ 30V | |||||||||||
| SI86S642BC-IS1 | 4.8415 | | 8572 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI86S642 | कैपेसिटिव युग | 4 | 2.25V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | २ (१ सींग) | 863-SI86S642BC-IS1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 3750VRMS | नहीं | 2/2 | 100kv/µs | 14NS, 14NS | 2NS | ||||||||||
| SI8235AB-D-IS1R | 5.5300 | | 23 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8235 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||||
 | SI88343ED-ISR | 5.9700 | | 8058 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 24-SCIC (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI88343 | कैपेसिटिव युग | 4 | 3V ~ 5.5V | 24-हुक | तंग | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 100Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 5000VRMS | नहीं | 1/3 | 40kv/Ex | 12.6ns, 17.5ns (rana) | 4.8NS | ||||||||||||
| SI8620EC-B-IS | 2.9500 | | 2 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI8620 | कैपेसिटिव युग | 2 | 2.5V ~ 5.5V | 8-हुक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 96 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 3750VRMS | नहीं | 2/0 | 35kv/µs | 13NS, 13NS | 4.5NS | |||||||||||
| SI8423AB-B-ISR | - | | 4992 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | कैपेसिटिव युग | 2 | 2.7V ~ 5.5V | 8-हुक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1Mbps | तमाम | 2NS, 2NS | 2500VRMS | नहीं | 2/0 | 20kv/µs | 35NS, 35NS | 25NS | ||||||||||||
| SI8431BB-D-IS1 | 4.2215 | | 6191 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI8431 | कैपेसिटिव युग | 3 | 2.7V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 150Mbps | तमाम | 3.8NS, 2.8NS | 2500VRMS | नहीं | 2/1 | 25kv/thass (sana) | 9.5NS, 9.5NS | 2.5NS | |||||||||||
| SI8281CD-AS | 8.7376 | | 1252 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 20-SOIC | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI8281CD-AS | 38 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 13.2V ~ 30V | ऑटोमोटिव | एईसी- Q100 |
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