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अफ़िक (3839)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | तमाम | सवार | शराबी | तमाम | तकनीकी | अनुमोदन एजेंसी | अँगुला | वोलmume - | सराफकस | तंग | रत्य | अफ़र | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | सराफक - आउटपुट उच उच, कम | तंग - तंग | अफ़रप | सराय - पीक पीक | वृदth वृद | वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) | सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) | अफ़म | पृथक शक | इनपुट - ranak 1/vana 2 | तमामकस | अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) | अफ़म | वोलmume - आउटपुट आपू आपू | शिर | कड़ा |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI82396AD-ASR | 4.5450 |  | 6451 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI82396AD-ASRTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||||
 | SI8275DBD-IS1 | 5.5300 | | 100 | 0.00000000 | तमामयस | SI827X | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8275 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 336-5947 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 75NS, 75NS | 8NS | 4.2V ~ 30V | |||||||||||
| SI8230AC-D-IS1 | 4.1300 | | 48 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8230 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 336-SI8230AC-D-IS1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 3750VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||||||
 | SI8235BB-C-ISR | - | | 6233 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 9.4v ~ 24v | |||||||||||||
 | SI8285EC-IS | 3.9996 | | 6086 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8285 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI8285EC-IS | 46 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 3750VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 16v ~ 30v | |||||||||||||
 | SI82391AD-IS3 | 6.8000 | | 46 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI82391 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | रोहस अफ़मार | 3 (168 घंटे) | 336-SI82391AD-IS3 | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3250VRMS | 35kv/µs | 40ns, 40ns | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||
| SI8283CD-ASR | 6.3130 | | 7051 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 24-SCIC (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 24-हुक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI8283CD-ASRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 13.2V ~ 30V | ऑटोमोटिव | एईसी- Q100 | |||||||||||
| SI823HEN1-IS3 | 5.9009 | | 3477 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | - | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI823HEN1-IS3 | 46 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SI823H3BB-IM1R | 4.0650 | | 9141 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 14-QFN (5x5) | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 116NS, 116NS | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||||||
| SI823H4CD-IS3 | 7.1900 | | 2950 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||||||
| SI82521AB-AM1R | 3.9784 | | 2062 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI8252X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 14-((5x5) | तंग | Rohs3 आजthabaira | ६ | 863-SI82521AB-AM1RTR | 2,500 | 4 ए, 4 ए | 4 ए, 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5.6NS | 5.5V ~ 30V | |||||||||||||
 | SI82398AB4-IS1R | 2.9550 | | 8030 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI82398 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||||
| SI86SM42EC-AS1 | 5.4454 | | 8368 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | एसपीआई | कैपेसिटिव युग | 6 | 2.25V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | 863-SI86SM42EC-AS1 | 48 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 3750VRMS | तमाम | 2/2 | 150kv/µs | 42NS, 42NS | 2NS | ||||||||||||
| SI823H5BB-AM1R | 4.4511 | | 7201 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | 863-SI823H5BB-AM1RTR | 2,500 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | |||||||||||||
| SI8231AB-B-IS | - | | 4850 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||||||||
| SI8442AB-D-IS1R | 2.2050 | | 9684 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI8442 | कैपेसिटिव युग | 4 | 2.7V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1Mbps | तमाम | 3.8NS, 2.8NS | 2500VRMS | नहीं | 2/2 | 25kv/thass (sana) | 35NS, 35NS | 25NS | |||||||||||
 | SI8275BBD-AS1R | 3.3045 | | 7966 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI827X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8275 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8275BBD-AS1RTR | 2,500 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 75NS, 75NS | 8NS | 4.2V ~ 30V | |||||||||||||
 | SI8261BBD-C-ISR | 4.2800 | | 2 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8261 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 6-गूल गूल विंग | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 500ma, 1.2a | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | 2.8V (अधिकतम) | ३० सना हुआ | 5000VRMS | 35kv/µs | 60ns, 50ns | 28 एनएस | 9.4V ~ 30V | |||||||||||
| SI8441BB-C-ISR | 3.3600 | | 9613 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI8441 | कैपेसिटिव युग | 4 | 2.7V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 150Mbps | तमाम | 3.8NS, 2.8NS | 2500VRMS | नहीं | 3/1 | 25kv/thass (sana) | 9.5NS, 9.5NS | 2.5NS | ||||||||||
 | SI8455BA-B-IUR | 3.4650 | | 4673 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-एसएसओपी (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI8455 | कैपेसिटिव युग | 5 | 2.7V ~ 5.5V | 16-QSOP | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 150Mbps | तमाम | 3.8NS, 2.8NS | 1000VRMS | नहीं | 5/0 | 25kv/thass (sana) | 9.5NS, 9.5NS | 2.5NS | |||||||||||
 | SI8275GA-IM1 | 3.3029 | | 8063 | 0.00000000 | तमामयस | SI827X | शिर | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | SI8275 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 14-QFN (5x5) | तंग | २ (१ सींग) | 863-SI8275GA-IM1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 490 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 1000VRMS | 200kv/OFS | 75NS, 75NS | 8NS | 4.2V ~ 30V | |||||||||||
 | SI88241EC-AS | 9.5829 | | 8644 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI88241 | कैपेसिटिव युग | 4 | 3V ~ 5.5V | 20-SOIC | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI88241EC-AS | Ear99 | 8542.39.0001 | 38 | 100Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 5000VRMS | तमाम | 3/1 | 40kv/Ex | 18NS, 23NS | 7NS | ||||||||||
 | SI8661EB-AR | 3.3448 | | 4806 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-एसएसओपी (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | कैपेसिटिव युग | 6 | 2.375V ~ 5.5V | 16-QSOP | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8661EB-AURTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 2500VRMS | तमाम | 5/1 | 35kv/µs | 13NS, 13NS | 4.5NS | |||||||||||
| SI8285ED-ISR | 2.6583 | | 6304 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8285 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI8285ED-ISRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 16v ~ 30v | |||||||||||||
| SI83411BBA-IFR | 3.8860 | | 2248 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 32-वीएफडीएफएन ने ने पैड को को को को को को | एसपीआई | SI83411 | चुंबकीय युग | 1 | 2.25V ~ 5.5V, 9V ~ 32V | 32-((9x9) | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | 863-SI83411BBA-IFRTR | 1,250 | - | तमाम | -, 3 और | 1500VRMS | तमाम | 1/0 | 100kv/µs | 3.7 एसटीएस, 3.7 संकेत | - | |||||||||||
| SI8283CC-ASR | 5.9312 | | 3826 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 24-SCIC (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 24-हुक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI8283CC-ASRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 13.2V ~ 30V | |||||||||||||
| SI8261CBD-C-IS | - | | 9794 | 0.00000000 | तमामयस | * | नली | शिर | SI8261 | - | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | |||||||||||||||||||||||||||
 | SI8283ED-ISR | 5.0586 | | 7841 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 24-SCIC (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 24-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI8283ED-ISRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 16v ~ 30v | ||||||||||||||
 | SI86S663EB-IU | 5.1464 | | 4539 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-एसएसओपी (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI86S663 | कैपेसिटिव युग | 6 | 2.25V ~ 5.5V | 16-QSOP | तंग | २ (१ सींग) | 863-SI86S663EB-IU | Ear99 | 8542.39.0001 | 96 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 2500VRMS | नहीं | 3/3 | 100kv/µs | 14NS, 14NS | 2NS | ||||||||||
| SI8642EA-AR | 2.2567 | | 3114 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI864X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-एसएसओपी (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI8642 | कैपेसिटिव युग | 4 | 2.375V ~ 5.5V | 16-QSOP | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8642EA-AURTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 1000VRMS | तमाम | 2/2 | 35kv/µs | 13NS, 13NS | 4.5NS |
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