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अफ़िक (3839)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | तमाम | सवार | शराबी | तमाम | तकनीकी | अनुमोदन एजेंसी | अँगुला | वोलmume - | सराफकस | तंग | रत्य | अफ़र | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | सराफक - आउटपुट उच उच, कम | तंग - तंग | अफ़रप | सराय - पीक पीक | वृदth वृद | वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) | सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) | अफ़म | पृथक शक | इनपुट - ranak 1/vana 2 | तमामकस | अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) | अफ़म | वोलmume - आउटपुट आपू आपू | शिर | कड़ा |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI8274AB4D-AM1 | 4.2582 |  | 4960 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI827X | शिर | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | SI8274 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-((5x5) | तंग | २ (१ सींग) | 863-SI8274AB4D-AM1 | 490 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 105NS, 75NS | 47NS | 4.2V ~ 30V | |||||||||||||
 | SI82396AB-IS1 | 4.6985 | | 8225 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI82396 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 336-3866 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | 40ns, 40ns | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||||||
 | SI823H6BD-AS3 | 7.3711 | | 9094 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI823H6BD-AS3 | 46 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ऑटोमोटिव | एईसी- Q100 | ||||||||||||
 | Si8384p-iu | 6.8100 | | 2 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-एसएसओपी (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI8384 | कैपेसिटिव युग | 8 | 2.25V ~ 5.5V | 20-QSOP | तंग | २ (१ सींग) | 336-3627-5 | Ear99 | 8542.39.0001 | 56 | 2Mbps | तमाम | 3.9NS, 3.7NS | 2500VRMS | नहीं | 8/0 | - | - | - | ||||||||||
 | SI8610ED-B-ISR | 1.5750 | | 2706 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI8610 | कैपेसिटिव युग | 1 | 2.5V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 5000VRMS | नहीं | 1/0 | 35kv/µs | 13NS, 13NS | 4.5NS | |||||||||||
 | SI8421BB-C-IS | 2.5838 | | 2108 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI8421 | कैपेसिटिव युग | 2 | 2.7V ~ 5.5V | 8-हुक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 336-1591-5 | Ear99 | 8542.39.0001 | 96 | 150Mbps | तमाम | 3.8NS, 2.8NS | 2500VRMS | नहीं | 1/1 | 25kv/thass (sana) | 9.5NS, 9.5NS | 2.5NS | ||||||||||
| SI8230AC-D-IS1 | 4.1300 | | 48 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8230 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 336-SI8230AC-D-IS1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 3750VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||||||
| SI8232DB-B-ISR | - | | 8515 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | - | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | - | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 4.5V ~ 5.5V | |||||||||||||
 | SI8283DC-ASR | 5.9312 | | 3860 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 24-SCIC (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 24-हुक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI8283DC-ASRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 14V ~ 30V | |||||||||||||
| SI8230AB-B-IS1 | - | | 9761 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||||||||
| SI8281DC-ASR | 5.4267 | | 5624 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 20-SOIC | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI8281DC-ASRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 14V ~ 30V | |||||||||||||
 | SI823H6CB-IS1R | 3.9000 | | 8276 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30NS, 58NS | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||||||
 | SI86SM41BC-IS1R | 3.0292 | | 7120 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI86SM41 | कैपेसिटिव युग | 4 | 2.25V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | २ (१ सींग) | 863-SI86SM41BC-IS1RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 6000VRMS | नहीं | 3/1 | 100kv/µs | 14NS, 14NS | 2NS | ||||||||||
 | SI8283EC-IS | 7.2053 | | 9924 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 24-SCIC (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 24-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI8283EC-IS | 32 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 16v ~ 30v | ||||||||||||||
| SI8281CC-AS | 8.2405 | | 6804 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 20-SOIC | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI8281CC-AS | 38 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 13.2V ~ 30V | ऑटोमोटिव | एईसी- Q100 | |||||||||||
| SI82395AD-AS | 6.5841 | | 6563 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI82395AD-AS | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||||
| SI8284DC-IS | 7.2053 | | 6078 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 24-SCIC (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 24-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI8284DC-IS | 32 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 14V ~ 30V | ऑटोमोटिव | एईसी- Q100 | ||||||||||||
| SI82520AB-IM1R | 3.5320 | | 2072 | 0.00000000 | तमामयस | SI8252X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 14-((5x5) | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | 863-SI82520AB-IM1RTR | 2,500 | 4 ए, 4 ए | 4 ए, 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5.6NS | 5.5V ~ 30V | |||||||||||||
| SI8620DB-B-IS | 1.9577 | | 3845 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | कैपेसिटिव युग | 2 | 2.5V ~ 5.5V | 8-हुक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8620DB-B-IS | Ear99 | 8542.39.0001 | 96 | - | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | - | तमाम | - | 35kv/µs | 13NS, 13NS | 4.5NS | |||||||||||
| SI8220DB-A-IS | - | | 1615 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | सीएसए, rur, वीडीई | 1 | 8-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 96 | 1.5 ए, 2.5 ए | 2.5a | 20NS, 20NS (अधिकतम) | 2.5V (अधिकतम) | ३० सना हुआ | 2500VRMS | 30kv/thass | 60NS, 40NS | - | 14.8v ~ 24v | ||||||||||||
 | SI8261BBC-ASR | 2.0150 | | 1725 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 8-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI8261BC-ASRTR | 2,500 | 500ma, 1.2a | 600ma, 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | 2.8V (अधिकतम) | ३० सना हुआ | 3750VRMS | 35kv/µs | 60ns, 50ns | 28 एनएस | 6.5V ~ 30V | |||||||||||||
 | SI823H5CB-IM1R | 4.0650 | | 5595 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||||||
| SI86S631EE-IS2R | 2.7000 | | 1053 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI86S631 | कैपेसिटिव युग | 3 | 2.25V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI86S631EE-IS2RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 6000VRMS | नहीं | 2/1 | 100kv/µs | 14NS, 14NS | 2NS | ||||||||||
| SI86S605AB-AR | 5.2914 | | 4636 | 0.00000000 | तमामयस | SI86S60X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-एसएसओपी (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI86S605 | कैपेसिटिव युग | 4 | 3V ~ 5.5V | 16-QSOP | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | 863-SI86S605AB-AURTR | 2,500 | 150Mbps | कांव, | 2.5NS, 2.5NS | 2500VRMS | तमाम | 3/3 | 100kv/µs | 15NS, 15NS | 3NS | ऑटोमोटिव | एईसी- Q100 | |||||||||
 | SI8642ED-AS | 4.7950 | | 4548 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI864X | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI8642 | कैपेसिटिव युग | 4 | 2.375V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8642ED-AS | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 5000VRMS | तमाम | 2/2 | 35kv/µs | 13NS, 13NS | 4.5NS | ||||||||||
| SI82391BB-IS1R | 2.6463 | | 5867 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI82391 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | 40ns, 40ns | 5.6NS | 10v ~ 24v | ||||||||||||
| SI8285CD-IS | 4.4837 | | 2574 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8285 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 16-हुकिक | तंग | 1 (असीमित) | 336-3513 | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 13.2V ~ 30V | |||||||||||
 | SI8661BB-AR | 3.3448 | | 2533 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-एसएसओपी (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | कैपेसिटिव युग | 6 | 2.375V ~ 5.5V | 16-QSOP | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8661BB-AURTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 2500VRMS | तमाम | 5/1 | 35kv/µs | 13NS, 13NS | 4.5NS | |||||||||||
| SI8261AAC-C-ISR | 3.0600 | | 16 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8261 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 8-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 400ma, 600ma | 600ma | 5.5ns, 8.5ns | 2.8V (अधिकतम) | ३० सना हुआ | 3750VRMS | 35kv/µs | 60ns, 50ns | 28 एनएस | 6.5V ~ 30V | |||||||||||
| SI8600AB-B-IS | 6.8900 | | 394 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | मैं एसी | SI8600 | कैपेसिटिव युग | 2 | 3V ~ 5.5V | 8-हुक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | -Si8600AB-B | Ear99 | 8542.39.0001 | 96 | - | कांपना | - | 2500VRMS | नहीं | 2/2 | 35kv/µs | - | - |
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