दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | तमाम | सवार | शराबी | तमाम | तकनीकी | अनुमोदन एजेंसी | अँगुला | वोलmume - | सराफकस | तंग | रत्य | अफ़र | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | सराफक - आउटपुट उच उच, कम | तंग - तंग | अफ़रप | सराय - पीक पीक | वृदth वृद | वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) | सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) | अफ़म | पृथक शक | इनपुट - ranak 1/vana 2 | तमामकस | अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) | अफ़म | वोलmume - आउटपुट आपू आपू | शिर | कड़ा |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI8273GAD-IM1 | 3.3029 | ![]() | 1514 | 0.00000000 | तमामयस | SI827X | शिर | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | SI8273 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 14-((5x5) | तंग | २ (१ सींग) | 863-SI8273GAD-IM1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 490 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 1000VRMS | 200kv/OFS | 75NS, 75NS | 8NS | 4.2V ~ 30V | |||||||||||
![]() | SI8261ACD-C-IMR | - | ![]() | 5076 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-वेग | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 8-LGA (10x12.5) | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 400ma, 600ma | 600ma | 5.5ns, 8.5ns | 2.8V (अधिकतम) | ३० सना हुआ | 5000VRMS | 35kv/µs | 60ns, 50ns | 28 एनएस | 13.5V ~ 30V | ||||||||||||
![]() | SI82394CB4-AS1R | 3.6900 | ![]() | 1780 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI82394CB4-AS1RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||||
![]() | SI8642BA-B-IUR | 3.7600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | तमामयस | SI864X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-एसएसओपी (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI8642 | कैपेसिटिव युग | 4 | 2.5V ~ 5.5V | 16-QSOP | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 1000VRMS | नहीं | 2/2 | 35kv/µs | 13NS, 13NS | 4.5NS | |||||||||||
![]() | SI823H2BB-AS1R | 4.2673 | ![]() | 5317 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI823H2BB-AS1RTR | 2,500 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||||||||
![]() | SI82397CD-AS3R | 4.5450 | ![]() | 7299 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI82397CD-AS3RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3250VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||||
SI8630AB-B-ISR | 1.8300 | ![]() | 8330 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI8630 | कैपेसिटिव युग | 3 | 2.5V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 1Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 2500VRMS | नहीं | 3/0 | 35kv/µs | 35NS, 35NS | 25NS | ||||||||||||
![]() | SI8234AB-D-IM | 5.5900 | ![]() | 980 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीएफएलजीए | SI8234 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 14-((5x5) | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 490 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||||
![]() | SI86SS41BC-IS1 | 5.2230 | ![]() | 5461 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | एसपीआई | SI86SS41 | कैपेसिटिव युग | 4 | 2.25V ~ 5.5V | 16-हुकिक | - | २ (१ सींग) | 863-SI86SS41BC-IS1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 3750VRMS | नहीं | 3/1 | 100kv/µs | 14NS, 14NS | 2NS | ||||||||||
![]() | SI82390AB-AS1R | 3.6900 | ![]() | 4984 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI82390AB-AS1RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | - | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||||
SI8630ET-ISR | 2.1150 | ![]() | 9716 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI8630 | कैपेसिटिव युग | 3 | 2.5V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 5000VRMS | नहीं | 3/0 | 60kv/gron | 13NS, 13NS | 4.5NS | ||||||||||||
![]() | SI823H3AB-IM1R | 4.0650 | ![]() | 9546 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 14-QFN (5x5) | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 116NS, 116NS | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||||||
![]() | SI82398CD4-AS3 | 6.5841 | ![]() | 1727 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI82398CD4-AS3 | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3250VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||||
![]() | SI82391CD-AS | 6.5841 | ![]() | 3323 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI82391CD-AS | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | - | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||||
![]() | SI86SL42EC-AS1R | 3.4532 | ![]() | 8535 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | एसपीआई | कैपेसिटिव युग | 6 | 2.25V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | 863-SI86SL42EC-AS1RTR | 2,500 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 3750VRMS | तमाम | 2/2 | 150kv/µs | 18NS, 18NS | 7NS | ||||||||||||
![]() | SI82391BD-AS | 6.5841 | ![]() | 4968 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI82391BD-AS | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | - | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||||
![]() | SI86SS51EE-AS2R | 4.9086 | ![]() | 5861 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | एसपीआई | कैपेसिटिव युग | 6 | 2.25V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI86SS51EE-AS2RTR | 1,250 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 6000VRMS | तमाम | 4/1 | 150kv/µs | 42NS, 42NS | 2NS | ||||||||||||
![]() | SI8630AB-ASR | 2.1634 | ![]() | 2417 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | कैपेसिटिव युग | 3 | 2.5V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8630AB-ASRTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | - | नहीं | - | 60kv/gron | 13NS, 13NS | 4.5NS | |||||||||||
![]() | SI8281BC-ISR | 8.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8281 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 20-SOIC | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2.5 ए, 3 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 35kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 2.8V ~ 5.5V | ||||||||||||
![]() | SI823H4BB-IS1 | 6.5600 | ![]() | 8781 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 2 ए ए (4 किलोशान) | 336-5912 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 58NS, 30NS | 5NS | 7v ~ 8.2V | ||||||||||
![]() | SI82398AD-IS3 | 6.8000 | ![]() | 5206 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI82398 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | रोहस अफ़मार | 3 (168 घंटे) | 336-SI82398AD-IS3 | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3250VRMS | 35kv/µs | 55NS, 40NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||
![]() | SI86SQ44BB-AU | 5.0518 | ![]() | 4368 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-एसएसओपी (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | एसपीआई | कैपेसिटिव युग | 6 | 2.25V ~ 5.5V | 16-QSOP | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | 863-SI86SQ44BB-AU | 96 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 2500VRMS | तमाम | 4/0 | 150kv/µs | 42NS, 42NS | 2NS | ||||||||||||
SI823H9BD-IS4R | 3.2400 | ![]() | 2943 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 8-sso | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | |||||||||||||
SI8231BD-D-IS | 4.4122 | ![]() | 4749 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8231 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 9.4v ~ 24v | |||||||||||||
![]() | SI8275ABD-IS1R | 2.9550 | ![]() | 4073 | 0.00000000 | तमामयस | SI827X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8275 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 75NS, 75NS | 8NS | 4.2V ~ 30V | ||||||||||||
![]() | SI88440EC-ISR | 5.0700 | ![]() | 9334 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI88440 | कैपेसिटिव युग | 4 | 3V ~ 5.5V | 20-SOIC | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 100Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 5000VRMS | नहीं | 4/0 | 40kv/Ex | 18NS, 23NS | 7NS | |||||||||||
![]() | SI8275DBD-IM1R | 2.9284 | ![]() | 8623 | 0.00000000 | तमामयस | SI827X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | SI8275 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | तंग | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 75NS, 75NS | 8NS | 4.2V ~ 30V | ||||||||||||
![]() | SI86S641BC-AS1 | 6.5300 | ![]() | 1890 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | एसपीआई | कैपेसिटिव युग | 6 | 2.25V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | 863-SI86S641BC-AS1 | 48 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 3750VRMS | तमाम | 3/1 | 150kv/µs | 42NS, 42NS | 2NS | ऑटोमोटिव | एईसी- Q100 | ||||||||||
![]() | SI86S622BE-AS4 | 5.2700 | ![]() | 160 | 0.00000000 | तमामयस | SI86S62X | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI86S622 | कैपेसिटिव युग | 2 | 2.25V ~ 5.5V | 8-sso | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | 863-SI86S622BE-AS4 | Ear99 | 8542.39.0001 | 80 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 6000VRMS | तमाम | 1/1 | 100kv/µs | 13.5NS, 13.5NS | 2.5NS | ऑटोमोटिव | एईसी- Q100 | |||||||
![]() | SI823H1CB-AM1 | 5.3070 | ![]() | 6439 | 0.00000000 | तमामयस | - | शिर | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | 863-SI823H1CB-AM1 | 490 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ऑटोमोटिव | एईसी- Q100 |
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