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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी अनुमोदन एजेंसी अँगुला अफ़स्या वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराफक - आउटपुट उच उच, कम सराय - आउटपुट / चैनल तंग - तंग सराय - पीक पीक वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) सराय - पकड़ (ih) इनपुट - ranak 1/vana 2 तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) अफ़म वोलmume - आउटपुट आपू आपू सराफकस अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम) अफ़मार S स डीवी डीवी/डीटी सराफक - एलईडी ट टthurraurir (ift) (अधिकतम) तंग
TLP2362(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (V4-TPL, ई 1.0500
सराय
ECAD 9559 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C - - TLP2362 डीसी 1 तंग 2.7V ~ 5.5V - तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 २५ सना हुआ 10MBD 30ns, 30ns 1.55V 25ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 100ns, 100ns
TLP184(BL-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (BL-TPL, SE 0.5100
सराय
ECAD 6089 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP184 अफ़मत्रा 1 शराबी 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP5705H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (LF4, ई 1.9900
सराय
ECAD 5551 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 15V ~ 30V 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 - 37NS, 50NS 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 50kv/gronss 200NS, 200NS
TLP124(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 124 (टीपीएल, एफ) -
सराय
ECAD 1975 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP124 डीसी 1 शराबी 6-एमएफएसओपी, 4 लीड - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP124 (TPLF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8s, 8 और 80V 1.15V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10s, 8 और 400MV
TLP525GF Toshiba Semiconductor and Storage TLP525GF 1.1600
सराय
ECAD 29 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP525 एक प्रकार का होना 1 triac 4 तंग तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Tlp525g (f) Ear99 8541.49.8000 100 1.15V ५० सदा 2500VRMS 400 वी 100 सवार २०० सिपाही नहीं 200V/OFS 10ma -
TLP126TPRF Toshiba Semiconductor and Storage TLP126TPRF -
सराय
ECAD 2305 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP126 अफ़मत्रा 1 शराबी 6-एमएफएसओपी, 4 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8s, 8 और 80V 1.15V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10s, 8 और 400MV
TLP631(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 631 (एलएफ 1, एफ) -
सराय
ECAD 1402 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP631 - 1 (असीमित) 264-TLP631 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP591B(C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP591B (C, F) 3.2100
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से 6-डिप (0.300 ", 7.62 मिमी), 5 लीड TLP591 डीसी 1 कांपना 6-डिप, 5 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 24 - 7V 1.4V ५० सदा 2500VRMS - - 200s, 3ms -
TLP781(D4-GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GR, F) -
सराय
ECAD 8794 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP781 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP5771(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771 (D4-TP, E 0.9489
सराय
ECAD 2833 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5771 ऑपmuth युग CQC, CUR, UR, VDE 1 6- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP5771 (D4-TPE Ear99 8541.49.8000 1,500 1 ए, 1 ए 1 क 15NS, 8NS 1.65V 8 सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 10v ~ 30V
TLP627-4(HITOMK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-4 (हिटोमक, एफ) -
सराय
ECAD 2239 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP627 - 1 (असीमित) 264-TLP627-4 (Hitomkf) Ear99 8541.49.8000 25
TLP292-4(V4-LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4-LA, E 1.7900
सराय
ECAD 3649 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP292 अफ़मत्रा 4 शराबी 16- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 500 @ 600% @ 500µA 3, 3 300MV
TLP121(BL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 121 (बीएल-टीपीएल, एफ) -
सराय
ECAD 1068 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP121 डीसी 1 शराबी 6-एमएफएसओपी, 4 लीड - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP121 (BL-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP2631(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631 (एमबीएस, एफ) -
सराय
ECAD 1475 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP2631 - 1 (असीमित) 264-TLP2631 (MBSF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP160J(T7TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (T7TL, U, C, F -
सराय
ECAD 4923 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP160J - 1 (असीमित) 264-TLP160J (T7TLUCFTR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP250(D4-SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (D4-Sanyd, F) -
सराय
ECAD 2089 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP250 - 1 (असीमित) 264-TLP250 (D4-SANYDF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP137(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (tpl, f) -
सराय
ECAD 4538 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP137 डीसी 1 तंग 6-एमएफएसओपी, 5 लीड - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP137 (TPLF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8s, 8 और 80V 1.15V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10s, 8 और 400MV
TLP161J(V4T5TRUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (V4T5TRUC, F -
सराय
ECAD 7918 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP161 - 1 (असीमित) 264-TLP161J (V4T5TRUCFTR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP161G(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G (U, C, F) -
सराय
ECAD 8267 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP161G एक प्रकार का होना 1 triac 6-एमएफएसओपी, 4 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 150 1.15V ५० सदा 2500VRMS 400 वी 70 ६००) (स्याह) तमाम 200V/OFS 10ma -
TLP350(D4-TP5,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350 (D4-TP5, Z, F) -
सराय
ECAD 5070 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP350 - 1 (असीमित) 264-TLP350 (D4-TP5ZF) TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP387(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387 0.8700
सराय
ECAD 5699 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP387 डीसी 1 Darlington 6-तो, 4 लीड तंग रोहस अफ़मार तंग Ear99 8541.49.8000 3,000 150ma 40s, 15 और 300V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 1000% @ 1MA - 50s, 15 kss 1V
TLP182(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (y, ई 0.5500
सराय
ECAD 1756 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP182 अफ़मत्रा 1 शराबी 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP182 (तु) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 150% @ 5ma 3, 3 300MV
TLP5774(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774 (डी 4-ई, ई ई 1.0055
सराय
ECAD 4540 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5774 ऑपmuth युग CQC, CUR, UR, VDE 1 6- तंग रोहस अफ़मार TLP5774 (D4-TPE Ear99 8541.49.8000 1,500 1.2 ए, 1.2 ए 4 ए 15NS, 8NS 1.65V 8 सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 10v ~ 30V
TLP3083F(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F (एफ) 1.7400
सराय
ECAD 44 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-डिप (0.400 ", 10.16 मिमी), 5 लीड CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 triac 6 तप तंग 1 (असीमित) 264-TLP3083F Ear99 8541.49.8000 50 1.15V ५० सदा 5000VRMS 800 वी 100 सवार 600 OFA तमाम 2kv/thss (vana) 5ma -
TLP5702(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702 (D4-LF4, ई 1.5500
सराय
ECAD 6558 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur TLP5702 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 15V ~ 30V 6- तंग 1 (असीमित) 264-TLP5702 (D4-LF4E Ear99 8541.49.8000 125 - 15NS, 8NS 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 200NS, 200NS
TLP701AF(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701AF (D4-TP, F) -
सराय
ECAD 6402 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP701 ऑपmuth युग CSA, CUL, UL, VDE 1 6-गूल गूल विंग तंग 264-TLP701AF (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 600ma, 600ma 600ma 50ns, 50ns 1.57V २५ सना हुआ 5000VRMS 20kv/µs 500NS, 500NS 350NS 10v ~ 30V
TLP759(D4MBIMT1J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4MBIMT1J, एफ -
सराय
ECAD 3454 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP759 डीसी 1 तंग 8- तंग 264-TLP759 (D4MBIMT1JF Ear99 8541.49.8000 1 8MA - - 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
TLP781(D4-YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-YH, F) -
सराय
ECAD 2989 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP781 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (D4-YHF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 75% @ 5ma 150% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP160G(MBS-TR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (MBS-TR, U, F -
सराय
ECAD 9680 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP160G - 1 (असीमित) 264-TLP160G (MBS-TRUFTR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP701A(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701A (D4-TP, F) -
सराय
ECAD 8536 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP701 ऑपmuth युग CSA, CUL, UL, VDE 1 6-गूल गूल विंग तंग 264-TLP701A (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 400ma, 400ma 600ma 50ns, 50ns 1.57V २५ सना हुआ 5000VRMS 20kv/µs 500NS, 500NS 350NS 10v ~ 30V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम