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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी अनुमोदन एजेंसी अँगुला अफ़स्या वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराफक - आउटपुट उच उच, कम सराय - आउटपुट / चैनल तंग - तंग सराय - पीक पीक वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) सराय - पकड़ (ih) इनपुट - ranak 1/vana 2 तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) अफ़म वोलmume - आउटपुट आपू आपू अफ़स्या अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम) अफ़मार S स डीवी डीवी/डीटी सराफक - एलईडी ट टthurraurir (ift) (अधिकतम) तंग
TLP781(GRL-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (GRL-TP6, F) -
सराय
ECAD 8044 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP781 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-टीएलपी 781 (rayrएल-टीपी 6 of) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 200% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP182(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 0.5200
सराय
ECAD 4529 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP182 अफ़मत्रा 1 शराबी 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 300MV
TLP732(D4COS-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4COS-LF2, एफ -
सराय
ECAD 9163 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP732 - 1 (असीमित) 264-TLP732 (D4COS-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP525G(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G (LF1, F) -
सराय
ECAD 3080 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP525 CSA, CUL, UL 1 triac 4-एसएमडी तंग 264-TLP525G (LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 1.15V ५० सदा 2500VRMS 400 वी 100 सवार 600 OFA नहीं 200V/OFS 10ma -
TLP152(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP152 (ई) 1.3000
सराय
ECAD 125 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.179 ", 4.55 मिमी ranak), 5 लीड TLP152 ऑपmuth युग CQC, CUL, UL 1 6-तो, 5 लीड तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 2 ए, 2 ए 2.5a 18NS, 22NS 1.57V 15 सना हुआ 3750VRMS 20kv/µs 170NS, 190NS 50NS 10v ~ 30V
TLP620-4(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (D4-LF1, F) -
सराय
ECAD 1651 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 16-एसएमडी TLP620 अफ़मत्रा 4 शराबी 16-एसएमडी तंग 264-TLP620-4 (D4-LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V ५० सदा 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP785(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (डी 4, एफ एफ -
सराय
ECAD 7573 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785 (D4F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP785F(BL-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (BL-LF7, एफ -
सराय
ECAD 7849 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785F (BL-LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP531(MBS-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (MBS-TP5, F) -
सराय
ECAD 3705 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP531 - 1 (असीमित) 264-TLP531 (MBS-TP5F) TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP350F(Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350F (Z, F) -
सराय
ECAD 8950 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP350 - 1 (असीमित) 264-TLP350F (ZF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP131(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131 (GB-TPL, F) -
सराय
ECAD 8605 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP131 डीसी 1 तंग 6-एमएफएसओपी, 5 लीड - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP131 (GB-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP550(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (FANUC, F) -
सराय
ECAD 6079 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP550 - 1 (असीमित) 264-TLP550 (FANUCF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP550(Y-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Y-LF1, F) -
सराय
ECAD 4671 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP550 - 1 (असीमित) 264-TLP550 (Y-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2631(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631 (एमबीएस, एफ) -
सराय
ECAD 1475 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP2631 - 1 (असीमित) 264-TLP2631 (MBSF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP627-4(HITOMK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-4 (हिटोमक, एफ) -
सराय
ECAD 2239 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP627 - 1 (असीमित) 264-TLP627-4 (Hitomkf) Ear99 8541.49.8000 25
TLP160J(T7TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (T7TL, U, C, F -
सराय
ECAD 4923 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP160J - 1 (असीमित) 264-TLP160J (T7TLUCFTR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP121(BL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 121 (बीएल-टीपीएल, एफ) -
सराय
ECAD 1068 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP121 डीसी 1 शराबी 6-एमएफएसओपी, 4 लीड - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP121 (BL-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP292-4(V4-LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4-LA, E 1.7900
सराय
ECAD 3649 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP292 अफ़मत्रा 4 शराबी 16- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 500 @ 600% @ 500µA 3, 3 300MV
TLP624-2(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 624-2 (एलएफ 5, एफ) -
सराय
ECAD 2717 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP624 - 1 (असीमित) 264-TLP624-2 (LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2958F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958F (एफ) -
सराय
ECAD 4972 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP2958 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 3V ~ 20V 8- तंग 264-TLP2958F (एफ) Ear99 8541.49.8000 1 २५ सना हुआ 5Mbps 15NS, 10NS 1.55V 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 250NS, 250NS
TLP250(D4-SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (D4-Sanyd, F) -
सराय
ECAD 2089 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP250 - 1 (असीमित) 264-TLP250 (D4-SANYDF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785F(D4-GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-GR, F -
सराय
ECAD 1238 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785F (D4-GRF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP185(TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (TPL, SE 0.6000
सराय
ECAD 9189 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP185 डीसी 1 शराबी 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP701F(D4SONYTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP701F (D4SonyTP, एफ -
सराय
ECAD 3894 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP701 ऑपmuth युग - 1 6-गूल गूल विंग तंग 264-TLP701F (D4SonyTPF Ear99 8541.49.8000 1 - 600ma - - 5000VRMS 10kv/µs 700NS, 700NS - 10v ~ 30V
TLP160G(U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (U, F) -
सराय
ECAD 6312 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP160G एक प्रकार का होना 1 triac 6-एमएफएसओपी, 4 लीड - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 150 1.15V ५० सदा 2500VRMS 400 वी 70 ६००) (स्याह) नहीं 200V/OFS 10ma 30
TLP2767(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2767 (ई) 2.5400
सराय
ECAD 5138 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP2767 अफ़मत्रा 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.7V ~ 5.5V 6- तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 10 सना हुआ 50MBD 2NS, 1NS 2.1V (अधिकतम) 15ma 5000VRMS 1/0 25kv/µs 20NS, 20NS
TLP130(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP130 (GB-TPR, F) -
सराय
ECAD 9661 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP130 अफ़मत्रा 1 तंग 6-एमएफएसओपी, 5 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP388(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (D4GB-TL, E 0.7900
सराय
ECAD 7358 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP388 डीसी 1 शराबी 6-तो, 4 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 350V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP732(D4-GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4-GRL, F) -
सराय
ECAD 7537 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP732 - 1 (असीमित) 264-TLP732 (D4-GRLF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP781(D4-YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-YH, F) -
सराय
ECAD 2989 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP781 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (D4-YHF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 75% @ 5ma 150% @ 5ma 3, 3 400MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम