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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी अनुमोदन एजेंसी अँगुला अफ़स्या वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराफक - आउटपुट उच उच, कम सराय - आउटपुट / चैनल तंग - तंग सराय - पीक पीक वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म सराय - पकड़ (ih) इनपुट - ranak 1/vana 2 तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) अफ़म वोलmume - आउटपुट आपू आपू अफ़स्या अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम) S स डीवी डीवी/डीटी सराफक - एलईडी ट टthurraurir (ift) (अधिकतम) तंग
TLP768J(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP768J (S, C, F) -
सराय
ECAD 7613 0.00000000 तमाम - थोक शिर - - - TLP768 - - - - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP768J (SCF) Ear99 8541.49.8000 50 - - - - - -
TLP250(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (डी 4, एफ) -
सराय
ECAD 2010 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP250 - 1 (असीमित) 264-TLP250 (D4F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785(D4-GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 0.6200
सराय
ECAD 85 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग रोहस अफ़मार तंग TLP785 (D4-GRF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP358F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358F (TP4, F) -
सराय
ECAD 6352 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP358 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 15V ~ 30V 8-एसएमडी तंग 264-TLP358F (TP4F) Ear99 8541.49.8000 1 6 ए - 17NS, 17NS 1.57V 20ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 500NS, 500NS
TLP785(D4-GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-GB, एफ -
सराय
ECAD 1379 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785 (D4-GBF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP2368(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2368 (ई) 1.7500
सराय
ECAD 322 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.179 ", 4.55 मिमी ranak), 5 लीड TLP2368 डीसी 1 तंग 2.7V ~ 5.5V 6-तो, 5 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 २५ सना हुआ 20MBD 30ns, 30ns 1.55V 25ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 60NS, 60NS
TLP117(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 117 (ther, t एफ) -
सराय
ECAD 8565 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP117 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 4.5V ~ 5.5V 6-एमएफएसओपी, 5 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 5A991 8541.49.8000 3,000 10 सना हुआ 50MBD 3NS, 3NS 1.6V 25ma 3750VRMS 1/0 10kv/µs 20NS, 20NS
TLP250(D4-SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (D4-Sanyd, F) -
सराय
ECAD 2089 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP250 - 1 (असीमित) 264-TLP250 (D4-SANYDF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP523(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 523 (टीपी 1, एफ) -
सराय
ECAD 5051 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP523 - 1 (असीमित) 264-टीएलपी 523 (टीपी 1 एफ) Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP351(LF5,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351 (LF5, Z, F) -
सराय
ECAD 1189 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP351 - 1 (असीमित) 264-TLP351 (LF5ZF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP627M(D4-LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (D4-LF5, ई 0.9300
सराय
ECAD 3056 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP627 डीसी 1 Darlington 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 100 150ma 60 के दशक, 30 और 300V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 1000% @ 1MA - 110 और, 30 और 1.2V
TLP250(INV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (INV, F) -
सराय
ECAD 8862 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP250 - 1 (असीमित) 264-TLP250 (INVF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2370(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370 (ray, ई 1.7700
सराय
ECAD 1016 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.179 ", 4.55 मिमी ranak), 5 लीड TLP2370 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.7V ~ 5.5V 6-तो, 5 लीड तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 10 सना हुआ 20Mbps 3NS, 2NS 1.5V 8MA 3750VRMS 1/0 20kv/µs 60NS, 60NS
TLP104(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP104 (V4-TPL, ई 1.5200
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.179 ", 4.55 मिमी ranak), 5 लीड TLP104 डीसी 1 तंग 4.5V ~ 30V 6-तो, 5 लीड तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 8 सना हुआ 1Mbps - 1.61V 25ma 3750VRMS 1/0 15kv/µs 550NS, 400NS
TLP351(D4-TP5,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351 (D4-TP5, Z, F) -
सराय
ECAD 7659 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP351 - 1 (असीमित) 264-TLP351 (D4-TP5ZF) TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP351(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 351 (एफ) 1.9200
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP351 ऑपmuth युग - 1 8- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 400ma, 400ma 600ma 50ns, 50ns 1.55V २० सना हुआ 3750VRMS 10kv/µs 700NS, 700NS - 10v ~ 30V
TLP620-2(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 620-2 (पर, एफ) -
सराय
ECAD 6523 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP620 अफ़मत्रा 2 शराबी 8- तंग 264-‘620-2 (पर) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V ५० सदा 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP785(GRH-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GRH-LF6, एफ -
सराय
ECAD 5475 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785 (GRH-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 150% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP5832(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832 (टीपी, ई, ई 2.8100
सराय
ECAD 6975 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 4.5V ~ 5.5V 8- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 - 15NS, 8NS 1.4V 20ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 200NS, 200NS
TLP781F(D4-GR-SD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-GR-SD, F -
सराय
ECAD 2574 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) Tlp781f डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781F (D4-GR-SDF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP371(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371 (LF1, एफ) -
सराय
ECAD 5901 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP371 - 1 (असीमित) 264-TLP371 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP550-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550-LF1, f) -
सराय
ECAD 9611 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP550 - 1 (असीमित) 264-TLP550-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785 Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 -
सराय
ECAD 6344 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785 Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP2270(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270 (TP4, ई 2.1900
सराय
ECAD 18 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP2270 डीसी 2 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.7V ~ 5.5V 8- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 10 सना हुआ 20MBD 1.3NS, 1NS 1.5V 8MA 5000VRMS 2/0 20kv/µs 60NS, 60NS
TLP2958(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958 (टीपी 1, एफ) -
सराय
ECAD 7098 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP2958 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 3V ~ 20V 8-एसएमडी तंग 264-TLP2958 (TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 २५ सना हुआ 5Mbps 15NS, 10NS 1.55V 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 250NS, 250NS
TLP759(IGM-TP5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (IGM-TP5, J, F -
सराय
ECAD 2062 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP759 डीसी 1 तंग 8-एसएमडी तंग 264-TLP759 (IGM-TP5JF Ear99 8541.49.8000 1 8MA - - 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 25% @ 10MA 75% @ 10MA - -
TLP552 MRON,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 MRON, F) -
सराय
ECAD 7282 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP552 - 1 (असीमित) 264-TLP552MRONF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP759F(D4-TP4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4-TP4, J, F -
सराय
ECAD 7833 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP759 डीसी 1 तंग 8-एसएमडी तंग 264-TLP759F (D4-TP4JF Ear99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
TLP2719(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719 (D4-LF4, ई 1.7200
सराय
ECAD 125 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur TLP2719 डीसी 1 तंग 4.5V ~ 20V 6- तंग 1 (असीमित) 264-TLP2719 (D4-LF4E Ear99 8541.49.8000 125 8 सना हुआ 1MBD - 1.6V 25ma 5000VRMS 1/0 10kv/µs 800NS, 800NS
TLP759(D4-MBS3,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4-MBS3, J, F -
सराय
ECAD 7467 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP759 डीसी 1 तंग 8- तंग 264-TLP759 (D4-MBS3JF Ear99 8541.49.8000 1 8MA - - 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम