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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी अनुमोदन एजेंसी अँगुला अफ़स्या वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराफक - आउटपुट उच उच, कम सराय - आउटपुट / चैनल तंग - तंग सराय - पीक पीक वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) सराय - पकड़ (ih) इनपुट - ranak 1/vana 2 तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) अफ़म वोलmume - आउटपुट आपू आपू अफ़स्या अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम) अफ़मार S स डीवी डीवी/डीटी सराफक - एलईडी ट टthurraurir (ift) (अधिकतम) तंग
TLP161G(T5TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G (T5TL, U, C, F -
सराय
ECAD 4414 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP161G - 1 (असीमित) 264-TLP161G (T5TLUCFTR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP2735(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735 1.8300
सराय
ECAD 2993 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP2735 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 9v ~ 15v 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 २० सना हुआ 10Mbps -, 4NS 1.61V 15ma 5000VRMS 1/0 25kv/µs 100ns, 100ns
TLP5774H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H (ई) 2.4800
सराय
ECAD 6998 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5774 कैपेसिटिव युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- तंग 1 (असीमित) 264-TLP5774H (ई) Ear99 8541.49.8000 125 4 ए, 4 ए 4 ए 56NS, 25NS 1.65V 8 सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 10v ~ 30V
TLP2160(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 2160 (एफ) -
सराय
ECAD 3836 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TLP2160 डीसी 2 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.7V ~ 5.5V 8- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP2160F Ear99 8541.49.8000 100 10 सना हुआ 20MBD 15NS, 15NS 1.55V 25ma 2500VRMS 2/0 20kv/µs 40ns, 40ns
TLP5751(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751 (LF4, ई 2.3800
सराय
ECAD 9037 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5751 ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 1 ए, 1 ए 1 क 15NS, 8NS 1.55V २० सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 15V ~ 30V
TLP700A(TP,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700A (टीपी, एस) -
सराय
ECAD 6250 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP700 - 1 (असीमित) 264-ए 700 ए (टीपीएस) Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP385(D4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-GB, ई 0.5400
सराय
ECAD 9333 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP385 डीसी 1 शराबी 6-तो, 4 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP385 (D4-GBE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP631(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (y, f) -
सराय
ECAD 6022 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP631 - 1 (असीमित) 264-‘631 (स्याह) Ear99 8541.49.8000 50
TLP5751(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751 (D4-TP, E 0.9707
सराय
ECAD 4574 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5751 ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 1 ए, 1 ए 1 क 15NS, 8NS 1.55V २० सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 15V ~ 30V
TLP705(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 705 (डी 4-एफ, एफ) -
सराय
ECAD 3476 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP705 ऑपmuth युग CSA, CUR, UR, VDE 1 6-गूल गूल विंग - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP705 (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1,500 300ma, 300ma 450ma - 1.6V २० सना हुआ 5000VRMS 10kv/µs 200NS, 200NS - 10v ~ 20v
TLP352(D4,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352 (d4, s) -
सराय
ECAD 3732 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP352 - 1 (असीमित) 264-टीएलपी 352 (डी 4 एस) Ear99 8541.49.8000 50
TLP705F(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp705f (f) -
सराय
ECAD 2534 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP705F ऑपmuth युग एक प्रकार का होना 1 6-गूल गूल विंग - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 - 450ma - - 5000VRMS 10kv/µs 200NS, 200NS - 10v ~ 20v
TLP350(TP5,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350 (TP5, Z, F) -
सराय
ECAD 2149 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP350 - 1 (असीमित) 264-TLP350 (TP5ZF) tr Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP630(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 630 (एफ) -
सराय
ECAD 6206 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP630 अफ़मत्रा 1 तंग 6 तप तंग 264-टीएलपी 630 (एफ) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP523(SHRP-MA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523 (SHRP-MA, F) -
सराय
ECAD 8785 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP523 - 1 (असीमित) 264-TLP523 (SHRP-MAF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP3064(D4TP1S,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3064 (D4TP1S, C, F 1.8700
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-डिप (0.300 ", 7.62 मिमी), 5 लीड TLP3064 cur, ur, vde 1 triac 6-कट (कट), 5 लीड तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 1.4V ३० सना हुआ 5000VRMS 600 वी 100 सवार ६००) (स्याह) तमाम 200V/OFS 3MA -
TLP2370(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370 (V4-TPR, E 1.7700
सराय
ECAD 8434 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.179 ", 4.55 मिमी ranak), 5 लीड TLP2370 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.7V ~ 5.5V 6-तो, 5 लीड तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 10 सना हुआ 20Mbps 3NS, 2NS 1.5V 8MA 3750VRMS 1/0 20kv/µs 60NS, 60NS
TLP351H(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp351h (f) 1.6300
सराय
ECAD 11 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP351 ऑपmuth युग CQC, CUR, UR, VDE 1 8- तंग रोहस अफ़मार तंग Ear99 8541.49.8000 50 400ma, 400ma 600ma 50ns, 50ns 1.55V २० सना हुआ 3750VRMS 20kv/µs 700NS, 700NS 500NS 10v ~ 30V
TLP3062A(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3062A (LF1, एफ 1.6100
सराय
ECAD 50 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-लीड (5 लीड), विंग विंग TLP3062 Cqc, cur, ur 1 triac 6-तो, 5 लीड तंग रोहस अफ़मार तंग Ear99 8541.49.8000 50 1.15V ५० सदा 5000VRMS 600 वी 100 सवार ६००) (स्याह) तमाम 2kv/thss (vana) 10ma -
TLP161J(T7TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (T7TR, U, C, F -
सराय
ECAD 8689 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP161 - 1 (असीमित) 264-TLP161J (T7TRUCFTR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP5771H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771H (LF4, ई 2.5900
सराय
ECAD 8462 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5771 कैपेसिटिव युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 1 ए, 1 ए 1 क 56NS, 25NS 1.65V 8 सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 10v ~ 30V
TLP669LF(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669LF (एस, एफ, एफ) -
सराय
ECAD 2653 0.00000000 तमाम - थोक शिर - होल के kaytaumauth से 6-डिप (0.400 ", 10.16 मिमी), 5 लीड TLP669 CSA, CUL, UL, VDE 1 triac 6 तप तंग 264-TLP669LF (SCF) Ear99 8541.49.8000 1 - 5000VRMS 800 वी 100 सवार - तमाम - 10ma -
TLP161J(OMT30,UC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (OMT30, UC, F -
सराय
ECAD 3114 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP161J - 1 (असीमित) 264-TLP161J (OMT30UCFTR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP781F(D4BLL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4BLL-T7, एफ -
सराय
ECAD 8761 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) Tlp781f डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781F (D4BLL-T7FTR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP785F(D4-GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-GRH, एफ -
सराय
ECAD 2557 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785F (D4-GRHF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 150% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP352(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352 (डी 4, एफ) 1.9900
सराय
ECAD 100 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP352 ऑपmuth युग CSA, CUL, UL, VDE 1 8- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 2 ए, 2 ए 2.5a 15NS, 8NS 1.55V २० सना हुआ 3750VRMS 20kv/µs 200NS, 200NS 50NS 15V ~ 30V
TLP5752(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752 (D4-TP, E 2.6500
सराय
ECAD 758 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5752 ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 2.5 ए, 2.5 ए 2.5a 15NS, 8NS 1.55V २० सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 15V ~ 30V
TLP700F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700F (एफ) -
सराय
ECAD 4775 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP700 ऑपmuth युग - 1 6-गूल गूल विंग तंग 264-TLP700F (एफ) Ear99 8541.49.8000 1 - 2 ए - - 5000VRMS 15kv/µs 500NS, 500NS - 15V ~ 30V
TLP5214A(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5214A (ई) 7.6200
सराय
ECAD 50 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5214 ऑपmuth युग CSA, CUL, UL, VDE 1 16- तंग 1 (असीमित) 264-TLP5214A (ई) Ear99 8541.49.8000 50 4 ए, 4 ए 4 ए 32NS, 18NS 1.7V २५ सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 15V ~ 30V
TLP701H(GEHC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701H (GEHC, F) -
सराय
ECAD 1375 0.00000000 तमाम - थोक तंग -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) ऑपmuth युग CSA, CUL, UL, VDE 2 6-एसडीआईपी तंग 1 400ma, 400ma 200MA 50ns, 50ns 1.57V २५ सना हुआ 5000VRMS 20kv/µs 700NS, 700NS 500NS 10v ~ 30V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम